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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 相变随机存储器材料与结构设计最新进展
    作者： 刘波 宋志棠 封松林
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  737-742
    摘要： 介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等.分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这...
  • 2. 193 nm浸没式光刻材料的研究进展
    作者： 何鉴 李冰 穆启道 郑金红 高子奇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  743-747
    摘要： 介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战.在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述.并对顶部涂料存在的问题进行了阐述...
  • 3. 半导体制程废气处理技术实践
    作者： 杨骥 陈玉峰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  752-755
    摘要： 讨论了半导体制造废气处理技术与排放,包括热排气、酸性排气、碱性排气和有机排气这四种工艺废气处理设备的应用和处理原理,以及在实际的操作运行中不同系统控制参数对处理效率的影响,并通过实验确定合理...
  • 4. 高纯氢气系统的处理技术
    作者： 石洁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  756-758
    摘要： 在高纯氢气系统,如容器、设备、管道等进行停气、焊接施工中,过去一般采用传统吹除法处理氢气系统.为了节约吹除时间,提高工作效率,提出了另外两种方法,即间断分析法和经验公式置换法.通过比较证明,...
  • 5. CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器
    作者： 李铁 杨恒昭 熊斌 王跃林
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  759-761,765
    摘要： 提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用XeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器.探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等.作为红外吸收层的氧化硅/氮化硅复合介质膜具...
  • 6. GSMBE生长的非均匀多纵模量子点激光器
    作者： 何焜 李世国 李健 龚谦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  762-765
    摘要： 报道了InAs/GaAs量子点激光器GSMBE生长,激光器器件有源区包含了层叠的5层InAs量子点微结构.AFM显微图像显示相同生长条件下的未覆盖表层量子点样品呈现出不均匀的多模尺寸分布.制...
  • 7. GaAs垂直结构PIN二极管限幅器
    作者： 张力江 王静辉 魏洪涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  766-768
    摘要： 基于垂直结构GaAs PIN二极管的工艺技术开发,在GaAs PHEMT生产线上开发研制了GaAs PIN二极管限幅器单片集成电路.针对不同频段的单片电路采用了不同的材料结构参数设计.工艺中...
  • 8. InP基异质结界面暗电流C-V测试分析
    作者： 刘英斌 崔琦 林琳 王晶 陈宏泰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  769-771,779
    摘要： 采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析.采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了...
  • 9. 500 V耗尽型NLDMOS器件研究
    作者： 孙伟锋 李海松 李维聪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  772-775
    摘要： 基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求,提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法.分析了沟道注入工艺对器件阈值电压和表面电场分布的影响,综合利用RES...
  • 10. 用于LED的微透镜阵列的光学性能研究
    作者： 关荣锋 王杏 田大垒 赵文卿
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  776-779
    摘要： 功率发光二极管(LED)的发展迫切需要提高取光效率,微透镜阵列的二次光学设计是改善其光强分布的有效途径.建立了一种大功率LED的封装结构,二次光学设计采用了微透镜阵列技术,运用光线追踪法研究...
  • 11. 一款微波双极晶体管的设计和实现
    作者： 吴国增 米保良
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  780-783
    摘要： 对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试.介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构.对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、β/Ic曲...
  • 12. 双栅氧LDMOS器件工艺技术的研究与改进
    作者： 宋李梅 杜寰 王文博 王晓慧 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  784-786
    摘要： 双栅氧LDMOS器件刻蚀过程中极易造成多晶硅残留现象,降低了栅极和源区之间的击穿电压.改进了制备双栅氧LDMOS器件的方法,对于70 nm以下的栅氧厚度,采用保留整个厚栅氧器件区域栅氧的刻蚀...
  • 13. Cu/Ta/SiO2/Si薄膜在纳米压痕下的分层现象研究
    作者： Shen Weidian 卢茜 吴子景 吴晓京 蒋宾
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  787-790
    摘要： 采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50nm的Ta膜和400 nm的Cu膜.使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕.使用扫描电镜(SEM)、聚焦离...
  • 14. Si损伤缺陷分析与解决方案
    作者： 朱晨靓 程秀兰 陈武佳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  791-792
    摘要： 在半导体制造工艺流程中,浅沟道隔离(STI)工艺环节中的Si损伤一直是个困扰的问题.由于Si损伤的存在,造成5%-10%的良率损失,同时,严重影响产品的可靠性.分析了Si损伤缺陷的形成机理,...
  • 15. <511>晶向GaAs单晶主次参考面的确定
    作者： 佟丽英 史继祥 杨春明 王春梅 王聪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  793-795
    摘要： 在半导体照明工程中采用<511>晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件.根据<511>晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确...
  • 16. 功率场效应晶体管晶圆超薄磨片工艺开发
    作者： 彭双清
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  796-797,813
    摘要： 晶圆超薄磨片工艺是为减小功率开关管导通电阻,工艺中存在超薄晶圆磨片后转运过程中破片及超薄晶圆背面蒸镀金属等问题.现有的晶圆磨片的一般厚度为200μm,超薄磨片的目标是100μm.本研究采用同...
  • 17. Si中场致光整流效应的研究
    作者： 刘锋 张晓婷 韩焕鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  798-800
    摘要： 通过观测Si/Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系,发现了光生电压的各向异性规律,即光敏面不同点处光敏特性不同,并且有一定规律.经理论分析和实验数据曲线拟和,认...
  • 18. 微电子器件静电损伤实验
    作者： 唐卫红 姬国庆 张欣卉 李汉军 杨士亮
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  801-802,809
    摘要： 在不同的静电放电模型下,通过实验研究了几种典型的半导体器件的静电敏感端对的静电放电情况和灵敏参数,由于外部环境、材料、结构和加工工艺不同,器件的静电损伤模式不同,其最大未损伤阈值和最小损伤阈...
  • 19. 原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究
    作者： 孙凌 杨华岳 高超
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  803-806
    摘要： 介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究.通过电荷泵测试.对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研...
  • 20. 微波功率晶体管的热失效分析
    作者： 刘红兵 许洋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  807-809
    摘要： 微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳.针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳...
  • 21. 相位噪声测试系统比对方法研究
    作者： 刘红春 刘红运
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  814-816,820
    摘要： 通过采用国际上先进的实验室比对和能力验证方法,提出了相位噪声测试系统的比对方案.通过大量实验,选定出比对用参考源,并对参考源进行了稳定性、重复性的考核,提出了合理可行的比对程序并给出了数据的...
  • 22. 符合ISO/IEC 18000-6C标准的UHF RFID读写器设计
    作者： 张春 林曦 王敬超
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  817-820
    摘要： 在超高频段,ISO/IEC 18000-6标准中6B多用于交通领域,而6C主要用于物流、生产管理和供应链管理领域.分析了ISO/IEC 18000-6 C标准,基于此标准设计了一种超高频射频...
  • 23. 片上锁相环调谐的低功耗中频复数滤波器设计
    作者： 李国林 贠磊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  821-824
    摘要： 讨论了应用于IEEE802.15.4标准低中频接收机的3阶贝塞尔复数gm-C滤波器,其中跨导器采用Nauta结构.为了消除工艺偏差、温度变化、老化对截止频率的影响,滤波器电路使用了片上锁相环...
  • 24. 低功耗RFID电源产生电路的优化设计
    作者： 位召勤 张忠志 胡建国 谭洪舟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  825-828,839
    摘要： 电子标签是创新消费模式、提升生活质量和工作效率的热门新科技,但是由于功耗和成本的原因阻碍了其广泛应用.介绍了一种电子标签芯片电源产生电路的优化设计,探讨了限幅电路、整流电路、模拟电源电路、数...
  • 25. 基于WiMax的OFDM模式的低开销FFT设计
    作者： 周玉梅 熊道琪 黑勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  829-832
    摘要： 研究一种适用于IEEE802.16e(WiMax)正交频分复用(OFDM)模式的256点低开销FFT处理器,采用基于存储器结构和原位计算(in-place)存储方法来减小面积开销,同时采用基...
  • 26. 基于PIC单片机的温度控制器
    作者： 刘百芬 吕涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  833-835
    摘要： 介绍了基于PIC单片机和DSl8B20温度传感器的一种温度控制器的设计,包括温度传感器芯片的选取、单片机与温度传感器的接口设计以及实现温度采集和数据传输的软件设计.DS18B20数字温度传感...
  • 27. 频率测量单片集成电路的研究
    作者： 任怀龙 吴洪江 廖斌 陈兴 默立冬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  836-839
    摘要： 介绍了等精度测频的基本原理,以此为基础,设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路.着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计.该电路芯片在0.18μm CMOS标准工艺...
  • 28. 飞思卡尔动力总成微控制器提供排放控制抗击全球变暖
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  840-841
    摘要：
  • 29. 产业新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  842-844
    摘要：
  • 30. 《半导体技术》稿约
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年9期
    页码:  插1
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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