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半导体技术2015年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器(VCO).电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分.在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 信号完整性在某种程度上已经成为了限制当前高速电子系统设计与发展的瓶颈.建立了由过孔、焊点、印制线构成的高速电路板复杂互连结构单元模型,在1 ～ 10 GHz频率范围内针对模型进行信号传输性能...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 设计了一种应用于12 bit 250 MS/s采样频率的流水线模数转换器(ADC)的运算放大器电路.该电路采用全差分两级结构以达到足够的增益和信号摆幅;采用一种改进的频率米勒补偿方法实现次极...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 采用SiC衬底0.25 μm AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款X波段GaN单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).放大器采用三级级联拓扑,第一级采...
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66. 低压光电式烟雾探测器ASIC设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 基于0.25 μm 5 V/12 V 1P3M高压BCD (BJT/CMOS/DMOS)工艺设计实现了一款独立式低压光电式烟雾探测器专用集成电路(ASIC).分析了系统原理,重点设计了烟雾探...
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67. S波段网格型FBAR滤波器的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 介绍了一种单端口,端口阻抗为50 Ω的S波段宽带薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器,该滤波器采用网格型结构的FBAR滤波器芯片级联巴伦芯片实现.对宽带FBAR滤波器芯片的设计过程、工艺实现过...
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68. 高功率密度可调光LED光源技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 为解决LED光源对100W白炽灯的简单替换,同时更换后的系统能够满足与原照明系统具有相同的低色温、高显色性并方便调光的特点,开展了紧凑型、高功率密度、可调光LED光源的技术研究.通过对光源结...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极.利用原子力显微镜(AFM)分析丙酮体积分数对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,利用循环伏安法(C...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 以Cd(NO3)2·4H2O,Na2 SeO3和Na2TeO3的混合液为电解液,采用电化学共沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备了CdSexTey薄膜样品.探讨了沉积电压、水浴温度、沉积...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 通过对InxGa1-xAs泊松比的两级优化,讨论了泊松比取值对InxGa1-xAs/GaAs异质结应变层中组分分析的影响.以PB模型计算的临界厚度为指导,设计了一组实验,采用分子束外延(MB...
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72. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要：
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73. 硅量子点的表面改性技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 硅量子点具有新颖的光电性能,有望在光电、光伏和生物标记等领域发挥重要作用.为了使硅量子点表现出优异而稳定的光电性能,能够有效地被应用,通常需要对硅量子点的表面进行改性.针对表面起初被氢或氯钝...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 针对带隙参考电压基准温漂问题设计了一款高阶补偿电路,并采用0.5 μm BCD工艺进行了验证.电路采用零温度系数(TC)电流实现一阶补偿,同时采用具有正温度系数(PTC)的双极型晶体管(BJ...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 基于标准的SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺研制了毫米波段单片微波集成电路(MMIC)芯片.首先采用插入隔离层的方式得到复合沟道AlxGa1-xN/AlN/Aly...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 针对双模卫星导航接收系统对集成度、功耗和面积的需求,研究了频率综合器的电路结构和频率规划,分析了频率综合器环路的参数设计,实现了片上集成环路滤波器,版图采用MIM和MOS电容堆叠的方式节省了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 针对当前射频系统中电源管理芯片在宽温度范围下对带隙基准稳定性的较高要求,提出了一种新型互补带隙基准电路结构,通过将带隙基准与MOS弱反型区基准的温度系数曲率互补叠加,实现了极宽温度范围内带隙...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 在SiC衬底上制备了栅长为110 nm、漏源间距为2μm的W波段AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT),分析了SiN钝化对器件直流和射频特性的影响.研究发现:100 nm S...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响.在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2％,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件对n型插指背接触(IBC)晶硅太阳电池衬底参数进行了优化,全面系统地分析了晶硅衬底厚度、电阻率、少子寿命对IBC太阳电池量子效率、短路电流、开路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究.实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长...
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82. 集成电路封装级失效及其定位刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 失效分析中有许多类型的封装级失效.由于封装材料限制或者无损检测要求,无法从外观直接观察到失效点,需要借助于设备进行失效定位才能快速、准确地进行分析.总结了集成电路封装级失效的几种常见失效机理...
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83. GaAs低噪声放大器的抗静电设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 基于提升GaAs低噪声放大器(LNA)的抗静电(ESD)能力的需求,且实现器件小型化轻量化,设计了一种S波段GaAs低噪声放大器的ESD防护电路,该电路利用1/4波长线的微波特性,通过1/4...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验.总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 kGy (SiO2)的60Co γ射线辐...
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85. 由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一.闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会...
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86. 雪崩光电二极管芯片自动测试系统刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 利用Keithley 2400源表、AV6381可编程光衰减器、AV 38124 1 550 nm单模半导体激光器和TZ-608B型光电屏蔽探针台搭建雪崩光电二极管芯片自动测试系统.在Lab...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 基于标准GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一个输出频率在V波段的有源二倍频器单片微波集成电路(MMIC),实现了高输出功率和良好的谐波抑制特性.芯片内部集成了180°马...
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88. 3 mm单平衡混频器芯片刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片.该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对(APDP)和三线耦...
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89. 小型化封装的四通道多功能电路刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺、多层陶瓷管壳工艺和芯片微组装工艺技术,设计并制作了一种微波小型化封装四通道多功能电路.该多功能电路集成了通道选择、6 bit移相...
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90. 高效率包络跟踪功率放大器刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 基于功率放大器(PA)效率提高技术,设计了一套包络跟踪(ET)功率放大器系统,射频(RF)功率放大器的漏极采用三电位G类结构的包络跟踪放大器提供自适应电压偏置,包络放大器包含两个自主设计的横...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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