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半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 使用金属有机物气相沉积方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量,...
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513. 垂直电极结构GaN基发光二极管的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响G...
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514. 高可靠性16×16 SOI热光开关阵列刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 在分析加热器对热光开关阵列可靠性影响的基础上,提出了一种新的热光开关阵列控制和驱动电路.分析表明,在假设加热器失效率为5%的情况下,新控制和驱动电路可以使16×16 SOI热光开关阵列的可靠...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 用纯的单分散氧化硅胶体微球作为基质,在水-空气界面构筑无载体三维有序胶质晶体膜.该高度有序三维周期性结构具有明显的光学衍射现象.利用电沉积的方法将纳米金渗透到这种人工蛋白石的空隙中,构成go...
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516. 纳米非晶硅薄膜的界面发光特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了...
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517. 水热法制备氧化锌纳米棒刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 以Zn(NO3)2·6H2O,Zn,CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)和N2 H4·H2O等为原料,采用水热法和改进的水热法,在180℃制备了氧化锌(ZnO)纳米棒束及纳米棒阵列薄膜.用XRD...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGa...
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519. PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 合成了邻香草醛缩环己二胺类希夫碱(1)及其锌配合物(2),通过红外和元素分析测试手段来确定它们的结构.配合物(2)的紫外-可见吸收光谱和光致发光光谱表明,在紫外激发下,有效的能量从配体转移到...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/8...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,在空气中对生长的薄膜进行900℃退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性采用X射线衍射(XRD)...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1....
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526. MOCVD方法制备高Al组分AlGaN刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了高Al组分的AlGaN薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用双能态Cr+注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD,SQU...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁...
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530. 基于序进应力加速实验评价失效率的新方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 基于序进应力加速寿命实验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.该方法将序进应力加速实验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,快速确定微电子器件的寿命...
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531. 硅基3C-SiC的热氧化机理刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合A...
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532. ULSI硅衬底化学机械研磨技术研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 通过对传统硅片研磨加工工艺过程中的问题进行深入研究和分析,总结了影响硅片表面质量的主要影响因素,提出了将化学机械平整化技术应用到ULSI硅衬底研磨加工的新方法,在研磨加工过程中减少强烈的、单...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 在W通孔的多层金属化系统中,金属离子的蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大,文中设计制作了12种不同的蓄水池结构,并进行了电迁移实验.着重考察蓄水池面积、通孔位置、通孔数目对互连线电迁移寿命的...
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534. SiC外延工艺中的气体流体模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以...
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535. AlGaInP/Si的键合研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面未见不良影响,截面的显微照片表明键合质量良好.反射谱测试表...
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536. 4H-SiC MESFET器件工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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