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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 31. 亚微米ASIC正向设计中的时钟考虑
    作者： 居水荣
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  32-34
    摘要： 介绍了亚微米ASIC正向设计中时钟网络的建立原则,对于时钟网络在版图中的实现作了特殊考虑,给出了这些设计方法应用在几块实际ASIC中的效果.
  • 32. 离子束感生电荷显微术的研究
    作者： 朱节清 李晓林 王基庆 裘惠源 郭盘林
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  35-37,52
    摘要： 使用低束流技术,在高分辨率扫描质子微探针装置上开展了离子束感生电荷显微术,并研究了半导体材料GaAs的电子学性能.实验结果表明,在同一扫描区域内,材料的电荷收集效率具有不均匀特性,而且氦离子...
  • 33. HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制
    作者： 刘克岳 张健平 张学仁 王金义 赵宏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  38-42
    摘要： 阐述了CdZnTe衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性;概括了CdZnTe晶体生长的方法、原理和工艺步骤;分析了影响晶体质量(单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性)的因素,并提出...
  • 34. CZ硅单晶中旋涡缺陷对低频大功率管制造的影响
    作者： 董尧德
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  43-45
    摘要： CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中,会转化成体内杆状层错,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近,从而导致EB结和CB结的软击穿现象进行了研究,并采取了适当措施,以消除和控制...
  • 35. 半导体器件成品率与可靠性之间的关系研究
    作者： 彭苏娥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  46-48,56
    摘要： 对国外近几年在半导体器件成品率与可靠性之间的关系研究情况进行了综合、分析,介绍了成品率预计模型及其参数的选取.
  • 36. HIC导带缺陷的电学检测与评估
    作者： 韩孝勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  49-52
    摘要： 介绍了通过测试混合集成电路导带的方块电阻、温度系数等电学特性,再经过高温存贮试验考核其质量的稳定性,对其质量和缺陷进行评估分析,探索导带质量缺陷与电学特性的关系,为宏观评价导带质量缺陷提供一...
  • 37. 高温热管MCT晶体材料生长炉
    作者： 刘铁臣 朱亚军 涂善东 虞斌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  53-56
    摘要： 介绍了同轴径向传热的高温热管结构、工作原理及其传热特性.根据这种高温热管的传热特性,结合Bridgman晶体生长法,研制了碲镉汞(MCT)晶体材料生长炉,并利用该热管炉生长出了合格的MCT晶...
  • 38. 一种非接触式IC卡控制器的设计
    作者： 孙承绶 徐志伟 秦东 肖斌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  57-60
    摘要： 介绍了ISO/IEC14443中TypeB类型非接触式IC卡实现抗冲突的算法,设计了一种适用于非接触式IC卡的具有抗冲突功能控制逻辑的VLSI结构,并用VHDL语言进行了仿真.电路中提出了确...
  • 39. 具有声光报警功能的数字化油量表
    作者： 曾云 曾健平 欧谷平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  61-62
    摘要： 此油量表是利用与油箱中油量相关的电压信号通过一系列数字集成电路处理,用于显示汽车中汽油的油量和缺油声光报警,达到提醒驾驶员及时加油的目的.
  • 40. 一种多用途集成电话台灯电路
    作者： 刘久玲 方亦权 曾云 金湘亮
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  63-64
    摘要： 设计了一种简单、方便的多用途集成电话台灯电路,该电路具有夜间响铃或摘机时灯会自动点亮,挂机后延时45秒钟自行熄灭,白天或有灯光时响铃或摘机不会启动台灯电路,平时可作普通调光台灯使用;同时能显...
  • 41. 铁电存储器技术
    作者： 徐子亮 黄寅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  1-4
    摘要： 详细论述了铁电存储器(FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制,分析了FRAM的优势及弱点,认为1G位的FRAM可望在五年内实现.
  • 42. APD、PMT及其混合型高灵敏度光电探测器
    作者： 宋登元 王小平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  5-8,12
    摘要： 介绍了雪崩光电二极管(APD)和光电倍增管(PMT)的工作原理、结构及其特性;论述了为提高它们的竞争力在改善性能方面的新进展;介绍了将半导体器件与真空电子器件结合在一起制成的新型光电探测器-...
  • 43. IGCT--GTO技术的最新进展
    作者： 刘国友
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  9-12
    摘要： IGCT是一种基于GTO结构、利用集成门极结构进行门极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性.本文将对IGCT的开发过程...
  • 44. 工艺可靠性及其关键技术
    作者： 贾新章
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  13-17
    摘要： 在引入工艺可靠性基本概念的基础上,具体介绍相关的关键技术,并指出工艺可靠性的发展方向.
  • 45. GaN的同质外延生长
    作者： 李栓庆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  17
    摘要：
  • 46. 量子器件的计算机模拟
    作者： 何红波 周继承 李义兵
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  18-22
    摘要： 综述了量子器件的几种输运模型及其模拟结果,并对量子器件物理模型及其辅助设计提出了设想.
  • 47. fmax为107GHz的AlGaN/GaN HFET
    作者： 李和委
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  22
    摘要：
  • 48. 适用于MPEG2 MP@ML标准的视频解码器设计
    作者： 俞颖 叶波 秦东 章倩苓
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  23-26
    摘要： 设计了一个适用于MPEG2 MP@ML标准的视频解码器结构,用VHDL语言进行了系统级的仿真和综合.系统工作时钟频率40MHz.用标准图象测试序列进行了验证,给出了测试结果和有关参数,满足M...
  • 49. ULSI制备中二氧化硅等介质化学机械抛光的研究
    作者： 刘玉岭 刘立威 蔡冰祁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  27-28
    摘要： 对ULSI制备中Si、SiO2等CMP工艺技术条件,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度(抛光雾)进行了深入研究,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理,确定了低温、快速率、大流量的新...
  • 50. C-V技术及其在半导体工艺检测上的应用
    作者： 何德湛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  29-31,33
    摘要： 介绍了C-V测量技术特点及其在半导体工艺检测上的应用,这对提高工艺质量及产品的可靠性起着重要的作用.
  • 51. 功率晶体管击穿电压与硅片电阻率的取值关系
    作者： 李茵 陈中祥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  32-33
    摘要： 介绍了用于节能灯照明电路的高耐压功率晶体管的反向击穿电压、饱和压降和开关时间等参数的设计要求.合理选用硅片单晶材料的电阻率,对器件工艺设计和制造起到了关键作用.
  • 52. 集成电路工艺仿真系统TSUPREM-Ⅳ
    作者： 李惠军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  34-36,63
    摘要： SUPREM系列集成电路工艺模拟系统是当今国际上用户群最大的集成电路工艺计算机辅助设计系统.本文介绍该系列系统的最新版本TSUPREM-Ⅳ.
  • 53. 半导体表面腐蚀工艺方法改进
    作者： 张宏杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  37
    摘要：
  • 54. 半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料的超快激光光谱学
    作者： 丁瑞钦 周国荣 杨恢东 王浩
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  38-42
    摘要： 报道了近年来半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料中超快过程的激光光谱学的主要测量方法和技术、探测结果、机理分析和我们的一些见解.
  • 55. Si-Ge粉粒在冷等离子体中沉降的提纯效应分析
    作者： 冯信华 张巍 王宇 王敬义 罗文广 陈文辉 陶甫廷
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  43-46
    摘要： 本文论述了粉粒在等离子体中的影响,并利用所提供的受力和加速度模型,进行了具体计算.最后分析了沉降时间的各种影响因素和提纯效果.
  • 56. InP系列异质材料中的宽带隙夹层和它对材料特性的影响
    作者： 丁国庆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  47-50
    摘要： InGaAs/InGaAsP/InP等异质材料在室温和低温下光荧光测试中的厚度为3～30nm宽带隙夹层峰.夹层的化学成分主要是InGaP,它与MOCVD生长时开关程序和PH3或AsH3气流空...
  • 57. (CdSe)1/(ZnSe)1应力半导体材料缺陷能级
    作者： 刘贵立 张国英
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  51-53,46
    摘要： 用实空间Recursion方法计算(CdSe)1/(ZnSe)1应力半导体材料的总态密度、局域态密度、分波态密度,研究了局域特性和缺陷能级,得出了一些有价值的结论.
  • 58. 用于Si1-xGex异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉
    作者： 严军 洛红 谢自力 过海洲 陈桂章
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  54-56,59
    摘要： 研制出满足Si1-xGex异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理,并且给出了利用该设备生长Si1-xGex异质薄膜的实验结果.
  • 59. 一种正负输入电压ASIC的输入保护电路设计
    作者： 于宗光 叶守银 夏树荣 徐征 杨功成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  57-59
    摘要： 提出一种适用于正负输入电压专用集成电路的输入保护电路.该电路设计思想新颖,可在不影响电路工作的情况下,对正负过压都能起良好的保护作用.
  • 60. 锁相环技术及CD4046的结构和应用
    作者： 宋吉江 牛轶霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  60-63
    摘要： 叙述了锁相环的应用及其结构特点,较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用.

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
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