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半导体技术2011年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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91. 切割速度对硅片翘曲的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 根据线切割机的工作原理,结合12英寸(1英寸=2.54 cm)单晶直径大、SiC磨削路线长和磨削发热量大的特点,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量及各部分温度的工艺参数.根据单位时...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免.对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界.对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 对铸造多晶硅片进行了1 000～1 400℃的高温退火和不同方式冷却实验,用显微观察法对退火硅片及其相邻姊妹片位错密度进行了测量统计.研究了退火温度和冷却方式对铸造多晶硅片中住错密度的影响....
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94. 低电压CMOS压控振荡器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化.设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 基于场分量匹配法研制了毫米波波导-同轴过渡.采用了四级阶梯阻抗变挟结构改善转换的阻抗匹配,增加工作带宽,降低回波损耗;并且利用从波导短路面插入同轴探针来实现波导到同轴转换,以达到低插损、宽带...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 针对同轴介质滤波器有限传输零点不易实现的问题,介绍了一种新颖的带陷波特性的介质带通滤波器,由1/4波长的同轴介质谐振器相互耦合,并在任意入出端级联一段吸收网络组合优化而成.该网络在通带外边缘...
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97. 一种改进型的高功率限幅器刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 通过对pin限幅器的工作原理进行理论分析,引入了微波功率限幅器功率容量的计算方法,并以此为基础进行了微波功率限幅器设计.这里讨论了一种实用的高功率限幅器,它采用多个限幅二极管并联的方式,有效...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 设计了一种1.5μm双极工艺用于FM广播立体声解调的锁相环.锁相环中鉴相器由传统的吉尔伯特单元电路转变成上下对称的双开关电路,这样增加了鉴相灵敏度和鉴相范围.环路中增加了直流放大器单元,可很...
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99. 基于大质量法的谐响应有限元分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 介绍了基于大质量法的谐响应有限元分析方法.通过大质量法使得在谐响应分析中能够直接施加加速度载荷.通过对FR-4印制板进行模态分析,研究了质量点的质量大小、数目以及施加的位置对结构固有频率的影...
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100. 微波组件产品的激光密封焊接技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 主要介绍了微波组件产品的激光密封焊接技术,从镀层种类、镀层厚度、焊接方式和焊接气氛等进行分析,比较了不同镀层厚度、叠焊焊接方式和对焊焊接方式对激光焊接的影响,试验表明,表面镀镍金层较厚时,将...
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101. 集成电路封装芯片弹坑问题浅探刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 论述了集成电路封装过程中因芯片铝垫出现弹坑造成的危害,分析和总结出了造成芯片弹坑问题的主要原因,通过从工艺、设备、制具、材料、方法等综合考虑,提出了预防芯片表面产生弹坑的方法和对策.根据长期...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果.原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均...
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103. 基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高 度关注.采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理.用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观测到了C-V和(G/ω)-V的频散效应...
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105. Parylene涂覆材料及其应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 介绍了一种热塑性高分子材料派瑞林(Parylene).首先介绍了不同型号材料的分子结构和Parylene的涂覆过程;接着对其特性进行了较全面阐述,该材料具有良好的物理和机械性能,具有低摩擦系...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 利用等离子体浸没式注入(PIII)技术,使用O2,N2,CO和CO2做气体源,对镀镍铜框架表面进行处理.拉力测试实验结果表明,与未经处理的空白框架相比,经过CO和CO2等离子体注入处理的镀镍...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端.采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术...
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108. 提高微波功率双极晶体管性能的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 通过对硅S波段微波功率双极晶体管的结终端技术实验数据对比和晶体管镇流电阻设计的考虑,提高了微波功率双极器件的击穿电压和电流通过能力及抗烧毁能力.微波器件采用这些技术后,器件的工作频率不但没有...
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109. 新型阻变存储器内的电压解决方案刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度.而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻...
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110. 基于电感电容振荡器的电荷泵锁相环的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 设计并实现了一种采用电感电容振荡器的电荷泵锁相环,分析了锁相环中鉴频/鉴相器(PFD)、电荷泵(CP)、环路滤波器(LP)、电感电容压控振荡器(VCO)的电路结构和设计考虑.锁相环芯片采用0...
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111. 一种多频带高线性度CMOS单边带混频器刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一种多频带高线性度的单边带(SSB)混频器.该混频器以经典的电流换向结构为基础,采用电阻负载以满足多频带工作、高线性度和高带内增益平坦度要...
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112. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 通过对三端口都加有微带线的新颖结构功率分配器的研究和理论分析,研制了一款适用于900MHz射频识别(RFID)和2 140MHz基站系统的双频段功率分配器.首先根据改进的WiIkinson功...
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114. 低功耗轨至轨CMOS运算放大器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 设计了一个1.5 V低功耗轨至轨CMOS运算放大器.电路设计中为了使输入共模电压范围达到轨至轨性能,采用了NMOS管和PMOS管并联的互补差动对输入结构,并采用成比例的电流镜技术实现了输入级...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 设计了一种与逻辑工艺兼容的64kb高速高密度嵌入式增益单元动态随机存储器(eDRAM).该存储器单元通过结构和版图的优化,典型尺寸为同代SRAM的40%.高低阈值管的引入分别改善了单元的读取...
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116. Ku波段单片功率放大器设计与制作刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 介绍了一种Ku波段GaAs功率放大器芯片的研制过程.芯片采用电抗匹配电路结构,三级级联放大,末级采用多胞器件进行功率合成,实现了电路的高增益和所要求的功率输出;另外,还对元器件模型技术、Ga...
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117. 超宽带开关矩阵的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 介绍了一种采用p-i-n开关设计的单路选通开关矩阵.通过合理设计p-i-n二极管的直流反偏电压,解决了p-i-n开关矩阵承受功率的设计问题;采用宽带锥形电感和空心电感相结合的电路形式,设计了...
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118. 微波器件噪声参数的测量方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 作为微波低噪声器件研制和应用的一项关键技术,噪声参数的测量工作引起行业的广泛关注.论述了噪声参数测量原理,研究了测量系统校准方法,分析了噪声源的反射系数、噪声温度,阻抗调配器的反射系数、S参...
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119. 表面镀层对封帽质量的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 气密封装工艺技术是混合电路制造的关键技术.在可靠性要求较高的场合,对混合电路产品提出了水汽含量、漏气率和粒子碰撞噪声检测(PIND)合格率的指标要求.封装内部的多余物对电子器件的可靠性带来严...
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120. 电子组件温度循环试验研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年6期页码:摘要： 为了使温度循环试验在有效提高电子组件的可靠性方面得以广泛应用,基于温度循环试验的机理,对电子组件温度循环试验的关键参数(温度范围、循环次数、保持时间、温变速率、风速)进行了探讨,给出了这些参...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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