功率VDMOS器件粗铝丝键合工艺研究

• 作者: 何宗鹏 张彬彬 张振明 王宁宁
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 引线键合 功率器件 铝丝
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 微组装 SMT PCB
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2015.01.007

摘要

粗铝丝键合是功率VDMOS器件封装的关键工序，键合质量的好坏直接影响到器件的封装成品率以及后续的筛选成品率。针对直径为380μm的粗铝丝进行功率VDMOS器件的键合工艺研究。结果显示，在选取130°的键合角度时，焊盘宽度应适当增加且应至少增加150μm，才能保证键合质量；随着第二点键合角度的增加，键合点尾丝端划伤芯片的情况变好；同时考虑键合点尾端和键合点颈部都完全在焊盘内，且采用默认的第二点键合角度，则所需焊盘宽度至少应为1800μm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张彬彬		8	11	2.0	2.0
2	王宁宁		4	6	2.0	2.0
3	何宗鹏		3	4	2.0	2.0
4	张振明		3	2	1.0	1.0