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半导体学报(英文版)2002年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 给出了适于分析DFB激光器稳态特性的数值模型和分析振幅及频率调制响应特性的解析模型.研究了3相移DFB激光器的调制响应特性,并提出了一种能够快速精确得到DFB激光器多个模式解的新方法--矢量...
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182. 大带宽半导体光学放大器的理论分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 提出一种新型的半导体光学放大器结构,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律.通过剖析该结构中有源区各部分的作用,得出大的张应变的引入主要是用于提高TM模的...
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183. 射频微机械开关的计算机辅助设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 应用计算机辅助设计(CAD)方法模拟设计一种射频微机械(RF-MEMS)开关.用Agilent ADS软件模拟分析了共面波导的传输线损耗和MEMS开关的等效电路模型,并应用ANSYS软件模拟...
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184. 薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法.该方法根据电荷陷落的动态平衡方程,测量恒流应力下MOS电容的栅电压变化曲线和应力...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 将遗传算法用于HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度.在1～26.5GHz频...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良...
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187. 一种结构调整后的DSOI器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 提出一种改进的DSOI结构,在保留DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上,能提高电路速度和驱动能力等器件性能.采用不完全除去沟道下绝缘层的办法,使DSOI器件的结构更接近SOI.采用准二维器...
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188. 高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化,来改变传输线的特性阻抗和相速,达到相移的目的.文中讨论了MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求,并通过轻质量的铝...
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189. vfBGA内部芯片断裂问题刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 利用ANSYS软件以有限元分析的方法研究了vfBGA器件内部芯片断裂问题.通过建立模型和模型评价得到了适当的三维简化模型及导致芯片断裂的等效应力大小.根据对测试过程的模拟预测找到了引起芯片断...
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190. φ76mm GaAs有源器件模型库刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 采用基于测量S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术,建立与φ76mm GaAs工艺线直接结合的GaAs器件(MESFET,PHEMT)的MMIC CAD适用器件模型及模型库,并通过对不...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 在1.2μm SPDM标准数字CMOS工艺条件下,实现6bit CMOS折叠、电流插值A/D转换器;提出高速度再生型电流比较器的改进结构,使A/D转换器(ADC)总功耗下降近30%;提出一种...
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192. 能量回收电路的功耗优化方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 能量回收电路的非绝热损失正比于CLΔV2,文中提出了两种方法降低CL和ΔV因子.HEERL(high efficient energy recovery logic)电路利用自举效应减小了回...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 利用光学薄膜原理,计算了采用晶片键合技术来提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性.以Ni为粘附层,Ag为反射层的Ni/Ag/Au薄膜体系可以使立方GaN的出光效率从理论上提...
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194. ULSI铜互连线CMP抛光液的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年9期页码:摘要： 介绍了一种碱性抛光液,选用有机碱做介质,SiO2水溶胶做磨料,依据强络合的反应机理,克服了SiO2水溶胶做磨料对铜去除速率低及在溶液中凝胶的难点.实验结果表明:该抛光液适用于Cu化学机械抛光...
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195. 高k栅介质MOSFET的栅电流模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型.在该模型的基础上,研究了采用不同高介电常数栅介质材料时MOSFET的栅电流与介质材料的介电常数、禁带宽度及和...
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196. 利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和二次侧墙,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 应用基于表面硅、体硅微电子工艺的混合微加工技术,制作了新型2×2扭转微镜光开关阵列,并研究了其在外加静电场和交变电场中的机电特性.当该光开关中悬挂多晶硅微镜的弹性扭转梁的厚度约为1μm时,驱...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程,当子位线宽度为128位时...
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200. 采用图划分技术的多端口RC网络约减方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 提出了一种采用分而治之的改进型RC网络约减方法.该方法首先将被约减的网络划分成若干子网络,然后用Krylov子空间算法逐个约减这些子网络,最后将所有被约减后的子网络链接起来就获得了原网络的约...
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201. 掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度.掺铁的浓度也对半绝缘InP的光...
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202. SiO2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 在有效质量近似框架内,采用绝热近似,计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质.计算表明系统的电子能级随量子点受限势的增大而升高,随量子点尺寸的增大而降低...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 采用垂直Bridgman法制备出了x＝0.1、0.22和0.4的Cd1-xMnxIn2Te4晶体.采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性.用超导量子磁强计测量了样品在温度范围5～300K...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 对在80～300K温度范围测量的Pb1-xGexTe(x=0.06)薄膜透射谱采用Lorentz谐振子模型进行拟合得到折射率.研究发现:在其铁电相变温度150K折射率出现极大值.折射率的极大...
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206. Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 采用真空热蒸发与PECVD方法,在经特殊设计的"单反应室双沉积"设备中沉积了Al/a-Si∶H复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al...
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207. 掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 在Corning 1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Al).薄膜沉积在衬底温度250℃、溅射功率100W和纯氩气氛中进行.通过在0.2～3.2Pa范围改变溅射氩气...
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209. 雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 采用超声雾化技术,以醋酸锌水溶液为源物质,在加热的玻璃衬底上生长了ZnO薄膜,并研究了衬底温度等因素对薄膜结构及其光、电性能的影响.结果表明其为六方晶体(纤锌矿)结构,在适当的条件下,可以生...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 采用Ga在SiO2/Si系扩散途径,对扩Ga硅片进行了俄歇分析,在p型区未发现重金属杂质,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性.
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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