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半导体学报(英文版)2003年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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91. GaP1-xNx混晶的光致发光谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 通过GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的低温光致发光(PL)谱,探讨了N在不同组分GaNxP1-x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分(x=0.05%～0.81%)下,GaNx...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 研究了玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光.在10K温度下,通过PL和吸收光谱实验,研究了半导体CdSSe量子点,并进行了变温测量.分析了半导体量子点的量子尺寸效应、温度对PL和吸收光谱...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 引入位错模型讨论粒子的退道效应.把超晶格的沟道偏折等效为位错引起的沟道弯曲,并对刃型位错的退道行为作了具体分析.利用正弦平方势,把粒子运动方程化为具有外力矩的摆方程,用能量法分析了系统的相平...
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94. 大直径直拉硅片的快速热处理刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 主要研究了快速热处理(RTP)对大直径直拉(CZ)硅片的清洁区(DZ)和氧沉淀的影响.通过在Ar、N2、O2三种不同气氛中,在不同温度下RTP发现在大直径CZ硅片中氧沉淀的行为及DZ的宽度与...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 采用一种新的生长铁磁/半导体异质结材料的方法--物理气相沉积方法生长了一种铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si.对所获得的样品进行特征X射线能谱分析表明Mn和Sb在Si衬底上的沉积速率相近,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质.结果表明,与单纯的热丝和等离子体技术相比,等离子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型,势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各种缺陷,而界面层上的压降会使正向Scho...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 提出了一种新的器件结构--非对称Halo LDD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧(top oxide)和底氧(bottom oxide)的厚度对O...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究,得到了全面系统的研究结果,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 建立了一种基于力-电流(F-I)类比、适用于梁结构机电耦合系统小信号时域及频域分析的等效电路宏模型,与已有的基于力-电压(F-V)类比的等效电路宏模型相比,基于F-I类比的等效电路宏模型的电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低...
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103. 一种改进的近似平方算法的VLSI实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 提出了一种适用于Viterbi算法的改进的近似平方算法--二阶近似算法.该算法最大相对误差(maximum relative error,MRE)和平均相对误差(average relati...
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104. 基于关键面积的冗余集成电路成品率分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 利用关键面积的思想分析了冗余电路的成品率,并给出了其计算模型.实例模拟表明,与传统的成品率分析方法相比,该模型预测IC成品率具有更高的精度.
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105. SOC布图设计中的互连优化算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 使用Elmore时延模型,对二端连线的缓冲器插入方法进行了详细的讨论.给出了最小时延下,缓冲器的最佳数量和位置;同时给出了在一定时延约束条件下的缓冲器的最小数量及位置;并在典型的0.18μm...
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106. 内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并且编程加以实现.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性,计算了GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面.结果表明光致电离截面的大小受量子线尺寸的影响,并且对于相...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 在MBE/CVD高真空系统上,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50mm的单晶Si(100)衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅(3C-SiC)外延材料,利用反射高能电子...
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109. 用过氧化氢后处理多孔硅厚膜的一种新技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 提出使用过氧化氢后处理多孔硅厚膜.在乙醇、氢氟酸、过氧化氢溶液中,多孔硅样片做阴极施加电流密度为10mA/cm2,希望通过后处理增强多孔硅表面的稳定性、光滑度和机械强度.研究了厚度为20μm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 通过测量界面陷阱的产生,研究了超薄栅nMOS和pMOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流(SILC).在实验结果的基础上,发现对于不同器件类型(n沟和p沟)、不同沟道长度(1、0.5、0....
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111. 一种高性能的新结构IGBT刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 为了克服传统SOI器件的浮体效应和自热效应,采用创新的工艺方法将低剂量局域SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合,实现了DSOI结构的器件.测试结果表明,该器件消除了传统SOI器件的浮体效应...
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113. 重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 研究了重掺硼(HB)、重掺砷(HAs)以及重掺锑(HSb)直拉(CZ)硅片对重金属Cr的内吸杂能力.将不同程度(～1012cm-2,～1014cm-2)沾污Cr的硅片在N2下进行常规的高-低...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料.所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2.2×10...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 以金属锌(Zn)和铝(Al)为靶材采用射频(RF)反应共溅射技术在低温(200℃)玻璃衬底上沉积了铝掺杂氧化锌(ZnO∶Al)薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线谱(EDX)、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性.在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积W-Si-N,Cu/W-Si-N薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用俄歇电子能谱原子深度分布...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 以LaNiO3(LNO)为独立下电极,制备出Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,与使用Pt下电极对比,其抗疲劳特性得到了极大的改善.在1MHz频率10V电压下,经过1011...
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118. 在薄硅外延片上制备高频肖特基势垒二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 采用超高真空化学气相沉积技术,在n型重掺Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层,利用扩展电阻和原子力显微分析对外延层进行了检验.结果表明,重掺Si衬底与薄硅外延层之间的界面过渡区陡峭,外延层厚度在...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 研究了超深亚微米PMOS器件中的NBTI(负偏置温度不稳定性)效应,通过实验得到了NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响,并得到了在NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式....
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120. 压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式RF MEMS开关阵列--移相器的可动薄膜,实验表明金的延展性比较好,弹性比铝硅合金稍差,启动电压较高.相比较含硅4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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