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半导体学报(英文版)2004年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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211. Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 通过PL谱和Raman谱对MOCVD生长Si基AlN的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1,Et2,Et3,分别在Ev上2.61,3.10,2.11eV.Et1是由氧杂质和氮空位(或A...
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212. 掺杂对硅薄膜窗口材料生长的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 研究了掺杂剂对p型微晶硅窗口材料生长的影响.实验发现,与B(CH3)3不同,B2H6作为微晶硅掺杂剂时,掺硼量对材料的晶化率和生长速率有重要影响.在线等离子体发射光谱分析表明:B2H6的掺入...
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213. 空间高效硅太阳电池减反射膜设计与数值分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 结合AM0太阳光谱特性对空间硅太阳电池的减反射膜进行了设计分析,得到了最小反射时的最佳膜厚.分别讨论了单、双、三层减反射膜厚度变化对反射率的影响,并对有钝化层的SiO2(94nm)/TiO2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 研究了AlGaAs层掺1%的In对AlGaAs/GaAs量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.25K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善AlGaAs/GaAs异质界面的粗糙度.将此方法...
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216. 4H-SiC功率MESFET的击穿特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 研究了4H-SiC MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性.建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用.综合考虑了栅极偏置、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 讨论了采用埋栅结构实现GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti)/InAlAs Scho...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带...
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219. 基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型.该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度.此外,该宏模型...
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220. 基于MEMS技术的一种新型可变形反射镜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 给出基于硅微加工技术的一种新型可变形反射镜的设计和加工方法,并且通过工艺流片制造出有效反射面积为30mm×30mm,拥有49个静电驱动单元的可变形反射镜.测试得到的镜面变形-电压数据显示其与...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 分析了6H-SiC肖特基源漏MOSFET的电流输运机制,并建立了数值-解析模型.模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响,能准确反映器件的特性.模拟结果显示,源极肖特基的势垒高度是影响器件特...
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222. 基于双基区晶体管结构的光控振荡器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 采用DUBAT(双基区晶体管)和光电二极管构成新型无电感光控振荡器,并对其等效电路进行了模拟,分析了工作原理.实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比,可实现光的模数转化.由于DUBAT结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 提出了一种自顶向下的基于晶体管级的全定制IP漏电流功耗计算方法,该方法计算快速高效,实用性强,取代了以往完全依靠软件仿真进行功耗计算的技术.在设计龙芯Ⅱ号CPU中的全定制IP时应用了此方法,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 提出一种基于运算跨导放大器共享技术的流水线操作A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗和面积.采用这种结构设计了一个10位20MS/s转换速率的全差分流水线操作A/D转换器,并...
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225. 硅衬底上共面线的特性及应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则.成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中,...
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226. 低功耗自适应跨导-电容带通滤波器电路实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 采用单层多晶硅3.3V,0.35μm CMOS数字工艺,实现了用于蓝牙系统的自适应带通滤波器,其中心频率为2MHz,带宽为1.2MHz,功耗为12mW.并对滤波器PLL自适应电路中压控振荡器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 利用新研制出的垂直式低压CVD(LPCVD)SiC生长系统,获得了高质量的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底材料.系统研究了3C-SiC的n型和p型原位掺杂技术,获得了生长速率和表面...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 利用退火热氧化射频磁控溅射金属锌膜的方法在Si(111)衬底上制备了一维ZnO纳米棒,同时用多种测试手段对样品的晶体结构、表面形貌和光学性能进行了研究.XRD,SEM和TEM的测试结果表明,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 提出了一种适用于短沟道LDD MOSFET的改进型参数提取方法,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法,提取偏压相关参数,保证了线性回归方法的精度和有效性,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在利用分子束外延方法制备SiGe pMOSFET中引入了低温Si技术.通过在Si缓冲层和SiGe层之间加入低温Si层,提高了SiGe层的弛豫度.当Ge主分为20%时,利用低温Si技术生长的弛...
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232. 超薄体MOSFET的结构优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 对UTB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在UTB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(GexSi1-x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 研制了一种新型的800nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜,其吸收区是低温方法和表面态方法相结合.用该吸收体实现了氩离子激光器泵浦的掺钛蓝宝石激光器被动锁模,脉冲宽度达到40fs,光谱带宽为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在125mm标准CMOS工艺线上,对标准CMOS工艺经过一些必要的改动后,研制出了多叉指功率SiGe HBT.该器件的BVCBO为23V.在较大IC范围内,电流增益均非常稳定.在直流工作点I...
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235. 逆导型GCT关键参数的设计考虑刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 提出了逆导型门极换流晶闸管(RC-GCT)中几个关键参数,如n-基区和透明阳极的厚度和浓度及隔离区的宽度等参数的设计方法.根据该设计方法建立了RC-GCT的结构模型,利用MEDICI模拟器对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 提出了采用双电场对硅/玻璃进行阳极键合的方法.采用这种方法,能够有效地避免和减少键合过程中的静电力对MEMS器件的可动敏感部件的损伤和破坏,同时实验结果也验证了该方法.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 通过室温和350℃注Mn后热退火,在GaAs/AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒.利用原子力显微镜、能量散射X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 报道了利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c平面上外延生长的MgxZn1-xO单晶薄膜以及MgZnO/ZnO异质结构的光学性质.室温下随着Mg浓度增加,合金薄膜样品的发光峰与吸收边均向高能...
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239. 掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法携带N2或NH3制备掺氮的类金刚石(DLC∶N)薄膜,对不同掺杂方法得到DLC∶N薄膜进行电化学C-V测量.I-V和C-V曲线表明,不论...
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240. 单晶硅衬底材料中的消光衍射刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在经典衍射理论中,Si(200),Si(222)等4n+2面的反射是消光的,但在单晶硅或硅基材料中,常发现Si(200),Si(222)的衍射.考虑非谐效应和电子云反对称分布的贡献,分别计算...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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