InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究

• 作者: 康耀辉 邹鹏辉 陈辰 韩春林 高喜庆 高建峰
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 共振遂穿二极管 高电子迁移率晶体管 空气桥互连
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 606-610,619
• 分类号: TN305|TN386
• 字数: 1634字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2010.04.028

摘要

用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关键工艺,给出了这些工艺的相关参数.利用上述工艺成功地制作了RTD和HEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和HEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比(PVCR)为3.66;HEMT器件的最大跨导约为370 mS/mm.在Vds=1.5 V时的饱和电流约为391 mA/mm.这将为RTD与HEMT的单片集成研究奠定工艺基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹鹏辉	单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所	1	0	0.0	0.0
2	韩春林	单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所	1	0	0.0	0.0
3	高建峰	单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所	1	0	0.0	0.0
4	康耀辉	单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所	3	3	1.0	1.0
5	高喜庆	单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所	1	0	0.0	0.0