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半导体学报(英文版)2004年第10期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 利用新研制出的垂直式低压CVD(LPCVD)SiC生长系统,获得了高质量的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底材料.系统研究了3C-SiC的n型和p型原位掺杂技术,获得了生长速率和表面...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 利用退火热氧化射频磁控溅射金属锌膜的方法在Si(111)衬底上制备了一维ZnO纳米棒,同时用多种测试手段对样品的晶体结构、表面形貌和光学性能进行了研究.XRD,SEM和TEM的测试结果表明,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 提出了一种适用于短沟道LDD MOSFET的改进型参数提取方法,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法,提取偏压相关参数,保证了线性回归方法的精度和有效性,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在利用分子束外延方法制备SiGe pMOSFET中引入了低温Si技术.通过在Si缓冲层和SiGe层之间加入低温Si层,提高了SiGe层的弛豫度.当Ge主分为20%时,利用低温Si技术生长的弛...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 对UTB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在UTB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(GexSi1-x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 研制了一种新型的800nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜,其吸收区是低温方法和表面态方法相结合.用该吸收体实现了氩离子激光器泵浦的掺钛蓝宝石激光器被动锁模,脉冲宽度达到40fs,光谱带宽为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在125mm标准CMOS工艺线上,对标准CMOS工艺经过一些必要的改动后,研制出了多叉指功率SiGe HBT.该器件的BVCBO为23V.在较大IC范围内,电流增益均非常稳定.在直流工作点I...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 提出了逆导型门极换流晶闸管(RC-GCT)中几个关键参数,如n-基区和透明阳极的厚度和浓度及隔离区的宽度等参数的设计方法.根据该设计方法建立了RC-GCT的结构模型,利用MEDICI模拟器对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 提出了采用双电场对硅/玻璃进行阳极键合的方法.采用这种方法,能够有效地避免和减少键合过程中的静电力对MEMS器件的可动敏感部件的损伤和破坏,同时实验结果也验证了该方法.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 通过室温和350℃注Mn后热退火,在GaAs/AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒.利用原子力显微镜、能量散射X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 报道了利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c平面上外延生长的MgxZn1-xO单晶薄膜以及MgZnO/ZnO异质结构的光学性质.室温下随着Mg浓度增加,合金薄膜样品的发光峰与吸收边均向高能...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法携带N2或NH3制备掺氮的类金刚石(DLC∶N)薄膜,对不同掺杂方法得到DLC∶N薄膜进行电化学C-V测量.I-V和C-V曲线表明,不论...
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14. 单晶硅衬底材料中的消光衍射刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在经典衍射理论中,Si(200),Si(222)等4n+2面的反射是消光的,但在单晶硅或硅基材料中,常发现Si(200),Si(222)的衍射.考虑非谐效应和电子云反对称分布的贡献,分别计算...
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15. 高温快速热处理对氧沉淀消融的作用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况.研究证实:高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温...
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16. 一个描述硅原子团簇退火行为的模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在考虑硅原子团簇的尺寸对其俘获半径的影响的基础上提出了一个改进的模型,来描述团簇的退火行为,并给出了点缺陷的表面复合速率的表达式.为了验证此模型,给出了动力学蒙特卡洛方法的模拟结果,模拟结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,室温和77K温度下的电子迁移率分别为946和2578cm2/(V*s),室温和77K温度下2D...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在考虑AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上,自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程.通过模拟计算,研究了AlGaN/GaN HEMT器件掺杂层Al的组分、厚度、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在考虑源漏串联电阻的基础上,建立了一组适用于SiC PMOSFET的解析模型.计算结果与实验结果符合得很好.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 对MIS(金属-绝缘体-半导体)接触电极的特性进行了系统的分析和实验观察.结果表明,负极的电子可以通过表面能级和热激发注入到CdSe晶片中,且晶片表面的电子能级密度越高,电子注入就越快,探测...
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22. 超薄SiO2栅介质厚度提取与分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在分析半经典模型和量子模型的基础上,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型.栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 利用平面波导结构中的双折射效应并结合模式理论,设计了一种新型SiO2/Si基的保偏波导起偏器,使得两个正交偏振模式中的TM模式被截止,TE模式可以通过.利用三维有限差分光束传输法(3D FD...
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24. SOI热光调制器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器.通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度,使制作出的调制器有良好的综合性能.调制器调制深度为91%,功耗为0.35W,调制速度约为27μs.减小多...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系;及腔模和激子模耦...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布.结果表明,上包层SiO2厚度的减小,有利于开关速度的提高和功耗的减小.增加埋层SiO2的厚度或引入绝缘槽,能有效降低器件功耗,但开关时间...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 给出一种利用0.18μm CMOS工艺实现的注入式振荡器辅助锁相环.在1.8V电源电压下,电路工作频率为7.3GHz,功耗为157mW,跟踪范围为150MHz,锁定时在1‰(7.3MHz)频...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 0.2μm T形栅制作技术在100mm GaAs激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用.优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能.栅工艺重复性好,整片内器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 提出了一种新的自动压扩方法,适用于基于子波配置方法的模拟电路行为级建模.该压扩方法采用的压扩函数根据模块输入-输出函数的奇异性自动生成,因而这一方法具有通用性,可应用于任意输入-输出函数的电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年10期页码:摘要： 在SIMOX和Smart-cut SOI衬底上采用LOCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET,虽然LOCOS隔离器件的阈值电压较小,但其跨导和空穴迁移率明显小于MESA隔离器件...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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