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半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 基于新型共基质电子传输层的有机发光器件
    作者： 委福祥 张志林 方亮 蒋雪茵
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1051-1053
    摘要： 研究了Liq:Bphen混合层的电子传输特性.采用该混合层作为共基质电子传输层制备了结构为[ITO/m-MTDATA/NPB/Alq3/Liq(33%):Bphen/LiF/Al]的有机发光...
  • 2. 多应力结构CMOS器件的模拟研究
    作者： 周东 张庆东 施昊 顾晓峰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1054-1056,1083
    摘要： 使用TCAD仿真工具Sentaurus在45 nm节点工艺下模拟研究了包含多应力结构的应变Si CMOS器件.模拟所得的开关电流比与相同节点工艺下报道的实验结果能很好吻合,验证了所用模型及方...
  • 3. DC/DC辐照损伤与VDMOS器件1/f噪声相关性研究
    作者： 曹衎 王党会 王党朝 许天旱
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1057-1061
    摘要： 通过对DC/DC转换器低频噪声测试技术以及在γ辐照前后电性能与1/f噪声特性变化的对比分析,发现使用低频噪声表征DC/DC转换器的可靠性是对传统电参数表征方法的一种有效补充.对DC/DC转换...
  • 4. LED光源在矿井工作面照明灯中的应用
    作者： 孙建领
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1062-1065
    摘要： 对目前我国煤矿用灯作了简单的介绍,指出了煤矿用灯的发展方向应为节能、本质安全型;阐述了采煤工作面本质安全型LED照明灯应该具备的条件,分析了LED的发光机理.通过光谱分析,得出了LED在实际...
  • 5. 微波pin二极管电阻与温度的关系
    作者： 吴思汉 顾晓春
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1066-1069,1073
    摘要： 研究了四种pin二极管电阻的温度特性.结果表明二极管结面积的大小,也就是二极管结电容的大小,影响着二极管的表面复合和二极管的载流子寿命,决定了二极管的温度性能.器件的钝化方式和几何结构对二极...
  • 6. 直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较
    作者： 张卫 张立锋 徐赛生 曾磊 汪礼康
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1070-1073
    摘要： 针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化.实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率...
  • 7. 基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量
    作者： 李向军 李雅卓 洪治
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1074-1076,1099
    摘要： 根据太赫兹时域光谱系统(TDS)的测量原理,提出了一个考虑F-P效应的半导体材料参数测量方案.利用该方案可以在时域波形中,截取多个反射回峰,以提高材料参数提取的精确度.另外,考虑到多重反射对...
  • 8. Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析
    作者： 刘春香 吕菲 杨洪星 秦学敏 赵权 赵秀玲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1077-1079
    摘要： 对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析.比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响.并对Ge单...
  • 9. TFT 5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺
    作者： 于春崎 辛玉洁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1080-1083
    摘要： 5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型.5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7 PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本.研究制定...
  • 10. 抛光垫使用期对300 mm Si片Haze值影响研究
    作者： 库黎明 张国栋 盛方毓 索思卓 葛钟 阎志瑞 陈海滨 黄军辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1084-1087
    摘要： 抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一.由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣.通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表...
  • 11. 蚀刻腔条件对刻蚀工艺的影响研究
    作者： 包大勇 季高明 朱亮 李东霞 蔡辉 陈乐乐
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1088-1090,1094
    摘要： 在ULSI制造中蚀刻腔条件的变化是导致刻蚀工艺重复性差的一个重要原因.在刻蚀过程中,一层聚合物会淀积在蚀刻腔壁上.通过XPS分析得知,聚合物的主要成分为(CF2)n.实验过程发现不同的聚合物...
  • 12. Si片磨削中砂轮粒径对Si片损伤层的影响
    作者： 周旗钢 唐兴昌 肖清华 闫志瑞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1091-1094
    摘要： 在直径300 mm Si片制备中,利用双面磨削技术能为后续加工提供高精度的表面,但Si片损伤层厚度较大.通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜对Si片表面及截面进行观察,得到了经不同粒径的砂轮磨...
  • 13. SiC MESFET工艺在片检测技术
    作者： 商庆杰 李亮 杨霏 潘宏菽 陈昊 霍玉柱
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1095-1099
    摘要： 介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监浏、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术.芯片表面情况判定主要通...
  • 14. 数字IC边界扫描互连故障诊断新方法
    作者： 倪军 周晓霞 成立 植万江 王振宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1100-1104
    摘要： 介绍了支持JTAG标准的数字集成电路(IC)芯片结构、故障测试模式和运用边界扫描故障测试的原理.实验中分析了数字IC互连故障类型、一般故障诊断流程和互连故障的测试方法,提出了采用无误判抗混淆...
  • 15. LET引线框通用精密硬质合金级进模设计
    作者： 刘筱倩 张恩霞 曹阳根 秦秀珍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1105-1107,1132
    摘要： 发光三极管的引线框结构较为精细,产量很大,用高速冲床生产,对模具的精度和寿命要求很高.设计了25工位两件通用冲压排样方案和相应的精密硬质合金级进模,该模具能够通过更换局部凸模通用于两个不同类...
  • 16. 塑封微电路筛选鉴定和DPA技术的研究
    作者： 刘建 李少平 来萍 林湘云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1108-1111
    摘要： 由于塑封器件结构和材料等因素,存在非气密性、易受温度形变等特有潜在缺陷.有效的筛选和鉴定已经成为检验塑封微电路(PEMs)质量和提高应用可靠性的关键.DPA作为产品质量检验与可靠性评价技术,...
  • 17. SiC衬底X波段GaN MMIC的研究
    作者： 冯震 张志国 杨克武 武继宾 王勇 蔡树军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1112-1114
    摘要： 使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT.利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaN MMI...
  • 18. DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST开关
    作者： 刘文杰 吴洪江 方园 李富强 高学邦 魏洪涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1115-1118
    摘要： 介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计.工作频率范围为DC～40 GHz,插入损...
  • 19. 新型高速低功耗动态比较器
    作者： 于宗光 林武平 郭良权 黄召军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1119-1122,1147
    摘要： 基于预放大锁存理论,提出了一种新型高速低功耗动态比较器.该比较器采用预放大级、动态锁存器及输出缓冲级构成的三级结构,与传统比较器不同,该比较器采用了一种新型动态结构作为输出缓冲级以实现高速低...
  • 20. 数字可编程的宽电压范围比较器
    作者： 张峥 彭杰 范涛 袁国顺 黄强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1123-1125,1142
    摘要： 提出的比较器采用基准电压源产生2.5 V的电压,用电阻串并结合数字译码器和模拟开关通过控制码可以产生参考电压范围从0.039～4.922 V的64个等级的比较器参考电压,利用PMOS差分对管...
  • 21. 3.7 GHz宽带CMOS LC VCO的设计
    作者： 叶甜春 叶青 吴永俊 满家汉 王云峰 陈勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1126-1129
    摘要： 设计了一款3.7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器.采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化,并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值.电路采用和舰0.18 μm ...
  • 22. L波段宽带低相噪VCO的设计与制作
    作者： 要志宏 陈君涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1130-1132
    摘要： 提出了一种基于PCB工艺的L波段宽带低相噪VCO电路拓扑结构.采用基极和发射极双端调谐的方式,并引入可变电容反馈,实现了电路的超宽带.同时在低损耗的FR4基板上制作微带小电感以形成高Q谐振器...
  • 23. ∑-△ ADC的降采样滤波器的设计与实现
    作者： 叶振伟 蔡敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1133-1137
    摘要： 介绍了一种带宽150 kHz、16 bit的∑-△模数转换器中的降采样低通滤波器的设计和实现.系统采用Sharpened CIC (cascaded integrator-comb)和ISO...
  • 24. 基于FPGA的LVDS高速差分板间接口应用
    作者： 李云志 李立萍 杨恒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1138-1142
    摘要： 随着ADC器件速率的提高以及FPGA、DSP器件运算速度的提升,高速AD和信号处理系统之间需要进行高速、稳定的数据传输,原来广泛应用CPCI以及FDPD高速总线的带宽已经无法满足宽带接收机的...
  • 25. 用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路
    作者： 周述涛 张奉江 张正璠 张红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1143-1147
    摘要： 介绍了一种用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路.这个电路由延迟锁相环(DLL)来实现.这个DLL有两个功能:一是通过把一个时钟沿固定精确延迟半个周期,再与另一个沿组成一个新的时钟来调节时钟占空...
  • 26. 飞思卡尔推出新系列带LCD驱动的单片机以降低系统成本、功耗和复杂性
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1148
    摘要：
  • 27. 产业新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1149-1151
    摘要：
  • 28. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  1151-1152
    摘要：
  • 29. 《半导体技术》稿约
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年12期
    页码:  插一
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
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半导体技术统计分析

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