漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT的研究（Ⅰ）

• 作者: 冯耀兰 宋安飞 张海鹏 杨国勇 魏同立
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 新结构 绝缘层上硅 横向绝缘栅双极晶体管 高温 泄漏电流
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 37-42
• 页数: 6页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 1943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.007

摘要

提出了一种新结构薄膜SOILIGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT(DRT-MCTFSOILIGB）。主要研究了其低压截止态泄漏电流在423～573K范围的温度特性。指出，通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流，很高的截止态击穿电压，足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出，它不仅适用于高温低压应用，而且适用于高温高压应用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏同立	东南大学微电子中心	87	942	17.0	26.0
2	杨国勇	东南大学微电子中心	4	6	2.0	2.0
3	宋安飞	东南大学微电子中心	9	26	3.0	4.0
4	冯耀兰	东南大学微电子中心	11	26	3.0	4.0
5	张海鹏	东南大学微电子中心	7	24	3.0	4.0