半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 何平 孙以材 李晓丽 李晓琳 钟晓泉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  216-219
    摘要: 介绍了一种新型、高精度的智能气体体积分数测量设备.该设备将ARM7应用到电路中,利用其强大的数据计算处理能力及控制能力,设计出了显示气体体积分数值的测试电路.传感器输出的电信号采用牛顿插值法...
  • 作者: 任晓敏 崔海林 李轶群 江琳琳 黄永清 黄辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  220-222
    摘要: 对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构在集电极区和次集电区之间插入一层特定厚度的P-InGaAs和两层特定厚度但不同...
  • 作者: 何玉娟 刘洁 师谦 恩云飞 罗宏伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  223-226
    摘要: SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计.对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进...
  • 作者: 刘琦 刘磊 柯导明 洪琪 陈军宁 高珊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  227-230
    摘要: 提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构(DMG-LDMOS),并给出了工艺实现方法.此结构采用了栅工程的概念,所设计的栅电极由S-栅和D-栅两块电极并列组成,其中,S-栅采用功...
  • 作者: 吴为敬 吴朝晖 姚若河 邓婉玲 郑学仁 陈荣盛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  231-234
    摘要: 多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用.随着尺寸的不断缩小,P-si TFT 的Kink效应越来越明显,对有源液...
  • 作者: 李海霞 毛凌锋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  235-238
    摘要: 随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要.在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响.研究表明,...
  • 作者: 徐艳蕾 焦玉斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  239-241
    摘要: 有机电致发光显示器件(OLED)被认为是LCD最强有力的竞争者.因OLED显示屏的像素驱动电路至少由两个TFT管和一个电容组成,在实际制作驱动电路中,电容面积较大,影响显示屏开口率.基于对像...
  • 作者: 杜宏伟 林悦香 江景涛 潘志国 魏昕
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  242-244
    摘要: 通过化学腐蚀方法研究了liTaO3(LT)晶片的化学机械抛光的化学腐蚀机理,研究了LiTaO3单晶的化学机械抛光过程腐蚀作用的主要影响因素及其影响规律,获得了LiTaO3晶片CMP过程有效的...
  • 作者: 孙震海 郭国超 韩瑞津
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  245-247,256
    摘要: 研究并讨论了在WSix制备的前清洗中,用气态氟化氢(HF)清洗时,多晶硅表面有从其体内析出的含磷物,这种析出物很容易跟气态HF中的微量水汽结合,形成HPO3晶体.这样的晶体在Si片表面不容易...
  • 作者: 关荣锋 王杏 田大垒
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  248-251
    摘要: 介绍了有限元软件在大功率LED封装热分析中的应用,对一种多层陶瓷金属(MLCMP)封装结构的LED进行了热模拟分析,比较了不同热沉材料的散热性能,模拟了输入功率以及强制空气冷却条件对芯片温度...
  • 作者: 乔峻石 李冬梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  252-256
    摘要: 基于UMC 0.18 混合信号工艺,设计了一种低功耗逐次逼近ADC,重点考虑了功耗的优化和电路的改进,采用了开关运放技术,降低了传统缓冲器30%左右的能量消耗,同时比较器低功耗的设计也使该A...
  • 作者: 任怀龙 冯威 吴思汉 吴洪江 廖斌 陈兴 默立冬
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  257-260
    摘要: 介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术.采用O.18 μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 ...
  • 作者: 周继承 李嘉颖 罗宏伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  261-263,268
    摘要: 研究了传统传输线脉冲测试波形的失真机理,实现了一种基于R-2R网络的负载电路匹配特性优化设计方案,与传统传输线脉冲测试波形相比,优化之后的系统消除了传统设备所产生脉冲波形的过冲和振荡现象.从...
  • 作者: 李博 程鹏 魏廷存 魏晓敏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  264-268
    摘要: 混合信号VLSI芯片的单片特性验证是此类芯片的设计难题之一.针对典型的混合信号VLSI芯片--单片集成薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片,设计了一种能够直观模拟液晶显示的系统级验...
  • 作者: 施亮 林昆 程秀兰 顾怀怀
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  269-271,274
    摘要: 金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性,因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注.对比分析讨论了量子限制效应与库仑阻塞效应对金属纳米晶费密能级的影响后,发现库仑阻塞效应会严...
  • 作者: 何大伟 王生国 胡志富 蔡树军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  272-274
    摘要: 分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性.设计了频率在20 GHz以下GaAs基微波单片电路中通孔的专门测试结构并建立了其对应的等效电路,用去嵌入寄生参数的方法和安捷伦公司标准的IC-C...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  275-276
    摘要:
  • 作者: 张福俊 徐征 王赟 田雪雁 袁广才 赵谡玲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  277-280
    摘要: 介绍了有机无线射频识别(RFID)标签的工作及制备技术原理.为了解决RFID标签的高成本一直制约RFID技术普及的问题,提出了采用有机半导体进行RFID标签制备的方案,分析了有机RFID标签...
  • 作者: 张建华 李清华 殷录桥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  281-285
    摘要: 阐述了LED封装材料对大功率LED散热和出先的影响及大功率LED的发展趋势.指出目前大功率LED研究的瓶颈是如何提高散热和出光以及封装互连材料在提高大功率LED散热.和出光方面所具有的重要影...
  • 作者: 张世林 张彬 毛陆虹 郭维廉 陈燕
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  286-288,315
    摘要: 在光纤通信中,光调制器光信号调制发挥着不可替代的作用.介绍了光调制器的发展历程争最新进展,详细分析了不同种类的Si基光调制器的工作原理.与化合物材料光调制器进行了对比,指出最新技术利用Si作...
  • 作者: 冯泉林 库黎明 张国栋 盛方毓 索思卓 葛钟 闫志瑞 陈海滨
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  289-291
    摘要: 在直径300mmSi片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度.通过选择#2000和#3000砂轮对Si片进行磨...
  • 作者: 刘兆滨 孙艳芝 宋恩军 富扬 边玉强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  292-295
    摘要: 综述了国内外太阳能光伏产业及半导体等高精端电子产业中硬脆性材料线切削液的发展、分类和应用.归纳总结了国内外近年来切削液的使用量,对2008年的市场需求进行了预测,重点分析综述了国内外水性切削...
  • 作者: 范亚飞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  296-299
    摘要: MEMS独特的结构和特性,给划片工艺带来了巨大的挑战.介绍了传统砂轮划片技术在MEMS芯片生产中的局限性,指出了隐形激光划片技术的优越性,综述了激光划片技术在MEMS划片中的应用,对几种较成...
  • 作者: 小森雅晴 广恒辉夫 方素平 梅雪松 植山知树 赵宇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  300-303
    摘要: 在对日本一些著名半导体生产企业实际生产中所用的质量控制方法和企业生产规范进行认真分析的基础上,提出了一组具有代表性的主要检测项目和相应的检测方法.设计了一组芯片切割实验方案并进行了切割实验,...
  • 作者: 庄力 李巨晓
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  304-307
    摘要: 机械振动是直拉法单晶生长过程中不可避免的因素,影响单晶的正常生长.从生长机理方面看,传递到熔体的振动会引起熔体内对流的变化,对固-液界面的稳定性造成干扰,从而影响单晶的品质和无位错生长;从操...
  • 作者: 刘春香 李响 杨洪星 赵权
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  308-310
    摘要: Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐照能力,在红外光学、航天领域具有极大的应用潜力.通过对Ge单晶抛光片清洗技术进行研究,有效提高了Ge抛光片的表面质量,降低了Ge抛光片的表面颗粒度,控制...
  • 作者: 彭海涛 杨红伟 赵懿昊 赵润 陈国鹰 陈宏泰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  311-315
    摘要: 分析了提高激光器电光转换效率的几种途径,认为降低激光器工作电压、串联电阻和阈值电流可以提高激光器转换效率.分别对Ga0.5InP和AlxGaAs对称波导激光器进行了模拟,结果表明,AlxGa...
  • 作者: 李文军 杨华岳 王俊 董业民 邵丽 邹欣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  316-319
    摘要: 利用0.15 μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管.观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰.实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有...
  • 作者: 侯斌 李君飞 申发华 胡玥 饶海波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  320-323
    摘要: 基于水溶性感光胶的白光LED表面涂层技术,阐述了含有荧光粉感光胶悬浮液的配比和封装结构对白光LED出光效率的影响,提出了相应的改进措施,通过实验证实提高了白光LED器件的整体性能.同时,对利...
  • 作者: 刘黎明 杨培志 杨明珠
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  324-327
    摘要: 采用柠檬酸溶胶-凝胶法(Pechini工艺)制备了钇钡铜氧(YBCO)溶胶,在SiO2/Si(110)衬底上生长了非晶YBCO薄膜.通过差热-热重分析得到了非晶YBCO薄膜的热处理务件.讨论...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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