GaN的ECR-PEMOCVD生长中衬底清洗和氮化的分析

• 作者: 孙万峰 徐茵 秦福文 顾彪 马世猛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学汽相沉积 反射高能电子衍射 氮化镓 蓝宝石 氮化
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 212-216
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 3462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.03.016

摘要

在改进的电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学汽相沉积(ECR-PEMOCVD)装置(ESPD-U)中,以氮等离子体为氮源,三乙基镓(TEG)为镓源,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜.在不同的温度、氮氢流量下,分别对α-Al2O3衬底进行等离子体清洗和氮化,并用RHEED实时监测.通过对RHEED图像的分析,得出衬底清洗和氮化的最佳条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	40	235	8.0	14.0
2	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
3	徐茵	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	26	207	8.0	13.0
4	马世猛	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	8	2.0	2.0
5	孙万峰	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	2	4	2.0	2.0