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半导体技术2008年第2期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 随着45 nm及32 nm技术节点的来临,高介电常数(high-k)材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的较好选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理性能和材料特性不仅导致了很...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 塑封器件在现在的封装产业中具有无可比拟的优势,相关研究引起了人们广泛关注.简要介绍了塑封微电子器件的发展史,以及国内外塑封器件可靠性的研究现状.对塑封器件的主要失效机理研究进展进行深入探讨,...
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3. 光电光窗的封接技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 光电器件的封接技术作为MOEMS技术中的重要组成部分,影响着光电器件的应用和发展.光窗是光电器件主要的封装形式之一,一直受到科学研究的重视.新技术被不断地引入到光窗生产实践中,希望能够达到降...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 铁电材料在铁电存储器等领域具有良好的应用前景,受到极大的关注,其中铋层状铁电薄膜因为其良好的铁电性,得到了广泛的研究.采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底成功...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si/SiO2复合薄膜,以不同退火温度对样品进行热处理.对样品进行X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(FTIR)、光致发光(P...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上沉积了Zn0.93Mn0.07O薄膜,研究了氧分压对薄膜结构及吸收性能的影响.X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明,Mn2+取代了ZnO中的大部分Zn2...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶国家重点实验室,辽宁大连 116024;2.锡根大学材料工程研究所,德国锡根 57076)金级Si衬底上17...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的SiO2/4H-SiC界面的化学组成.获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1～1.5 nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂.实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533arcsec(非掺Al)下降到3...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系.在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性.结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1....
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12. 智能LED节能照明系统的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 介绍了一种新型智能LED节能照明控制系统,给出了系统的硬件设计和软件流程.给出了被动式热释电红外探测器和可见光探测器探测的数据,并通过单片机处理后与国家标准设定的数值进行了对比.简述了输出调...
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13. InP基谐振隧穿二极管的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景.加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点.研究并...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种改善npn和横向pnp晶体管放大倍数、扩散致窄电阻(受EB和CB结结深影响的基区电阻)阻值而又不影响其他器件特性的方法.不连续的SiOx可以作为宽禁带半导体材料加在多晶硅和单晶硅的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800～1200℃的高温退火.研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性.通过氢等离子体处理4H-SiC的表面,沉积Ti后可直接形成欧...
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16. 精密掩模清洗及保护膜安装工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 光刻工艺及其成品率对掩模洁净度要求极高.通过一系列研究分析,找到了传统掩模清洗工艺的一些缺点和局限性,借鉴和参考了传统掩模清洗工艺,克服了其局限性.基于精密掩模对加工质量的高要求,安装了保护...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要.介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 热超声键合是一个极其复杂的瞬态过程,利用常规手段不易了解此局部区域内的瞬态特性.针对这个问题,基于MSC.Marc大型非线性有限元分析软件建立了热超声倒装的几何模型,利用其强大的非线性分析能...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1:2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成.HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 单个芯片集成度的增大增加了全局同步设计的困难,于是出现了片上网络NOC的概念,其设计的核心是将计算机网络技术移植到芯片设计中来,因此需要利用某种路由算法来实现好的服务质量.通过对NOC网络通...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 目前各种LED显示器常采用8位/16位的微处理器,由于其运行速度、寻址能力和功耗等问题,已难满足显示区域较大、显示内容切换频繁的相对较复杂的应用场合.采用32位ARM嵌入式微处理器S3C45...
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22. 新型异步树型仲裁器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 树型仲裁器是异步电路中常用的电路,它的性能和鲁棒性对整个系统有很大的影响.针对以往树型仲裁器在设计和应用方面存在的问题,设计并实现了一种新型异步树型仲裁器,提高了异步树型仲裁器的鲁棒性.该仲...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 设计了一个用于流水线模数转换器(pipelined ADC)前端的采样保持电路.该电路采用电容翻转型结构,并设计了一个增益达到100dB,单位增益带宽为1 GHz的全差分增益自举跨导运算放大...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要：
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25. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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