氟化非晶碳薄膜(a-C:F)的制备与表征

• 作者: 吴振宇 杨银堂 汪家友 苏祥林 蒋昱
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振 非晶氟化碳 X光电子能谱 低介电常数
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 90-93
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4|TN304.055
• 字数: 2369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.02.004

摘要

以C4F8和CH4为源气体,采用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积(ECR-CVD)方法,在不同气体混合比条件下沉积了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜低k层间介质.实验中薄膜的沉积速率可达220nm/min,测得的介电常数为2.14～2.58.X光电子能谱表明,随着甲烷含量增大,薄膜中CF3,CF2结构含量减少而CF和C*-CFx(x=1～3)交联结构增多;原子力显微镜表明,在采用C4F8为前驱气体时,高分子基团C Fy在成膜时造成了粗糙不平、多孔渗水的薄膜表面形貌.结果表明,CF基团成分增加而CF2基团成分减小导致了薄膜电子极化增强,介电常数增大.