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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 模拟电路的振荡测试技术
    作者： 杨士元 王红 胡庚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  845-849
    摘要： 集成电路设计和制造技术的发展给电路测试带来了巨大的挑战,其中模拟电路的测试是电路测试的难点.目前在这一领域有许多致力于降低测试难度,节约测试成本的研究.介绍了一种称为"振荡测试"的模拟电路测...
  • 2. X波段AlGaN/GaN HEMTs厂栅场板结构研究
    作者： 刘丹 刘新宇 刘果果 李诚瞻 王冬冬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  850-854,922
    摘要： 基于SiC衬底成功研制X波段0.25um栅长带有г栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了г栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响.结果表明,г栅场板结...
  • 3. 探测器中扩散结深对光响应度影响的研究
    作者： 冯士维 孟海杰 庄四祥 王承栋 白云霞 苏蓉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  855-858
    摘要： 研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的Ⅰ-Ⅴ特性和光响应度.结果表明:扩散结深对器件的Ⅰ-Ⅴ特...
  • 4. SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究
    作者： 崔晓英 恩云飞 柏松 陈刚 黄云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  859-861,916
    摘要： SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料.研究了一种国产Sic MESFET 器件300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电...
  • 5. Si材刻蚀速率的工艺研究
    作者： 刘卫国 刘欢 周顺 蔡长龙 马睿
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  862-865
    摘要： 在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中,Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题,它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能.介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法,通过大量工艺实...
  • 6. 90 nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案
    作者： 程秀兰 阎海滨
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  866-868
    摘要： 在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义.基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要原因是由...
  • 7. 掩模版雾状缺陷的解决方案
    作者： 陈尧 黄其煜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  869-871
    摘要： 在光刻波长进入到193 nm之后,雾状缺陷(haze defect)越发严重,研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因.目前晶圆厂主要采用改善掩模版工作环境和存储环境两种方式解决雾状缺陷,通过对...
  • 8. 工艺条件对PZT薄膜界面层电容的影响
    作者： 汤庭鳌 费瑾文
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  872-875
    摘要： 采用了一种新的界面层电容计算方法来提取PZT薄膜与电极之间的界面层电容,使用这种方法对不同工艺条件下制备的PZT薄膜界面层电容进行了比较.通过实验发现,不同的Pt溅射温度和PZT薄膜的退火温...
  • 9. 大尺寸Si片自旋转磨削表面的损伤分布研究
    作者： 康仁科 张银霞 郜伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  876-879,926
    摘要： 为了更好地评价大直径Si片磨削加工损伤深度的大小和分布,提高下道抛光工序的效率,采用角度抛光法和方差分析法研究了Si片表面的损伤分布.结果表明,采用自旋转磨削方式磨削的Si片表面的损伤分布不...
  • 10. 玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究
    作者： 吴爱民 姜辛 宋世巍 徐茵 李瑞 王文彦 秦福文 顾彪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  880-884
    摘要： 采用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原...
  • 11. Ce0.8Gd0.2O1.9-δ氧离子固体电解质的制备
    作者： 杨建平 陈杨 陈爱莲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  885-887
    摘要： 掺杂CeO2基复合氧化物是一种很有应用前景的中温固体电解质材料.以Ce(NO3)3·6H2O、Gd(NO3)3·6H2O为原料,NH4HCO3为沉淀剂,采用雾化共沉淀工艺合成了Ce0.8Gd...
  • 12. 超声波辅助湿法腐蚀制备多晶Si低反射表面
    作者： 周浪 王艺帆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  888-891
    摘要： 为降低光在多晶Si表面的反射,一种以湿法腐蚀为基础,添加超声波震荡的新方法,首次被用来腐蚀多晶Si太阳能电池片.利用扫描电子显微镜观察发现,此法所制备的多晶Si片表面形成了较多窄而深的沟壑状...
  • 13. 长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算
    作者： 李新政 郑滨
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  892-894
    摘要： 采用复合体模型,探讨了长余辉晶体Y2O2S:Eu中碱土金属离子M2+和Ti4+离子对Y3+离子的取代,离子间价电子数的差异,会造成掺杂中心的净电荷效应,当掺杂中心的净电荷为正时,掺杂中心起电...
  • 14. 半导体量子点的发光性质研究
    作者： 官众 张道礼
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  895-898
    摘要： 用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因.结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均...
  • 15. 电磁脉冲对GaAs LNA损伤及其分析
    作者： 李用兵 王海龙
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  899-901
    摘要： 介绍了电磁脉冲对GaAs低噪声放大器(LNA)损伤机理和损伤模式.利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤,通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法,针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损...
  • 16. 功率发光二极管的寿命预测
    作者： 蔡伟智
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  902-904
    摘要： 针对功率发光二极管(LED)的使用寿命问题,提出了利用阿仑尼斯模型预测功率发光二极管器件寿命的方法,以器件输出光功率P下降到初始值P0的50%为失效判据,通过对功率蓝光GaN LED芯片两个...
  • 17. 扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析
    作者： 张志勤 张秀丽 李胜华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  905-908
    摘要： 扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度.实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题,从三个方面分析了产生的原因,其中两方面存在于样品制备过程:样...
  • 18. 基于嵌入式技术的Ethernet over E1网桥系统设计
    作者： 刘华珠 贺前华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  909-912
    摘要： 基于Ethemet over E1的原理,结合通用嵌入式芯片的功能特点,辅以现场可编程器件,介绍了Ethemet over E1网桥系统中核心部分的设计,包括网桥的系统统构、HDLC接口模块...
  • 19. 基于CPLD的Si基液晶芯片显示驱动
    作者： 杜寰 王文博 王晓慧 韩郑生 黄苒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  913-916
    摘要： 以复杂可编程逻辑器件(CPLD))作为QVGA微显示视频核心控制单元,搭建LCOS微显示芯片驱动系统.通过对CPLD编程产生与微显示芯片相匹配的控制信号与显示数据信号,实现对显示芯片的驱动控...
  • 20. 125 kHz RFID反馈系统稳定性的研究
    作者： 应建华 杨彪 田曲平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  917-922
    摘要： 设计了一种射频识别(RFID)收发器模拟前端芯片,可广泛应用于手持终端读卡器等读卡器电子设备.介绍了RFID收发器原理,并在滤波模块设计方面从系统传递函数入手,提出了分析有限增益运放传递函数...
  • 21. C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计
    作者： 刘志军 刘文杰 吴洪江 王德宏 高学邦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  923-926
    摘要： 主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现.通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路.本单片采用两...
  • 22. 采用功率测量负载牵引的阻抗匹配方法
    作者： 刘永强 罗希 蔡树军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  927-929
    摘要： 介绍了典型功率测量负载牵引系统组成,以及验证系统准确性的AG.方法.通过调节输入输出阻抗,得到微波功率晶体管在4 GHz频率下的匹配阻抗,从而得到了器件在4 GHz条件大信号下真实性能,最大...
  • 23. Ka波段介质谐振器的研究
    作者： 何庆国 林勇 王嘉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  930-932
    摘要： 介质谐振器由于具有体积小、损耗低等优点,得到了越来越广泛的应用.设计了一款Ka波段介质稳频振荡器,振荡器中集成了介质谐振器用于选频.通过采用合适的介质振荡子及适当尺寸的金属屏蔽腔,使介质谐振...
  • 24. 飞思卡尔系列充电器IC可定制性与高精度业内领先
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  933-934
    摘要：
  • 25. 产业新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  935-936
    摘要：
  • 26. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年10期
    页码:  936
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
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学科分布
研究主题
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