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半导体学报(英文版)2006年第11期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 以光子晶体Fabry-Perot腔为例,提出了全电子束光刻制作光子晶体波导器件的解决方案.曝光光子晶体区域时采用较小的曝光步长,同时引入额外的邻近效应补偿本征邻近效应,从而获得高质量的掩模图...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 提出了一种新的双栅氧(dual gate oxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳定性.在中国科学院微电子研究所0.8μm n阱标...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 提出了一种用于宽带、双环路频率综合器的粗调环路结构.该粗调环路由数字电路设计实现,包含逐次逼近寄存器和新结构的频率比较单元两个模块.其中,频率比较单元在一定的参考时间内对预分频器的输出信号周...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 考虑纳米尺度互连线的散射效应,提出了一种改进的时序分析方法.首先,考虑互连线宽度和厚度的影响,提出了一个简单的散射效应的解析模型.然后,利用这个模型和SS2M得到了过渡时间的统计表达式.实验...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 采用Pekar类型的变分方法研究了非对称抛物限制势作用下的量子点中强耦合束缚磁极化子的性质.导出了束缚磁极化子的基态束缚能、光学声子平均数.通过数值计算表明,量子点中强耦合束缚磁极化子的基态...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 采用第一性原理的方法计算了不同尺寸的(100)硅纳米线在H饱和及F饱和下的电子结构.计算结果表明,F饱和与H饱和的(100)硅纳米线均为直接禁带半导体,但F饱和硅纳米线的禁带宽度和价带有效质...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 从理论和实验两个方面对GaInNAs/GaAs量子阱结构基态的光跃迁能量进行研究.在理论计算过程中,分别采用电子有效质量近似法和双能级推斥模型计算了GaInNAs合金的电子空穴分立能级的能量...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 使用三维电磁场模拟的方法对不同硅衬底结构螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变衬底的电导率、隔离层的厚度以及隔离层的材料、衬底引入硅锗合金层等模拟,分析了电感性能的变化.结果表明随着电导率的减小...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 改进了传统稳态加热法的测试结构,设计了带隔离槽的全对称悬空薄膜测试结构,并使用有限元工具对测试结构进行了优化.测量了室温下50和80nm厚度的单晶硅薄膜的横向热导率,分别为32和38W/(m...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 针对磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT),进行了Ni/Ge/Au和Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au两种金属结构快速退火(10～40s)和长时间合金(10min)的实验.通过研究...
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15. 栅型共振隧穿晶体管的设计与研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该lmm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的A1GaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-Ⅴ特性的方程.此模型可以应...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 利用热等效电路对外加连续脉冲产生的热效应中晶格温度的上升及下降作了研究并与实验进行了比较.结果表明,若高频脉冲的延迟时间大于降温驰豫时间,则器件处于热安全工作区.对热阻为3.5K/W,热容为...
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19. 新型槽栅MOSFETs的特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Sil-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 提出复合介质埋层SOI(compound dielectric buried layer SOI,CDL SOI)高压器件新结构,建立其电场和电势分布的二维解析模型,给出CDL SOI和均匀...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 通过数值分析研究了含线性渐变层的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAS DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 提出了适用于一种1.55μm掩埋隧道结垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片的小信号等效电路模型.等效电路的提出是基于半导体激光器速率方程以及VCSEL芯片结构,电路中各元件都有严格的物理意义...
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24. 单向载流子传输光电探测器模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 用Atlas软件对单向载流子传输光电探测器(uni-traveling-carrier photodetector,UTC-PD)进行了模拟,研究了器件的基本工作原理,着重讨论了器件性能与外...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50～860MHz工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源,该基准源具有很高的温度稳定性.基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器(OPA).根据测试结果,室温下的输出电压为351....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 设计并实现一种耦合式C型(coupled)高压电平位移结构,避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线(HVI)跨过器件源侧及高压结终端时的两处高场区,以直接耦合式实现了高压电平位移和高低压...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 实现了一个适用于无线内窥镜系统的低功耗ASK中频接收机电路.该接收机包括一个用于补偿信道衰减的自动增益控制环、一个ASK解调器和基于能隙基准源的偏置电路,接收机电路已采用0.25μm CMO...
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29. Si-Si直接键合的杂质分布刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 在Si-Si直接键合过程中,界面处存在一层很薄的厚度恒定的本征SiO2.Si对SiO2中的杂质的抽取效应,导致了杂质在界面处的浓度大大降低,根据改进了的杂质在Si-Si直接键合片中分布模型,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年11期页码:摘要： 在作为微器件电气互连主要手段的热超声键合工艺中,微细键合区域内金属变形/变性/互连所需的能量,来自于超声波功率源通过换能系统所施加的微幅压剪动载.对热超声倒装键合过程的研究说明,PZT换能系...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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