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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/Al...
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452. CMOS宽带可变增益放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 设计了一种CMOS宽带、低功耗可变增益放大器.在分析使用源极退化电阻的共源放大器高频特性基础上,通过加入频率补偿电容改变放大器的零极点分布,在不增加功耗的情况下扩展了带宽.分析了放大器在低增...
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453. CMOS器件光学特性的测量刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 介绍了一种测量CMOS像感器调制传递函数(modulation transfer function,MTF)的方法,分别构造了可用于MTF和光谱量子效率测量的实验系统.并利用上述实验系统对1...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightly-doped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDD nMOSFET的GIDL(ga...
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455. 负阻异质结晶体管的模拟与实验刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流Ic与VCE的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 对AlxGa1-xAs/GaAs半导体单异质结系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,同时计入电子对异质结势垒的隧穿,利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下,异...
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457. 低电场应力下闪速存储器的退化特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠...
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458. 混沌随机数发生器的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 为了使由模拟电路实现的混沌随机数发生器可以在标准数字CMOS工艺上实现,设计了一类基于MOS电容的混沌随机数发生器,可以作为一个通用IP,用于SOC的设计.当电路工作时,用于电容设计的MOS...
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459. 接触效应对小型半导体温差发电器性能的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 针对小型半导体温差(TEG)发电器中接触热阻和接触电阻的影响进行了分析研究.结果表明,接触热阻和接触电阻只在2mm以内的电偶臂长度内有明显影响;在电偶臂长度小于1mm时,输出功率和热电效率均...
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460. 串联电容式RF-MEMS开关的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 研制了一种高电容率的电容式RF-MEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在down-state时,上电极能与介质膜紧密接触,而在up...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用0.2μm GaAs PHEMT工艺设计并实现了超高速光纤通信系统用激光二极管/调制器集成驱动器电路.整个电路由带源极跟随器的两级差分放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成.电路芯片...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺...
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464. SOI光波导和集成波导光开关矩阵刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 报道了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI(multimode inte...
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465. 真空退火Fe/Pt多层膜的结构和磁性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用直流磁控溅射方法制备了Fe/Pt多层膜和FePt单层薄膜,并在不同温度下真空热处理得到了有序相L10-FePt薄膜.研究表明,Fe/Pt多层膜化可以降低FePt薄膜有序相的转变温度.[F...
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466. SOI波导弯曲损耗影响因素的分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用有效折射率方法EIM(effectiveindex method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和...
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469. 微腔调制常温Ge量子点光致发光特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定...
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470. 980nm垂直腔面发射激光器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用低压金属有机化合物气相外延生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化工艺实现光、电限制,制备出具有一定性能的980nm内腔接触式氧化物限制型顶发射980nm垂直腔面发射激光器(V...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 理论分析和设计了一种用于850和1550nm两个光通信窗口的、集波长信号分离和光开关功能于一体的智能集成分波光开关,并将弧形结构全内反射面用于该集成结构中.基于Si基半导体SiGe合金材料的...
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472. SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 控制单脉冲能量为350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi2Ti2O7薄膜材料.结果发现,SiO2基底温度控制在500～600℃,均能获得纯的Bi2Ti2...
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474. GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 介绍了可调谐激光器的意义和它的基本调谐方法及调谐原理.对影响微机械可调谐垂直腔面发射激光器调谐范围的因素做了重点分析,计算了空气隙的最大变化范围和由此引起的激射波长的调谐范围.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取...
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478. MOCVD法制备MgZnO合金薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600.～630℃温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一...
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480. 近红外波段二维环形光子晶体刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 提出了带隙在近红外波段的环形光子晶体,主要有一系列环形的孔在背景材料为GaAs上构成.发现带隙不依赖于入射方向,很少的几排即可在透过谱上产生带隙.六角形构成的环形光子晶体的S波和P波的透过谱...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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