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半导体学报(英文版)2002年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 利用低压MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了GaN,用离子注入法掺入Mg杂质,退火后,进行光致发光测量,观察到显著的蓝光发射和黄带发射.光谱分析给出了与注入Mg离子相关的GaN禁带中能级的精细...
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32. 金属/n型AlGaN欧姆接触刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 用传输线模型对n型AlGaN(n-AlGaN)上Au/Pt/Al/Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量.在850℃退火5min后,测得欧姆接触电阻率达1.6×10-4Ω·cm2.经X射...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 报道了采用富Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的新工艺,对所生长的晶体作了X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜.通过光致发光 (PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和...
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35. 光照对阈值电压均匀性的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 研究了光照对砷化镓阈值电压均匀性的影响.结果表明光照使耗尽型MESFET器件的沟道电流增大,使阈值电压向负方向增加,并提高了阈值电压的均匀性.研究认为砷化镓单晶材料的深能级缺陷是影响MESF...
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36. BPM方法在SOI结构中的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用交错隐式算子分裂(ADI)算法,设计、实现了一种高速、高精度的波束传播方法(BPM )来模拟SOI波导中不同偏振态的光传输,研究了PML边界层的选取对虚传播计算基模和基模传播常数的影响,...
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37. 紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用腔量子电动力学(QED)方法,定量讨论了平面结构微腔半导体激光器的自发发射特征物理量随腔结构的变化规律.在微腔半导体激光器自发发射因子调制、自发发射寿命调制以及一些实验依据的基础上,提出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算非对称线性缓变P-N结击穿特性.由于非对称线性缓变P-N结是单扩散P-N结的一个恰当近似,因而,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件P-N结的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法,并结合Statz、Angelov等经验模型的描述方法,提出了常温下针对4H-SiC射频功率MESFET的大信号非线性电容模型.此模型在低漏...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS...
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42. 一种有效的IC成品率估算模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 从缺陷造成电路故障的机理出发,给出了芯片故障概率和成品率的计算新模型.利用IC功能成品率仿真系统XD-YES对实际电路XT-1成品率参数的提取,同时利用新模型进行计算,其结果与实际结果符合很...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用二维TMA Medici模拟软件对SOI结构的串扰特性进行了分析.模拟发现随着频率的增加,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用,同时,连接SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 利用动态掩膜腐蚀技术,研究了HF/CrO3腐蚀液对各种不同组分的AlxGa1-xAs(x＝0.3,0.5,0.65)的腐蚀速率及腐蚀表面形貌.随着HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K×4的并行结构体系,其地址取数时间为30ns,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用纳米级二氧化硅代替国际上惯用的三氧化二铝作磨料,解决了抛光液的悬浮问题,得到了很好的抛光表面.采用无金属离子的有机碱作络合剂及pH调制剂,使用了无金属离子的氧化剂解决了铜离子沾污问题和制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 简介并分析最近几年半导体学科基金项目申请和资助的发展趋势以及2001年半导体学科基金申请与资助概况,并附2001年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科技工作者参考.
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48. 硅集成电路光刻技术的发展与挑战刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分.结果表明GaAs纳米颗粒的平均...
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50. 硅单电子晶体管的制造及特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺,在p型SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管.特别是,提供了一种制造量子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 从VDMOS的物理结构出发建立子电路模型,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式.相对以往文献的结果,该模型避免了过多工艺参数的引入,同时对子电路进行了有效的简化.在参数提取软件中的加载结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 提出了一种基于灵敏放大器的新型触发器.和其它触发器相比,该触发器在近似相等的功耗下能以更快的速度工作,并且其所需要的MOS管少,芯片占用的面积也少.这种触发器消除了"假信号"问题,通过使用伪...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 提出了一种新型电荷传输型电路.电路由MOS管及电容组成,在计算相关量的匹配度时,先计算出相关量的差值,然后将此差值放大,使电路的计算精度提高.采用电荷传输型电路的方式,大大降低了电路的功耗....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 采用低压化学气相沉积方法,依靠纯SiH4气体的热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了Si纳米量子点.实验研究了SiO2膜的薄层化对Si纳米量子点光致发光特性的影响.结果表明,当SiO2膜厚...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 报道了采用不同的电介质薄膜SiO2、SiOxNy、Si3N4和SiOxPyNz及其组合用于InGaAsP/InP多量子阱材料的包封源.在高纯氮气保护下经850℃、7s的快速退火处理,结果发现...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备了纳米碳化硅薄膜.实验中发现:在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下,可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜.用高分辩透...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 在最大衬底电流条件下(Vg=Vd/2),研究了不同氧化层厚度的表面沟道n-MOSFETs在热载流子应力下的退化.结果表明, Hu的寿命预测模型的两个关键参数m与n氧化层厚度有着密切关系.此外...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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