半导体学报(英文版)期刊
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
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  • 作者: 刘训春 朱旻 杨威 王润梅 申华军
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  765-768
    摘要: 研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论解释了合金温度过高导致Voffset偏大的现象....
  • 作者: 姚飞 成步文 王启明 薛春来
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  769-773
    摘要: 使用三维电磁场模拟的方法对相同硅衬底结构下不同布图结构的螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变电感匝数、电感金属的宽度和间隔以及电感的内径,模拟和分析了电感性能的变化.给出了引起电感性能变化的原...
  • 作者: 张洵 王鹏 靳东明
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  774-777
    摘要: 提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案,它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理,将两者做相关运算,得到零温度系数的恒压源.该电压源没有采用二极管和寄生三极管,并用S...
  • 作者: 池保勇 王志华 韩书光
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  778-782
    摘要: 基于对CMOS差分放大器的非线性和元件失配理解的基础上,提出了一种应用于低电压CMOS差分放大器的失调取消技术.这种技术在不需要增加功耗的基础上,通过把输出端的失调电压转移到差分放大器的其他...
  • 作者: 冒小建 杨华中 汪蕙
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  783-786
    摘要: 介绍一种简单而有效的提高集成电路稳定性的电路补偿方法.当电路制造过程中的工艺参数、工作电压或工作温度发生变化时,根据仿真结果,该方法可以使MOS晶体管跨导的标准差比未经补偿的电路降低41.4...
  • 作者: 肖景林 陈伟丽
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  787-791
    摘要: 采用线性组合算符及幺正变换方法研究了电场对量子阱弱耦合束缚极化子的性质的影响.推导出量子阱中束缚极化子的基态能量和库仑束缚势、电场和阱宽的变化关系.数值计算结果表明,基态能量因电场和库仑束缚...
  • 作者: 于进勇 刘新宇 刘训春 徐安怀 王润梅 苏树兵 齐鸣
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  792-795
    摘要: 报道了一种自对准InP/InGaAs 双异质结双极晶体管的器件性能.成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件,其峰值共射直流增益超过300,残余电压约为0.16V,膝点电压仅为0.6...
  • 作者: 宫娜 汪金辉 郭宝增
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  804-811
    摘要: 提出了两种新的电路技术,在降低多输入多米诺"或门"的动态功耗的同时减小了漏电流,并提高了电路的噪声容限.采用新的电路技术设计了八输入多米诺"或门"并基于45nm BSIM4 SPICE 模型...
  • 作者: 吴有亮 洪先龙 董社勤 魏少俊
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  812-818
    摘要: 提出了一种用于求解大规模VLSI模块布局问题的确定性方法.该方法在"最小自由度优先"原则的基础上,模拟人工布局过程提出了"分阶段布局"的思想.分阶段布局就是将布局过程按照布局完成的比例划分成...
  • 作者: 严晓浪 王国雄
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  819-823
    摘要: 描述了一种采用分辨率提高技术后用于可制造性设计的验证方法.该方法的目的是验证设计功能与设计目的是否一致,更精确地说,使刻印出来的图像与设计一致.还描述了这种基于模型的验证方法的过程建模,实例...
  • 作者: 萨茹拉 赵凤岐
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  830-833
    摘要: 采用变分方法研究GaAs/AlxGa1-xAs有限抛物量子阱中类氢杂质态能量和结合能随外电场和阱宽的变化关系.在计算中考虑了电子有效带质量和介电常数随空间坐标(或合金组分)的变化因素.结果表...
  • 作者: 李书平 王仁智
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  834-839
    摘要: 为了进一步了解在金属-半导体接触势垒高度计算中采用半导体平均键能Em作为参考能级的合理性,本文在金属-半导体超晶格的LMTO-ASA能带计算中,引用"冻结势"方法,计算了(Ge2)4(2Al...
  • 作者: 张治国
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  840-845
    摘要: 从ITO薄膜的电镜照片、XRD分析出发,构造了该材料的平衡及非平衡能带结构简图.用克龙尼克-潘纳模型给出了带尾态分布.通过测量,得到了一个未见报道过的滞回式I-V特性曲线,这个实验值和理论模...
  • 作者: 张建民 曹继华 李炳宗 王光伟 茹国平
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  846-851
    摘要: 分别在n-Si(100)和SiO2衬底上用离子束溅射法淀积SiGe薄膜.用俄歇电子谱测定薄膜Ge含量为15%~16%.对样品进行常规炉退火以考察退火温度和时间对薄膜结晶度的影响.采用X射线衍...
  • 作者: 康晋锋 赵建明 陈勇 韩德栋 韩汝琦
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  852-856
    摘要: 分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性....
  • 作者: 乔明 张波 方健 李肇基 蒋华平
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  857-863
    摘要: 提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型.通过与二维器件数值仿真比较,表明模型结果和仿真结果能较好地吻合.基于该模型,详细地分析了局域寿命区的参数对器件正向特性的影响.通过对基区空穴浓...
  • 作者: 冯倩 张进城 张金风 杨燕 王冲 郝跃
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  864-868
    摘要: 通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量,研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25~200℃之间的变化,分析了载流子浓度分布、沟...
  • 作者: 余志平 向采兰 李涛 王燕 黄雷
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  869-873
    摘要: 采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gu...
  • 作者: 刘军 孙玲玲
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  874-880
    摘要: 对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从...
  • 作者: 张波 李肇基 罗小蓉
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  881-885
    摘要: 提出了一种可变低k(相对介电常数)介质层(variable low k dielectric layer,VLkD)SOI高压器件新结构,该结构的埋层由可变k的不同介质组成.基于电位移连续性...
  • 作者: 张波 李肇基 段宝兴
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  886-891
    摘要: 在单面阶梯埋氧型SOI结构的基础上,提出了一种双面阶梯埋氧SOI新结构.双面阶梯的电荷积累作用使其纵向电场突破了传统上受界面电荷为零限制的3倍关系,埋氧层的电场可以高达200V/μm;而且双...
  • 作者: 徐运华 汤英文 游达 许金通 赵德刚 龚海梅
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  896-899
    摘要: 研究了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.p区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340~365nm波段的紫外光可以直接透过...
  • 作者: 吕苗 张志国 李丽 杨瑞霞 赵正平 郭文胜
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  900-904
    摘要: 利用微机械可变电容作为频率调节元件,制备了一种中心频率为2GHz的 LC VCO.微机械可变电容的控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.M...
  • 作者: 余金中 李成 林桂江 赖虹凯 陈松岩
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  916-920
    摘要: 使用nextnano3模拟软件计算Si/Si1-xGex/Si量子阱的能带结构,对Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计,结果表明使用Ge组分为0.27~0.3,量子阱宽度为3...
  • 作者: 孙增辉 杜伟 王春霞 许兴胜 赵致民 陈弘达 高俊华 鲁琳
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  921-925
    摘要: 应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用S...
  • 作者: 刘式墉 张大明 张海明 李德禄 秦政坤 马春生
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  926-931
    摘要: 依据阵列波导光栅(AWG)的传输理论,分析了工艺公差对硅基聚合物AWG波分复用器性能的影响.分析结果表明,工艺公差将引起AWG传输光谱的漂移,并使串扰增大.为了实现AWG器件正常的解复用功能...
  • 作者: 冯华君 沈海平 潘建根
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  932-936
    摘要: 介绍了一种光谱校正积分光度法及其在蓝光LED光通量测量中的应用,对测量中的各种不确定因素作了理论分析,并与单纯的分光光度法和积分光度法的不确定度作了比较,证明该方法可实现极高的测量精度.这对...
  • 作者: 刘晓为 尹亮 汤小川 王喜莲 霍明学
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  937-943
    摘要: 提出一种新型压力传感器自检测方法--相变热驱动法.在压力传感器的密封腔中填充相变物质,利用相变物质气化后所产生的巨大压力实现自检测功能.通过控制压力腔中相变物质的填充量与加热电阻的加热功率,...
  • 作者: 吴洲 宫昌萌 常国强 钱瑞明 陈云飞 陈震
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  944-947
    摘要: ZT值、最大制冷温差和响应时间是表征半导体制冷器性能的重要参数.文中介绍了一种能同时测量这三个参数的瞬态方法,并讨论了热沉对测试结果的影响.利用一个由恒流脉冲发生器和数据采集卡组成的简单测试...
  • 作者: 严晓浪 吴晓波 张永良 章丹艳
    发表期刊: 2006年5期
    页码:  948-954
    摘要: 为保证系统在热插拔过程中安全工作,避免因之导致系统崩溃及系统与部件的损坏,提出一种热插拔控制芯片的设计.针对热插拔过程中可能产生的浪涌电流和过流、过压等故障现象,芯片设计中设置了多重保护功能...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
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ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

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