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半导体学报(英文版)2001年第8期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSFET栅控二极管结构．对于逐渐上升的累积应力时...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性，该肖特基二极管具有较好的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 介绍了一种基于0.5μm CMOS DLL合成1GHz信号的新方法．这种方法的特点是只通过使用简单的逻辑和放大来产生倍频信号．该设计的频率合成器包括两个部分：一个DLL(Delay-Lock...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 制备了一种以三层聚合物为波导材料的Mach-Zehnder型电光调制器，其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料．主要制备工艺为：旋涂制备波导薄膜、电晕极化、光刻和氧反应离子刻蚀．以1.3...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺，研制出了高性能，低电压工作，适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管．该器件在175MHz、12V低电压工作条件下,输出功率为12W，漏极效率为70...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%—1.0%的Si1-xCx合金，研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响，探讨了合金的形成机理及合...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 在高真空系统中，将C70膜淀积在n-和p-GaAs(100)衬底上，制成C70/n-GaAs和C70/p-GaAs两种接触，并对它们的电学性质作了研究．结果发现两种接触均为强整流结，在偏压为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对Cd1-xZnxTe晶片中Te沉淀的影响．研究结果表明，红外透射谱只对大尺寸的Te沉淀较为敏感，而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的Te沉淀，两者互为补...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用两步退火法在掺CdSeS的玻璃中制备了高密度的量子点,均匀性较好.量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大,但组份基本不变.研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系,证明光致发光谱中的低能峰与...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 实验研究表明，多晶硅后的高温退火明显引起热SiO2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加．采用N2O氮化则可完全消除这些退化效应，而且氮化栅介质性能随着退火时间增加反而提高．分析...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火条件下处理的SIMOX材料的顶层硅膜．实验结果显示，SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰：它们是能量为1.10eV的a峰、能量为0...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于10nm的超薄SiO2层．通过傅里叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子谱（XPS）、透射电子显微镜（TEM）、椭圆偏振法和电流电压（I-V）、电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜，薄膜呈柱状结构，柱状晶直径约为100nm，晶柱内为结晶性能完整的单晶，而晶界处存在较大的应力．ZnO薄膜在He-Cd激光器激发...
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14. 低剂量SIMOX圆片研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征．结果显示，选择恰当的剂量能量窗口，低剂量SIMOX圆片表层Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 研究了直接在ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜．利用脉冲激光淀积法在α-Al2O3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜，对ZnO/α-Al2O3样品在1100℃退火...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 运用金属有机气相外延设备，在蓝宝石衬底两个相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜．对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究．发现这两个薄膜有许多不同之处．
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为7...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 对热载流子导致的SIMOX衬底上的部分耗尽SOI NMOSFET's 的栅氧化层击穿进行了系统研究．对三种典型的热载流子应力条件造成的器件退化进行实验．根据实验结果，研究了沟道热载流子对于S...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 随着器件尺寸的不断减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素．数值求解的结果表明：镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS直接隧穿电流有较大的影响．利用WKB近似方法，获得了镜...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 采用显微观察的方法证明有机半导体电致发光器件处于工作状态时产生的焦耳热，不仅使有机物发生结晶现象，还使器件产生气体并向外逸出，气体集聚在金属电极/有机层界面，从而形成表面气泡．质谱、色谱分析...
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21. 6H-SiC高压肖特基势垒二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发,制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管．测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 在分析全串行和全并行GF(2k)域乘法的基本原理基础上提出了一种适合于任意GF(2k)域的乘法器UHGM(Unified Hybrid Galois Field Multiplier)．它为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 提出了一种适用于LVDS驱动器的电荷泵锁相环(PLL)多相时钟生成器的设计方法，特别是在压控环形振荡器(VCO)设计中采用了高温度补偿和高电源抑制比的新技术，使得VCO的固定频率基本不受温度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 提出了一种新的用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构．它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效，从而排除了测试时复杂的芯片-封装界面的影响．这种电路结构不仅可以用于实...
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26. ULSI互连系统热特性的模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 应用基于有限元算法的软件ANSYS对0.15μm工艺条件下的一个ULSI电路的五层金属互连结构进行了热特性模拟和分析．模拟了这个经多目标电特性优化了的互连结构在采用不同金属(Cu或Al)互连...
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27. TEA密码算法的VLSI实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 提出了两种实现TEA的结构，并采用其中一种结构设计了TEA加解密处理器电路模块，将其成功地应用在非接触的智能IC卡中．该加解密处理器硬件模块可分别实现加密和解密运算，循环迭代次数具有可编程特...
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28. ULSI铜互连线技术中的电镀工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法，成功地将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中，实现了对高宽比为1μm∶0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充．方阻测试表明，所镀铜膜的电阻率...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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