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半导体学报(英文版)2006年第1期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 研究和制作了一种新型Au/n-ZnO/p-Si结构的肖特基发射极、异质结集电极紫外增强双极型光电三极管.分析了器件原理,测试了I-V特性、C-V特性以及器件的光谱响应,从200到400nm的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的SiGe HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2.5V时,FT和fmax分别为1.8和10.1...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 实现了一种能运用于光传输系统SONET OC-192的低功耗单级分接器,其工作速率高达12Gb/s.该电路采用了特征栅长为0.25μm的TSMC混和信号CMOS工艺.所有的电路都采用了源极耦...
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5. 提取带权关键面积的新算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 导体故障分析是一种列举与缺陷有关的集成电路版图中可能出现桥连的技术,计算带权关键面积是限制其性能的主要因素.文中提出了一种基于数学形态学和真实缺陷矩形模型提取带权关键面积的新算法,该算法不需...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 用正丁胺作碳源,采用射频辉光等离子系统制备类金刚石碳膜(DLC),沉积在聚合物发光器件中的发光层(MEH-PPV)和铝(Al)阴极间作电子注入层.制备了结构为ITO/MEH-PPV/DLC/...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱是通过剂量为3×1013cm-2,能量为250keV的磷...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 提出了一种适用于分数分频锁相环频率综合器的全数字噪声整型△∑调制器电路结构新的设计方法,并将其最终实现.采用了流水线技术和新的CST算法优化多位输入加法器结构,从而降低了整体的复杂度和功耗....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 给出了一个采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计并实现的12路30Gb/s并行光接收前端放大器.电路设计采用RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 基于"有效电容"的概念提出了一种分析两相邻耦合RC互连延时的方法.与采用Miller电容的传统方法比较,该方法不但提高了计算精度而且反映出了延时随信号上升时间的变化规律.该方法与Elmore...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 利用MBE设备制备GaAs/AlGaAs超晶格材料,在低温(T=77K)下测量样品的光电流谱,从电子波动的观点出发,通过考虑电子波在超晶格阱层/势垒层的反射和干涉,讨论了超晶格的电子态.提出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+100...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 研究了退火温度对分子束外延(MBE)方法生长的Si基β-FeSi2颗粒的发光性质和电学特性的影响.结果表明,在900℃下退火的样品,虽然β-FeSi2的结晶质量有所提高,但是由于晶格失配和热...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明:生长温度为400～450℃时获得了p型...
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17. ZnO单晶薄膜光电响应特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体...
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18. 激光二极管正向电特性的精确检测刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用正向交流特性结合I-V特性的方法,检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系.首次发现,激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容在阈值附近同时出现了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 基于禁带变窄量在导带和价带之间的分布比例与掺杂浓度相关的Jain-Roulston模型,研究了重掺杂能带结构的变化对突变异质结HBT电流影响.研究表明:禁带变窄量在导、价带间分布模型选用的不...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法:在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Co γ射线进行了浮栅...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 针对电力电子领域的需要,自行研制了一种新型三相正弦脉宽调制信号产生芯片.该芯片采用了改进的直接数字频率合成算法、流水线结构与ROM分时复用技术,保证了芯片的高性能和速度,节省了芯片面积.芯片...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 设计了一种新的用于离线式集成开关电源启动电路的自偏置高压器件结构.对一个RESURF高压(功率)器件的此种自偏置方法进行了原理分析和仿真模拟.采用该结构集成开关电源的启动电路可以节省芯片面积...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 在进行理论分析证实可行性和模拟仿真优化参数后,利用非硅表面微加工方法中的牺牲层工艺制备了一种扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构.该双稳态结构尺寸为1.9mm×1.6mm×0.03m...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 选用Au和LPCVD的低应力SiNx薄膜材料,采用MEMS技术研制了新型间隔镀金热隔离结构的薄膜镂空式非制冷红外成像焦平面阵列,并应用光学读出的方法成功地在室温(27.47℃)背景下获得了人...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 芯片粘接工艺引起的器件-封装热失配会对MEMS器件的可靠性和性能产生显著影响.常用FEM模拟在分析此类问题时比较费时且缺乏明确的理论意义.文中基于单元库法思路提出了该类问题的理论建模方法,并...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 针对微机电系统中电热微执行器和位移放大机构都具有柔性的事实,从理论上分析了作为负载系统的柔性位移放大机构对微执行器输出位移的影响,并用有限元方法对二者的工作性能进行了仿真.结果表明,电热微执...
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28. 基于硅氧化层的嵌入式传输线制造刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 在有损耗的硅衬底上试制了传输线(微带以及共面波导),并嵌入在CMOS Cu/SiO2互连层中.对传输线的几何尺寸与其特征阻抗、损耗以及衰减因子进行了研究.结果表明嵌入在硅氧化层中的微带和共面...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 以往的牺牲层腐蚀模型把扩散系数看作是常数,然而,实验结果和以往模型的计算结果在腐蚀开始一段较短的时间内吻合较好,但随着腐蚀时间的变长两者的差异越来越明显.为了解释这一现象并使模型能够较好地预...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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