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半导体学报(英文版)2003年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法,用于提取LDD n-MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生.这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用.采用这种方法可以准确地...
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152. SOI MOSFET的失真行为刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 采用幂级数方法对基于全耗尽(FD)SOI MOSFET和凹陷(RC)沟道SOI MOSFET的失真行为进行了研究,发现随着沟道长度的减小失真行为变坏,且RC SOI器件较FD器件具有更好的失...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 薄层电阻是IC生产过程中在线工艺监控测试的项目之一,其中经常使用范德堡法和Rymaszewski法作为普通四探针法的补充方法.应用这两种测试方法时必须要用到范德堡函数,而已知的范德堡公式是隐...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 通过测量调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结样品的变频电容-电压(C-V)特性,对Al0.22Ga0.78N势垒层表面态的性质进行了研究.结果发现在小偏压下,样品的电容随着测量信...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜.研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的P...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 通过适当的工艺措施,采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0.9Zn0.1Te晶锭.测试结果表明:该晶锭结晶质量良好,位错密度低,成分均匀,杂质含量低,红外...
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158. CdS薄膜的制备及其性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 采用化学池沉积(CBD)法,在三种衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积CdS薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发...
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160. AlGaN/GaN HEMT器件的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 介绍了AlGaN/GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au,肖特基结金属为Pt/Au.器件栅长为1μm,获得的最大跨导为120mS/mm,最大...
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161. 光电双基区晶体管的工作机理刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 通过分析光电双基区晶体管(PDUBAT)内部载流子的二维传输过程,获得它的物理模型,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论,并依此模型给出了它的等效电路,利用SPICE程序得到的一系列计算...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 提出了一种快速评价GaAs FET可靠性寿命的新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而...
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163. 阵列式微机械悬臂梁的研制及其特性分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 在一个芯片上设计了六组不同规格的矩形压阻悬臂梁.采用ANSYS有限元分析系统对微压阻悬臂梁进行应力分析,并对压阻悬臂梁的噪声、灵敏度以及最小可探测位移进行了研究.选用多晶硅为压阻材料,以硅微...
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164. 热激励硅谐振梁压力传感器闭环数据采集系统刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 利用正反馈闭环谐振原理,采用偏置交流激振、一倍频拾振的方法,设计了闭环谐振电路和相应的数据采集电路,并对该电路进行了综合调试.实验结果表明,该系统实现了该传感器频率信号的自动跟踪和信号转换,...
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165. CMOS宽动态范围的可变增益放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 采用CMOS工艺,针对超外差结构的无线宽带接收器,提出了一个新结构的可变增益放大器,并对该放大器进行了仿真和测试.测试和仿真结果表明:该放大器能够工作在50～600MHz的频率上,增益为-2...
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166. 电容式微传声器的性能模拟与优化设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 针对所研制的电容式微传声器在理想模式下的工作原理,建立了有限元分析模型和声-电模型,从理论上分析了器件的机械性能、灵敏度以及频响特性,得出了结构优化的设计原则,即要想得到高灵敏度的微传声器器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 对半导体光放大器(SOA)中光偏振态发生改变的原因和交叉偏振调制型波长转换进行了探讨和分析.如果SOA具有偏振不灵敏增益,则波长转换效果与泵浦光的偏振态无关,而只与探测光的偏振态有关,而且当...
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168. 硅片直接键合杂质分布的模型与模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型,得到了键合后硅片中杂质的浓度分布.并利用MATLAB软件,编写了键合工艺模拟程序,计算结果与实验进行了比较.该模型可以为...
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169. LDD-CMOS中ESD及其相关机理刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术,该技术很好地改善了沟道电场分布,避免了在器件漏端的强场效应,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命.然而,LDD结构的抗ES...
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170. 多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件,其性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 采用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA,可调谐范围为4.6nm,边模抑制比(SMSR)...
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172. 高跨导AlGaN/GaN HEMT器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1.0μm,源漏间距为4.0μm.器件的最大电流密度达到1000mA/mm,最大跨导高...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 介绍了一种Si基热光Fabry-Perot (F-P)腔可调谐滤波器.F-P腔由电子束蒸发的非晶硅构成.利用非晶硅的热光效应,通过对Si腔加热,改变F-P腔的折射率,从而引起透射峰位的红移....
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174. 一种用于线性网络约简的高效互连线模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 给出了一种用于线性网络约简的高效互连线模型.在这个新模型中,互连线网络的端口被分为有源和无源两类.通过端口的分类,部分的冗余特性可以在约简之前被删减.使用这种模型,约简后线性网络的规模可以减...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理.分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显,但当施加在栅极电压达到3V时,随着ω/ωT比值的增加,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 采用全差分运算放大器、无源电阻以及用作可变电阻的MOS管设计实现了全差分R-MOSFET-C四阶Bessel有源低通滤波器,在所提出的电路中通过调节工作在线性区的MOS管有源电阻的阻值以抵消...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气(2DEG)迁移率的散射模型.计算了在不同沟道电子面密度下,界面态电荷密度与其所限制的迁移率之间的关系.运...
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179. 多孔β-SiC薄膜的蓝光发射刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了β-SiC薄膜,用HF酸(40%)和C2H5OH(99%)的混合溶液对β-SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理,形成了多孔β-SiC(PSC)薄膜.利用荧光分...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年9期页码:摘要： 在分析研究Si1-xGex材料多子迁移率模型的基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图.同时,通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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