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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
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8

半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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  • 61. Net Congestion Elimination for Datapaths by Placement Refinement
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  325-332
    摘要：
  • 62. 固体C70/Si异质结的界面电子态
    作者： 卢殿通 吴克 周锡煌 孙文红 武兰青 陈开茅 顾镇南
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  333-339
    摘要： 用深能级瞬态谱和高频电容-电压技术研究了固体C70/Si异质结的界面电子态.研究结果表明在C70/Si的界面上明显存在三个电子陷阱Eit1(0.194)、Eit2(0.262)，Eit3(0...
  • 63. 硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响
    作者： 张发培 张新夷 徐彭寿 徐法强 潘海斌 祝传刚 陆尔东
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  340-345
    摘要： 利用同步辐射和铁磁共振研究了使用CH3CSNH2硫钝化的GaAs(100)表面铁超薄膜的电子结构和磁性.实验结果表明，硫钝化能阻止As向铁薄膜层的扩散，减弱As和Fe的相互作用并增强了在Ga...
  • 64. 生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构
    作者： 杨建树 王学森 翟光杰 陈显邦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  346-353
    摘要： 利用扫描隧道显微镜(STM)等分析手段，我们对Si(111)在NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究.Si(111)在1075K暴露于NH3后，表现所形成的氮化硅存在周期为1.02nm的(“...
  • 65. 躺在石墨表面上的碳纳米管
    作者： 刘惟敏 刘虹雯 吴锦雷 施祖进 薛增泉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  354-358
    摘要： 用扫描隧道显微镜(STM)测试分析了高定向石墨(HOPG)表面的碳纳米管.在大气中室温下获得了碳纳米管原子结构，测量了碳管的I-V特性.结果表明，STM观察到的一般情况下的碳管容易呈簇集状态...
  • 66. 阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析
    作者： 余金中 杨沁清 欧海燕 王启明 胡雄伟 雷红兵
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  359-364
    摘要： 阵列波导光栅复用/解复用器中波导光栅孔径是器件重要的结构参数.波导光栅孔径数值有限，部分光场将因未被耦合进而损失掉.同时引起输出波导接收端焦场变形，增加了器件串扰.本文详细分析和计算了由于波...
  • 67. MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究
    作者： 姚冬敏 彭学新 李述体 江风益 熊传兵 王立 辛勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  365-368
    摘要： 使用MOCVD技术在Al2O3衬底上生长了GaN：Mg薄膜.通过对退火后样品的光电性能综合分析，研究了掺Mg量对生长P型GaN的影响.结果表明：要获得高空穴载流子浓度的P型GaN，Mg的掺杂...
  • 68. Au-GaN肖特基结的伏安特性
    作者： 孙殿照 张国义 张太平 张建平 林兆军 武国英 王玮 阎桂珍
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  369-372
    摘要： 在MBE和MOCVD两种方法制备的n-GaN材料上制作了Au-GaN肖特基结，测定了肖特基结的室温I-V特性.分析表明：GaN材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响
  • 69. 基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型
    作者： 刘理天 李志坚 马玉涛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  373-377
    摘要： 从载流子在MOS结构反型层内的分布出发，利用表面有效态密度(SLEDOS：SurfaceLayer Effeotive Density-of-States)的概念，在经典理论框架内建立了包含...
  • 70. MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火
    作者： 何宝平 姚育娟 姜景和 张正选 罗尹虹
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  378-382
    摘要： 电离辐射在MOS结构的SiO2层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正强栅偏压(+20V)下迅速减少，这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO2层隧道注入，从而与陷阱正电荷复合.正栅压退火不仅...
  • 71. PMOS剂量计的退火特性
    作者： 严荣良 任迪远 张国强 艾尔肯 范隆
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  383-387
    摘要： 研究了PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现.结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素，较高退火温度下，退火速率高，幅度大；相同退火温度下，正偏置与负偏置...
  • 72. GAT双极晶体管的高频高压兼容特性
    作者： 吴丽清 庄宝煌 朱梓忠 李开航 黄美纯
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  388-393
    摘要： 建立了GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型，定量研究了GAT的栅屏蔽效应和GAT的基区穿通电压VPI并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果.该模型可供优化设计双极...
  • 73. In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制
    作者： 白雪冬 闻立时 陈猛 黄荣芳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  394-399
    摘要： 基于对锡掺杂三氧化铟(Sn-doped In2O3，简称ITO)和铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO，简称ZAO)薄膜退火前后XRD数据的分析，研究了薄膜晶格常数畸变的原因，同时讨论了I...
  • 74. 基于神经网络方法预测薄膜的厚度
    作者： 于丽娟 朱长纯 陈晓宁
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  400-403
    摘要： 首次利用前馈三层神经网络模型，建立了场发射薄膜的膜厚的神经网络预测模型，用金刚石薄膜的膜厚数据进行验证.结果表明，该模型预测的相对误差小于6.1％.
  • 75. 聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型
    作者： 宗祥福 常旭
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  404-408
    摘要： 在U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上，提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型.该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响，指出在一定的离子束电流和反应气体流量下...
  • 76. 功率器件管壳的热应力分析
    作者： 孙学伟 王雪梅 贾松良
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  409-413
    摘要： 当微电子器件封装中的热应力足够大时，常常会导致封装开裂甚至失效.热应力主要是在制造过程中由于环境温度变化和封装材料热失配而产生的.因此，对封装设计进行热应力估算和可靠性研究是必不可少的.采用...
  • 77. InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管
    作者： 刘焕章 刘祥林 姚文卿 徐萍 汪度 王晓晖 王良臣 葛永才 袁海荣 郑东 陆大成 韩培德 高翠华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年4期
    页码:  414-416
    摘要： 报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光L...
  • 78. High Efficiency Al-Free 980nm InGaAs/InGaAsP/InGaP Strained Quantum Well Lasers
    作者： 张敬明 徐俊英 徐遵图 杨国文 沈光地 陈良惠 马骁宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  417-420
    摘要：
  • 79. 大功率超快半导体光电导开关的触发瞬态特性
    作者： Lam Yee Loy 孙小卫 施卫 赵卫
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  421-425
    摘要： 报道了用ns和fs超快脉冲激光器触发GaAs光电导开关的实验结果.用μJ量级的ns光脉冲触发3mm间隙的GaAs光电导开关,观察到线性和非线性工作模式,峰值电流达560A.当用重复率为76M...
  • 80. 用于先进CMOS电路的150mm硅外延片外延生长
    作者： 林兰英 王启元 蔡田海 郁元桓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  426-430
    摘要： 随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求.与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比,硅外延片一般能满足这些要求...
  • 81. Unified MOSFET Short Channel Factor Using Variational Method
    作者： 李志坚 田立林 陈文松
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  431-436
    摘要：
  • 82. GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱
    作者： 刘念华 姚冬敏 彭学新 李述体 江风益 熊传兵 王立 辛勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  437-440
    摘要： 采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的MOVPE生长的GaN样品进行综合测试.它们在表征GaN单晶膜质量方面结果一致.
  • 83. MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较*
    作者： C.Jagadish H.H.Tan Lan Fu M.B.Johnston M.Gal 刘兴权 李娜 李宁 沈学础 窦红飞 陆卫 陈张海
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  441-444
    摘要： 用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到...
  • 84. 微波低噪声SiGe HBT的研制
    作者： 张进书 林惠旺 贾宏勇 钱伟 钱佩信
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  445-450
    摘要： 利用3μm工艺条件制得SiGe HBT(Heterojunction Bipolar Transistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,...
  • 85. 深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型
    作者： 王阳元 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  451-459
    摘要： 提出了深亚微米SOI GCHT电流模型.不同于普通MOSFET短沟模型的处理,计及受栅电压及基极电压同时控制的可动电荷的影响,采用准二维分析及抛物线近似,求出沟道长度及漏端电压对源端表面势的...
  • 86. 采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究
    作者： 张兴 王阳元 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  460-464
    摘要： 讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响.通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS...
  • 87. 极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声
    作者： 卜惠明 吴军 张荣 施毅 袁晓利 郑有 韩平 顾书林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  465-468
    摘要： 研究了极细沟道NMOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS)的特征.首次在室温下观测到了大幅度(大于60%)的RTS,发现当器件工作在弱反型区时,RTS幅度基本与温度和栅压无关.对RTS的动...
  • 88. N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响*
    作者： 张炯 李瑞伟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  469-472
    摘要： 从模拟和试验二方面对N区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究.考虑到工艺条件,主要讨论N-区的掺杂浓度(NN-)的变化对器件可靠性的影响.通过模拟和从实际工作中得到的结果,对于0....
  • 89. 超薄外延CoSi2/n-Si的肖特基势垒接触特性
    作者： 屈新萍 徐蓓蕾 李炳宗 茹国平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  473-479
    摘要： 研究了超薄(～10nm)CoSi2/Si的肖特基势垒接触特性.Co(3-4nm)/Ti(1nm)双层金属通过快速热退火在Si(100)衬底上形成超薄CoSi2薄膜.X射线衍射测试表明该薄膜具...
  • 90. 垂直入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱光电探测器
    作者： 主红杰 余金中 成步文 李成 杨沁清 王启明 罗丽萍
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2000年5期
    页码:  480-482
    摘要： 报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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