氮化镓外延用硅衬底问题研究

• 作者: 佟丽英 杨召杰 王云彪 陶术鹤
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 硅衬底 滑移线 机械强度
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 4-7
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2018.01.002

摘要

随着硅基氮化镓外延技术的不断突破,其专用的硅衬底材料的国产化问题日益凸显.分析了国产片外延后边缘滑移线密集和裂片问题,提出了硅片边缘控制和机械强度控制参数和技术指标,为满足功率器件级氮化镓外延需求的高质量硅衬底研制指明了一定的方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	佟丽英	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	22	3.0	3.0
2	陶术鹤	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	6	2.0	2.0
3	王云彪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	49	4.0	5.0
4	杨召杰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	3	1.0	1.0