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半导体学报(英文版)2005年第11期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37mA;100mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 提出了一种新的测试数据压缩/解压缩的算法,称为混合游程编码,它充分考虑了测试数据的压缩率、相应硬件解码电路的开销以及总的测试时间.该算法是基于变长-变长的编码方式,即把不同游程长度的字串映射...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 用MOCVD技术在偏(1100)GaAs衬底上生长了发光波长在1.3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(100)GaAs衬底上生长的InAs量...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 提出了一种数字锁相环(DPLL),它的相频检测器采用全新的设计方法和自校准技术,具有工作频率范围宽,抖动低,快速锁定的优点.锁相环在1.8V外加电源电压时,工作在60～600MHz的频率范围...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 利用分子束外延技术,在高温下(540℃)生长了具有三维空间有序的自组织InGaAs/GaAs量子点超晶格结构,利用傅里叶变换红外光谱仪测量到了明显的垂直人射吸收峰,中心响应波长在11μm.作...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 假设超晶格的"锯齿形"沟道对粒子的作用可等效为形状相似的周期调制,引入正弦平方势,并在小振幅近似下,把粒子运动方程化为具有硬弹簧特性的Duffing方程.利用多尺度方法分析了共振线附近的粒子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 利用傅里叶红外光谱仪测量液相外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜,发现未经腐蚀的原生薄膜材料红外透射光谱经本征吸收后有吸收边倾斜并伴有透射比值偏低的现象.对红外透射光谱的影响因素进行了分析,用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 通过单步长时间退火(650～1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h+1000℃/16h和800℃/4～128h+1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变[1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收...
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10. 多晶硅薄膜的高温压阻效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 利用LPCVD制备重掺杂多晶硅薄膜,在0～560℃温度范围内对薄膜的压阻效应进行研究,同时对多晶硅薄膜应变系数随温度的变化,以及薄膜的淀积温度与薄膜厚度对应变系数的影响进行了相关的实验研究....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 提出了从原子力显微镜(AFM)照片中分割出量子点的算法,可以利用程序自动地统计照片中量子点的各种数据.该算法基于数学形态学的方法,包括三个步骤:首先根据照片中每个局部最高点的dynamics...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 采用渠道火花烧蚀技术在普通玻璃基板上制备了掺钼氧化铟In2O3:Mo透明导电薄膜,研究了烧蚀时氧气压强对薄膜光电性能的影响.在基板温度Ts=350℃时,薄膜的电阻率和载流子浓度随氧气压强增大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 采用UHV/CVD技术,以多层SiGe/Si结构作为缓冲层来生长应变弛豫SiGe虚衬底,并在此基础上生长出了具有张应力的Si层.利用高分辨X射线、二次离子质谱仪和原子力显微镜分别对薄膜的晶体...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 研究了GaN HFET中沟道热电子隧穿到表面态及表面态电子跃迁到表面导带两种跃迁过程及其激活能.从沟道热电子隧穿过程出发,提出了新的电流崩塌微观模型.用该微观模型解释了光离化谱、DLTS、瞬...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 提出了一种具有p型埋层的PSOI器件耐压新结构,称为埋层PSOI(BPSOI).其耐压机理是,通过p型埋层电荷产生的附加电场调制作用,导致表面电场分布中产生新的峰而使击穿电压提高;p型埋层的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压解析模型.通过分区求解二维Poisson方程,获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式.借助此模型研究击穿电压与器件结构参...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,对多晶硅中的量子效应进行建摸,得出了一个基于物理的解析模型,该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型.利用该模型对阈值...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 研究了深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injeotion)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 建立了较完整的适用于EIS(electrolyte insulator semiconductor)型生化传感器的EI界面势理论模型,在此基础上开发了EI界面的计算机辅助分析程序,对EI界面...
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21. 一种新型的CMOS温度传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 提出了一种采用标准CMOS工艺制造的全CMOS电路结构温度传感器的理论及其电路设计.采用CSMC0.6μm的数模混合工艺仿真,结果表明该传感器在-40～125℃的温度范围内,温度灵敏度为-1...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔...
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23. Si基热光可调谐窄带平顶滤波器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应,研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器.器件的平顶宽度为2nm,3dB带宽为4.4nm,自由谱宽约为8.5nm,在外加电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 对硅基M行N列微环谐振滤波器的传输特性进行了理论分析,给出了M×N微环阵列谐振滤波器光强传递函数的通用公式.在1.55μm谐振波长下对其传输特性进行了数值模拟,计算结果表明,行数M取为奇数且...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 在1.8V,0.18μm CMOS工艺下,实现了10位,50MS/s流水线操作A/D转换器的设计和测试.通过优化采样电容和运算跨导放大器(OTA)电流,并采用动态比较器,从而降低功耗;采用复...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 根据多模干涉耦合器的自映像原理,分析了位置数为2的多模干涉耦合器相位关系.相位关系与输入场位置有关,得出位置数为2的多模干涉耦合器相位关系表达式.用导模传输分析法验证了相位表达式的正确性,为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 介绍了一种可直接应用于模数转换器的低功耗、高性能差分参考电压源.它采用新型结构的带隙基准源产生高精度温度补偿的参考电流,参考电流通过跨导缓冲器直接转换成所需的差分参考电压.该差分电压精度高、...
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28. 光探测器TO封装的高频分析与改进刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 推导了封装前后探测器的散射参数的关系,提出了探测器封装网络高频影响的两种分析方法.一种方法是直接比较封装前后探测器的频响,另一种则是从待封装探测器的反射系数和封装网络散射参数计算获得.以TO...
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29. 抛光液中缓蚀剂对铜硅片的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 以硝酸铁为氧化剂选用不同缓蚀剂对铜化学机械抛光用抛光液的缓蚀效果进行了研究.通过测试不同缓蚀剂作用下铜的电化学极化曲线,来获得的腐蚀电流值和计算不同缓蚀剂的缓蚀效率.采用表面粗糙度为1.42...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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