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半导体技术2008年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si/SiO2复合薄膜,以不同退火温度对样品进行热处理.对样品进行X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(FTIR)、光致发光(P...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上沉积了Zn0.93Mn0.07O薄膜,研究了氧分压对薄膜结构及吸收性能的影响.X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明,Mn2+取代了ZnO中的大部分Zn2...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶国家重点实验室,辽宁大连 116024;2.锡根大学材料工程研究所,德国锡根 57076)金级Si衬底上17...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的SiO2/4H-SiC界面的化学组成.获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1～1.5 nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂.实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533arcsec(非掺Al)下降到3...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系.在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性.结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1....
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38. 智能LED节能照明系统的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 介绍了一种新型智能LED节能照明控制系统,给出了系统的硬件设计和软件流程.给出了被动式热释电红外探测器和可见光探测器探测的数据,并通过单片机处理后与国家标准设定的数值进行了对比.简述了输出调...
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39. InP基谐振隧穿二极管的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景.加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点.研究并...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种改善npn和横向pnp晶体管放大倍数、扩散致窄电阻(受EB和CB结结深影响的基区电阻)阻值而又不影响其他器件特性的方法.不连续的SiOx可以作为宽禁带半导体材料加在多晶硅和单晶硅的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800～1200℃的高温退火.研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性.通过氢等离子体处理4H-SiC的表面,沉积Ti后可直接形成欧...
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42. 精密掩模清洗及保护膜安装工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 光刻工艺及其成品率对掩模洁净度要求极高.通过一系列研究分析,找到了传统掩模清洗工艺的一些缺点和局限性,借鉴和参考了传统掩模清洗工艺,克服了其局限性.基于精密掩模对加工质量的高要求,安装了保护...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要.介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 热超声键合是一个极其复杂的瞬态过程,利用常规手段不易了解此局部区域内的瞬态特性.针对这个问题,基于MSC.Marc大型非线性有限元分析软件建立了热超声倒装的几何模型,利用其强大的非线性分析能...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1:2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成.HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 单个芯片集成度的增大增加了全局同步设计的困难,于是出现了片上网络NOC的概念,其设计的核心是将计算机网络技术移植到芯片设计中来,因此需要利用某种路由算法来实现好的服务质量.通过对NOC网络通...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 目前各种LED显示器常采用8位/16位的微处理器,由于其运行速度、寻址能力和功耗等问题,已难满足显示区域较大、显示内容切换频繁的相对较复杂的应用场合.采用32位ARM嵌入式微处理器S3C45...
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48. 新型异步树型仲裁器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 树型仲裁器是异步电路中常用的电路,它的性能和鲁棒性对整个系统有很大的影响.针对以往树型仲裁器在设计和应用方面存在的问题,设计并实现了一种新型异步树型仲裁器,提高了异步树型仲裁器的鲁棒性.该仲...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 设计了一个用于流水线模数转换器(pipelined ADC)前端的采样保持电路.该电路采用电容翻转型结构,并设计了一个增益达到100dB,单位增益带宽为1 GHz的全差分增益自举跨导运算放大...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要：
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51. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要：
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52. 微电子封装材料的最新进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 总结了目前几类关键封装材料的发展现状,包括积层多层板、挠性板、无铅焊料、电子浆料等,指出了发展中存在的主要问题,并对国内外的生产研发情况和未来的发展趋势进行了概述.指出积层多层板和挠性板适应...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 遵循摩尔定律的预言,半导体集成电路工艺技术持续高速向深亚微米工艺发展,大规模集成电路设计技术是发展过程中需要解决的关键问题.基于片上总线的SOC设计技术解决了大规模集成电路的设计难点,但是片...
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54. 半导体光刻技术及设备的发展趋势刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化.通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研...
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55. 三极管粘片机S曲线加减速控制刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： S曲线加减速运动控制是中高档三极管粘片机系统中的一项重要功能.对S曲线加减速度算法进行了研究,从三极管粘片机的运动控制流程工艺要求出发,设置系统不同的运动参数.运用二分法迭代的编程思维对时间...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 在全自动LED粘片设备中,为了实时快速精确地识别出LED芯片,提出了一种新的金字塔-序贯相似性检测匹配算法,有机地结合了金字塔算法的快速性和序贯相似性检测匹配算法精确性的优点.该算法先采用金...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 介绍了LED固晶机的工作原理.阐述了其系统设计思想和实现方法,分析了其运动控制系统采用基于PCI总线的运动控制卡与口C工控机相结合的方案,其气动部分和机器视觉部分也是通过PCI总线实现相互间...
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58. 微通道板清洗设备研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 基于微通道板的清洗工艺,设计了清洗设备的结构,并对设备的核心部件详细说明.利用液体射流喷射实现喷淋清洗,采用液体液下喷射循环实现液体的紊流,减少了搅动和传动系统为系统带来的复杂性.利用超声和...
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59. 光谱响应在线测试仪的研制与应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 基于光电阴极光谱响应测试原理,研制了光谱响应在线测试仪,经多次实验验证,准确度达到1 nA,完全能够检测出NEA激活过程中产生的微弱光电信号,且具有良好的重复性.利用该光谱响应测试仪,成功实...
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60. 《半导体技术》稿约用投稿格式刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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