论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 半导体学报(英文版)期刊 >
半导体学报(英文版)2001年第6期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
分享
投稿
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 提出一个以TMGa、TMAl、TMIn和NH3为源,用MOVPE方法生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型.该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的,其特点是考虑了N...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 系统地研究了快速热退火对带有3nmInxGa1-xAs(x＝0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 通过硅(111)衬底淀积的单层Co或Co/Ti双金属层在不同退火温度的固相反应,在硅上形成制备了多晶和外延CoSi2薄膜.用电流-电压和电容-电压(I-V/C-V)技术在90K到室温的温度范...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 利用光电流谱,结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si1-xGex/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响.由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散,退火后的二极管的截止波长有显著的减小....
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 提出了一个新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距优化.采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式. 讨论...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 描述了DC-20GHz射频MEMS开关的设计和制造工艺.开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构,形成一个单刀单掷(SPST)并联设置的金属-绝缘体-金属接触.开关通过上下电极之间的静电力进行控制,...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验.质子辐照的能量为325keV,辐照的剂量为5×1010-1×1013cm-2.实验结果表明,质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面光学(SO)声子强耦合和电子-体纵光学(LO)声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaA...
-
10. SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 报道了用光谱的手段研究SiC纳米棒(NR)的结果.对于在实验中观察到LO模的大幅度红移及新出现的喇曼峰,认为在类似SiCNR的存在大量缺陷的极性纳米材料中,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 利用SIMS分析技术,研究了在InGaAlP和GaP材料中,MOCVD工艺参数对Mg的掺杂行为的影响.实验结果表明,在较高温度下,Mg在生长表面的再蒸发决定了Mg的掺杂浓度随衬底温度增加呈指...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 提出一种采用微分电导法(R□)分别检测实验样品和陪测样品的R□,同时引入α和αn因子分别评估自掺杂多晶硅生长前Si表面清洗状况(SIS层厚度)和自掺杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 研究了溅射Ti/Al/Ti/Au四层复合金属与AlGaN/GaN的欧姆接触特性,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究.试验证实:溅射的Ti/Al/Ti/Au与载流子浓度为2.24×...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 对微结构而言,空气表面层阻尼计算模型一般用库特模式(Couette-type)和斯托克斯模式(Stocks-type),但是已报道的模型计算所得到Q值最小误差范围只能达到10%-20%.论文...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 用X射线光电子能谱对MOCVD生长的未故意掺杂GaN单晶薄膜进行N、Ga组份测试,同时用RBS/Channeling、Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究.结果表明N含...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 论述了从硅熔体中生长3C-SiC晶体过程中6H-SiC晶型控制的一般原理.采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成厚约...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容的电学特性,其有效电荷密度为4.3×1010c...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 针对目前GAT(GateAssociatedTransistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 随着器件尺寸的迅速减小,直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素.根据比例差值算符理论和弛豫谱技术,针对直接隧穿应力下超薄栅MOS结构提出了一种新的弛豫谱--恒压应力下的直接...
-
20. 深亚微米MOS器件的热载流子效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 对深亚微米器件中热载流子效应(HCE)进行了研究.还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系.在分析热载流子失效机理的基础上,讨论了热载流...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 研究了低能量背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响.用低能量(550eV)氩离子束轰击n-沟MOSFET芯片的背面,能改善其阈值电压VT、跨导gm、沟道电导gd和有效迁移率μeff等参...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对CC4007NMOS器件阈值电压的影响.研究发现,低温(-30℃)辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温(25℃)多,界面态电荷比室温要少;受不同...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 在VCD和DVD中由于使用了全息光学元件,全息光学读出头的元件数量比传统光头的元件数量少.分析了光盘信号探测、聚焦、循迹原理.推出了光栅衍射效率的一般计算公式,并给出了光栅沟槽形状为"方波”...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 在锁相环设计中,前置双模分频器(DMP)是一个速度瓶颈.文中提出一种新的分析方法,将限制DMP速度的因素分为两个方面,寄存器级限制(RLL)和电路级限制(CLL).指出影响DMP速度的原因在...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 采用国产管芯,利用增益开关效应获得了10GHz超短光脉冲.利用自注入的方法,采用最简单的结构,减小了增益开关DFB激光器光脉冲的时间抖动,使10GHz光脉冲的时间抖动小于840fs.研究了光...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 提出了一种适用于数字视频编码器的直接数字频率合成器DDFS(DirectDigitalFrequencySynthesizer)新结构.通过采用相位截断噪声整形技术,使所需要的ROM面积下降...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 对高速调制器驱动电路HEMTIC中器件参数进行了研究,着重讨论了HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5-10Gb/sPHEM...
-
28. 部分耗尽CMOS/SOI工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 对部分耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套部分耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺.其
-
29. 多晶硅发射极超高速集成电路工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 报道了具有先进双极
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
