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半导体学报(英文版)2004年第12期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 为了获得高质量4H-SiC外延材料,研制出一套水平式低压热壁CVD(LP-HWCVD)生长系统,在偏晶向的4H-SiC Si(0001)晶面衬底上,利用"台阶控制生长"技术进行了4H-SiC...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET.用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区,然后在1600℃进行激活退火.离子注入所得到的埋沟区深度大约为0.2μm.从转移特性提取出来...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 报道了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的制备与特性.该器件包括栅长为0.8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件.实验表明,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性,从而控制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 提出一种图形化SOI LDMOSFET结构,埋氧层在器件沟道下方是断开的,只存在于源区和漏区.数值模拟结果表明,相对于无体连接的SOI器件,此结构的关态和开态击穿电压可分别提高57%和70%...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 运用第一性原理下的LMTO-ASA方法研究稀磁半导体(Ga1-xFe x )As( x ＝1,1/2,1/4和1/8)的电子结构、磁性及其稳定性.计算了Fe掺杂浓度的变化对(Ga1-xFe ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 采用InGaP/GaAs HBTs设计并实现了传输速率为10Gbps的跨阻放大器.在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益,在第一级采用了cascade结构,第二级采用了cherr...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体--低温InGaAs (LT-In0.25 Ga0.75 As).用这种吸收体兼做输出镜,实现了1.06μm半导体端面泵浦Nd∶YAG激光器被动锁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 提出了一种新的建立集约模型的方法,即栅电容修正法.此方法考虑了新型效应对栅电压的依赖关系,且可以对各种效应相对独立地建模并分别嵌入模型中.另外,利用该方法和密度梯度模型建立了一个多晶区内量子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 提出了一种基于北京大学硅玻璃键合深刻蚀释放工艺的扩展工艺,用来加工微型隧道加速度计.采用HP4145B半导体分析仪在大气环境下对所加工的器件进行了开环测试,验证了隧道电流的存在以及隧道间隙与...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 开发了一个新颖的考虑布局因素的用于射频CMOS多相位滤波器的优化和合成工具--PPFOPTIMA.在优化引擎中使用了遗传算法用来避免局部的优化解.实验结果证明PPFOPTIMA是射频CMOS...
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11. 硅烷浓度对本征微晶硅材料的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积微晶硅材料.随硅烷浓度的降低,材料晶化率增加,材料的光学带隙在1.5～1.65eV之间,材料的电导率先增加后减小.采用光发射谱测量技术对辉光进行在线...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 以H2O作氧源,Zn(C2H5)2作Zn源,N2作载气,在50mm Al2O3(0001)衬底上采用常压MOCVD技术生长出高质量的ZnO单晶薄膜.用X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 在GaAs基In x Ga1-xAs( x =0.15)应变层上生长了InAs 量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底. Ra...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 使用SiC作为过渡层,采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题,在Si基片上外延出高质量的ZnO薄膜.测量了样品的XRD和摇摆曲线,以...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺As n+型Si衬底上生长了掺P n-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 报道了在4H-SiC衬底上AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制和室温特性测试结果.器件采用栅长为0.7μm,夹断电压为-3.2V,获得了最高跨导为202mS/mm,最大漏...
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19. 双极晶体管的低剂量率电离辐射效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 通过对 npn 管和 pnp 管进行不同剂量率的电离辐射实验,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应.结果表明,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 采用Monte Carlo方法对不同光学封装结构的LED进行模拟,建立了小功率LED的仿真模型,应用空间二次曲面方程描述LED的封装结构,对其光强分布进行模拟和统计.通过测量实际样品,并与模...
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21. 高可靠性P-LDMOS研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响,提出了两条沟道设计的原则--拉长沟道同时降低沟道浓度.模拟结果显示,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场,从而缓解沟道热载流子效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型,对阶梯数 n 从0到∞时的器件击穿特性进行了研究.结果表明,该结构突破常规SOI...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 采用1.2μm BiCMOS工艺设制了多相控制器电路.测试结果表明,该控制器符合Intel公司为P4处理器电源制定的VRM9.0标准.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 提出了一种新的求解偏微分方程(PDE)的全方向快速小波配置法(FWCM).通过用 x 方向的B-样条小波基函数同时表示 x方向与t方向的未知函数导数,实现了全方向的离散小波变换.与原先只对x...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 重新定义了钟控信号的表示方法,发展了适用于绝热电路的开关级设计理论.设计了实现全部钟控信号的基本单元电路,这些电路包括单轨和双轨结构,并给出了它们的多种级联方式.所提出电路的功耗与其他绝热电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 以等效氧化层厚度(EOT)同为2.1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质为例,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法,并在此基础上比较了纯SiO2栅介质和Si3N...
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27. 纳米级精细线条图形的微细加工刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的ICP刻蚀技术进行了研究,形成一套以负性化学放大胶SAL-601为电子抗蚀剂的电子束光刻及ICP刻蚀的优化工艺参数,并利用这些优化参数结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 以高浓度纳米SiO2水溶胶为磨料,H2O2为氧化剂的碱性抛光液,研究了适用于终抛铜/钽的CMP抛光液.通过调节pH值,降低抛光液的氧化,增强有机碱的作用,来降低铜的去除速率并提高钽的去除速率...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 提出了一种GaN薄膜电学参量测试新方法.该方法基于双肖特基结二极管结构,利用非对称的电极图形获取整流特性,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 报道了用半绝缘GaAs材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射THz电磁波的实验结果.GaAs光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为3mm,采用Si3N4薄膜绝缘保护,在540V直流...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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