GaAs PHEMT开关模型的研究

• 作者: 刘志军 王绍东 谢媛媛 高学邦 魏洪涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAsPHEMT开关 等效电路模型 布局设计 建模
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(半导体先进的加工设备与材料)
• 页码范围: 183-185
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 1734字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.03.007

摘要

论述了GaAs PHEMT开关器件的建模,介绍了利用微波电路设计软件ADS建立GaAs PHEMT开关模型的方法,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数.提取开关模型是研制控制电路的关键,特别是对于MMIC电路.一种0.5μm GaAs PHEMT开关器件模型已开发成功,并集成在ADS环境中,可为各类开关、衰减器和移相器等微波控制电路提供可靠的器件模型,提高电路设计精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏洪涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	37	4.0	6.0
2	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
3	刘志军	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	45	5.0	6.0
4	王绍东	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	78	6.0	8.0
5	谢媛媛	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	16	2.0	4.0