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半导体技术2008年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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271. 新型部分耗尽SOI器件体接触结构刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接触的侧面引出,适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 使用四种非离子表面活性剂分别添加到以SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂的碱性Cu抛光液中进行抛光实验.结果表明,所选用的非离子型表面活性剂对材料去除率的影响不大,当烷基酚聚氧乙烯醚在质量...
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273. 热压印中聚合物填充过程的仿真分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 基于有限元方法并借助ANSYS软件对热压印过程中二维的聚合物填充过程进行模拟.聚合物加热温度高于剥离转化温度时,采用Mooney-Rivlin模型表示聚合物的机械性能.详细分析了深宽比、凹槽...
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274. Si单晶片切削液挂线性能的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： Si片线切割过程中,切削液的挂线性能直接影响切片表面质量、切片速率、线锯寿命以及晶片成品率.为满足超大规模集成电路对Si衬底表面质量的要求,改进线切割液的性能,对影响线切割液性能的因素进行了...
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275. 集成电路Cu互连线的XRD研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XBD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向.对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况.实验结果表明,对于在...
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276. 蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺.工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌.发现不采用成核层直接生长...
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277. 掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜.研究了溅射功率对ZnO:Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射功率对ZnO:Zr薄...
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278. 基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究.通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认...
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279. VB-GaAs晶片翘曲度的控制方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法.通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度.经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因.单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随...
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282. GaN基侧向外延生长技术与特性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 为解决目前外延生长技术存在的弊端,总结了新的侧向外延方法以减少GaN中的位错密度,提高晶体质量.主要研究了在蓝宝石图形衬底上侧向外延生长GaN的技术.用MOCVD侧向外延技术的方法获得了很少...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素.采用化学机械抛光(CMP)技术对InSb进行表面加工,分析了CMP过程中抛光液的磨料质量分数和...
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284. 超声键合换能系统中劈刀的振动特性分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 阐述了Lyapunov指数作为振动信号的混沌判断原理,并对换能系统的振动信号进行分析与研究,计算了换能系统在不同加载压力下劈刀的振动时间序列的Lyapunov指数.结果表明振动信号中的最大L...
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285. 瞬变电压抑制器失效模式和失效机理研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 由于目前对TVS自身可靠性的研究较少,提出了对TVS产品的可靠性研究.这项研究得到国内TVS生产厂家的支持,对该厂6个型号TVS筛选进行了跟踪.根据筛选失效数据,对温度循环、箝位冲击、高温反...
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286. PBGA组件振动疲劳寿命的实验研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 为了得到在基频激励下PBGA封装的可靠度特性,设计制作了一块包含不同结构和材料参数的PBGA组件样品,利用可靠性实验的方法测试了PBGA组件在正弦单频激励条件下的疲劳特性,同时运用Manso...
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287. 小封装二极管的热阻测试刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 随着封装体积的减小,半导体分立器件引线的外露部分也越来越小,这给引线温度的测试带来了巨大挑战.以封装外形为SOD-123FL的小电流整流二极管为例,介绍了结到引线的热阻和结到环境的热阻的测试...
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288. 八通道多协议串行通信控制器的功能验证刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 超大规模集成电路芯片的验证是一项复杂的任务,占据了整个芯片设计工作量的70%.实现了一款八通道多协议串行通信控制器芯片的功能验证,介绍了基于总线功能模型验证平台的建立方法,并根据此芯片的设计...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析.以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究.提出的高速采样保持电路(SH)采用SiG...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要：
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292. 征稿启示/《半导体技术》稿约及投稿方式刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要：
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293. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要：
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294. 基于新型共基质电子传输层的有机发光器件刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 研究了Liq:Bphen混合层的电子传输特性.采用该混合层作为共基质电子传输层制备了结构为[ITO/m-MTDATA/NPB/Alq3/Liq(33%):Bphen/LiF/Al]的有机发光...
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295. 多应力结构CMOS器件的模拟研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 使用TCAD仿真工具Sentaurus在45 nm节点工艺下模拟研究了包含多应力结构的应变Si CMOS器件.模拟所得的开关电流比与相同节点工艺下报道的实验结果能很好吻合,验证了所用模型及方...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 通过对DC/DC转换器低频噪声测试技术以及在γ辐照前后电性能与1/f噪声特性变化的对比分析,发现使用低频噪声表征DC/DC转换器的可靠性是对传统电参数表征方法的一种有效补充.对DC/DC转换...
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297. LED光源在矿井工作面照明灯中的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 对目前我国煤矿用灯作了简单的介绍,指出了煤矿用灯的发展方向应为节能、本质安全型;阐述了采煤工作面本质安全型LED照明灯应该具备的条件,分析了LED的发光机理.通过光谱分析,得出了LED在实际...
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298. 微波pin二极管电阻与温度的关系刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 研究了四种pin二极管电阻的温度特性.结果表明二极管结面积的大小,也就是二极管结电容的大小,影响着二极管的表面复合和二极管的载流子寿命,决定了二极管的温度性能.器件的钝化方式和几何结构对二极...
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299. 直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化.实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率...
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300. 基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量刊名： 半导体技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 根据太赫兹时域光谱系统(TDS)的测量原理,提出了一个考虑F-P效应的半导体材料参数测量方案.利用该方案可以在时域波形中,截取多个反射回峰,以提高材料参数提取的精确度.另外,考虑到多重反射对...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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