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半导体学报(英文版)2001年第7期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 在制备多孔硅材料时,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关.如果氢氟酸的浓度保持不变,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度.但现在一般都...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果.氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能,氢气泡的半径是...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 使用半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE,对正向栅控二极管R-G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究.数值分析表明:由于栅控正向二极管界面态R-G电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 提出并成功制作出一种新型的强增益耦合DFB激光器与自对准模式变换器单片集成器件.采用三次外延实现上述器件.采用强增益耦合DFB激光器,获得了高单模成品率和大边模抑制比器件;采用自对准模式变换...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 对悬臂梁微机械光开关的机电特性进行了理论分析.利用机械和电学特性,导出了悬臂梁的弯曲量和所加的电压的解析关系,并给出了阈值电压的计算公式.指出外加电压与梁的宽度无关,与梁的长度的平方成反比....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 采用Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET(垂直双扩散金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管).给出了该器件的电离辐射效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 从理论上计算了厚度为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布,及由应力场分布引起的折射率变化.在W0.95Ni0.05金属薄膜应变...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 采用Galerkin有限元算法,计算了垂直Bridgman生长CdTe过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响.计算结果表明,较小的生长速率...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 采用栅氧化前硅表面在H2SO4/H2O2中形成化学氧化层方法和氮气稀释氧化制备出3.2、4和6nm的SiO2超薄栅介质,并研究了其特性.实验结果表明,恒流应力下3.2和4nm栅介质发生软击穿...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用N离子轰击氮化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 用增强化学腐蚀法研究了低剂量SIMOX-SOI材料表层硅质量与实验参数的关系.结果表明,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响.通过对注入剂量和能量的优化,表层硅线缺陷密度可低于104cm-2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 采用UHV/CVD系统,在Si衬底上生长了具有渐变Si1-xGex缓冲层结构的弛豫Si0.76Ge0.24虚衬底和5个周期的Si0.76Ge0.24/Si多量子阱.在渐变Si1-xGex缓冲...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性.实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响.发现当延迟时间超过2s时,迟滞现象基...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 在分析SiC中杂质部分离化时,考虑了Frenkel-Pool效应,通过求解SiC MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程,提出了一个新的SiC MOSFET反型层薄层电荷(charg...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 给出了一种利用FN振荡电流的极值,测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 针对CMOS RF平面螺旋电感的物理模型,提出了一种使用遗传算法优化电感设计参数的优化技术.应用这种技术,人们无需再通过等Q值线来求取Q值最佳的电感设计方案,因为等Q值线的计算代价很高,而且...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 采用高频C-V曲线方法,研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程.二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×103Gy(Si)剂量下近乎相同,而在大于3×103Gy...
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19. 深亚微米FD-SOI器件亚阈模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 通过对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解亚阈区的二维泊松方程,得到全耗尽器件的表面势公式;通过引入新的参数,对公式进行修正,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型,能够很好...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型.在该模型基础上,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对二维表面场分布的影响.解析预言的场分布与击穿电压的计算结果与先前的数值...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 详细分析了基于自镜像效应的MMI DMUX器件的基本工作原理,在此基础上,在SOI材料上完成了对8信道MMI DMUX的具体设计.该器件的输入、输出单模波导采用Soref的大截面脊形光波导理...
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22. 智能剥离SOI高温压力传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 采用改进的RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离SOI(Silicon On Insulator)材料,并用该材料成功地研制了双岛-梁-膜结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 在通常适合于制作埋沟SiGe NMOSFET的Si/弛豫SiGe/应变Si/弛豫SiGe缓冲层/渐变Ge组分层的结构上,制作成功了SiGe PMOSFET.这种SiGe PMOSFET将更容...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 在通常的MOSFET基础上,根据电荷流动电容器原理,设计了一种新型的栅区开槽的电荷流动场效应管(CFT),并以一种新型有机半导体材料--三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物(Pr[Pc(OC8...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 以制冷系数和制冷率为目标函数,探讨耦合半导体制冷系统的性能特性,导出最大的制冷系数和制冷率,优化半导体制冷器的内部结构,确定工作电流的最佳范围.所得结果可为耦合半导体制冷系统的优化设计和最佳...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 设计了2.5Gb/s光纤通信用耗尽型GaAs MESFET定时判决电路.通过SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2.5GHz,判决电路传输速率达2.5Gb/s.实验证明经时钟信号抽样后判决电路...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 对全耗尽SOI(FD SOI)CMOS器件和电路进行了研究,硅膜厚度为70nm.器件采用双多晶硅栅结构,即NMOS器件采用P+多晶硅栅,PMOS器件采用N+多晶硅栅,在轻沟道掺杂条件下,得到...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 综合使用通用电路模拟软件PSPICE和有限元分析软件ANSYS对一种硅基微麦克风进行了系统模拟.得到了各项参数的优化值,优化后的微麦克风在音频范围内具有平直的响应.在此基础上,提出了一种To...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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