锗对CZSi中氧沉淀成核和沉淀形态的影响

• 作者: 孙军生 张维连 张颖怀 檀柏梅
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉单晶硅 氧沉淀 成核 掺杂(锗) 热处理
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 92-96
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2511字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.016

摘要

CZSi中掺入等价元素锗，能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在700℃退火时，抑制杆状氧沉淀的生成，在900℃退火时，锗对氧沉淀的形态和长大几乎没有影响。实验表明，锗并不作为氧沉淀的成核中心，氧沉淀及其衍生的二次缺陷中也不包含锗。文中对锗影响氧沉淀的成核与形态进行了简要的讨论。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张维连	河北工业大学半导体材料研究所	27	203	9.0	13.0
2	孙军生	河北工业大学半导体材料研究所	11	87	5.0	9.0
3	檀柏梅	河北工业大学半导体材料研究所	85	534	13.0	18.0
4	张颖怀	河北工业大学半导体材料研究所	6	23	2.0	4.0