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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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  • 91. 平面型RTD制作过程中的两个关键工艺
    作者： 于欣 张世林 梁惠来 牛萍娟 王伟 郭维廉 陈乃金
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  328-332
    摘要： 采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温...
  • 92. 射频E类功率放大器并联电容技术研究
    作者： 何莉剑 张万荣 李佳 沈珮 甘军宁 谢红云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  333-335,359
    摘要： 为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值.分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法.指出了E类功率放大器设计过程...
  • 93. 基于FPGA的TH-UWB窄脉冲信号发生器设计与实现
    作者： 李全 李晓欢 陈倩 陈石平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  336-338
    摘要： 给出了一种基于FPGA的TH-UWB窄脉冲信号发生器的实现方法.信号采用脉冲位置调制,调制后的信号利用FPGA片内逻辑门的延时特性,编写延时程序产生携带调制信息的窄脉冲.在Altera DE...
  • 94. 基于温度补偿的1V CMOS电流基准源
    作者： 徐俊平 朱冬勇 朱文举 朱樟明 杨银堂
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  339-342
    摘要： 利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源.使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点.在1 V工作电压...
  • 95. 基于OTA的有源Gm-C复数带通滤波器的设计
    作者： 任怀龙 吴思汉 吴洪江 赵宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  343-345
    摘要： 设计了一种基于OTA的有源Gm-C复数带通滤波器,用以实现射频前端芯片中的中频滤波和镜像抑制功能,该滤波器采用Gyrator结构,将低通原型滤波器中的集总电感用有源电感进行替换,并依据复数变...
  • 96. 高速CORDIC算法的电路设计与实现
    作者： 付东兵 姚亚峰 杨晓非
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  346-348
    摘要： CORDIC(coordinate rotation digital computing)算法能够通过简单的移位、加减运算得到任意输入角度的正弦或余弦值,具有速度快、精度灵活可调、硬件实现简...
  • 97. 用于数控跳频滤波器的计算机辅助测试系统
    作者： 吴立丰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  349-351
    摘要： 数控跳频滤波器是滤波器家族中的重要组成部分.随着产品成熟度的不断提高,批量生产成为可能,原有的手动工测试方法显然已不能胜任大量的产品测试工作.介绍了利用先进的计算机软件舜口硬件技术,结合矢量...
  • 98. ISO/IEC18000-6B标签逻辑电路低面积设计
    作者： 张春 王志华 骆元舒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  352-355
    摘要： 简要介绍了射频识别技术(RFID)协议ISO/IEC 18000-6B的通信,并基于该协议用VHDL语言设计了标签的逻辑部分电路.设计时运用命令分类、实时处理、资源共享等技术减少硬件资源,在...
  • 99. 基于0.18 μm RF CMOS工艺的低相噪宽带LC VCO设计
    作者： 周玉洁 张俊波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  356-359
    摘要： 介绍了一种低功耗、低相噪和超宽频率覆盖范围的全差分电感电容结构的压控振荡器(VCO)设计.采用开关控制的二进制MIM电容阵列对频率进行粗调,再结合MOS可变电容进行微调,实现了极大的频率覆盖...
  • 100. 大功率半导体激光器加速寿命测试方法
    作者： 仲琳 安振峰 张存善 王晓燕 荣宝辉 陈国鹰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  360-362
    摘要： 大功率半导体激光器在高可靠性光学系统的应用中,寿命值预测十分关键.采用808 nm波长的无Al大功率半导体单管激光器进行了40、80℃的恒定温度的加速老化试验.应用Arrhenius和对数正...
  • 101. 耿氏二极管的几种失效模式及其机理分析
    作者： 张士芬 徐立生 高兆丰 高金环
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  363-365
    摘要： 介绍了耿氏二极管的工作原理及其基本结构,通过外观检查、电特性测试、环境试验、内部目检、X射线及扫描电镜(SEM)检查等失效分析手段和方法,针对耿氏二极管在使用过程中较常出现的短路、开路及管帽...
  • 102. 瞬态热阻测试在贴片二极管在线测试中的应用
    作者： 保爱林 傅剑锋 管国栋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  366-368
    摘要： 表面贴装整流极管的焊接质量直接影响其可靠性.提出了通过测试与瞬态热阻等价的热敏电压增量来评价焊接质量、筛选焊接不良的产品.利用TRR8000测试仪对样品进行合适条件下的在线筛选,能够有效剔出...
  • 103. CMP后清洗技术的研究进展
    作者： 雷红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  369-373
    摘要： 化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低.介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗荆...
  • 104. Cu互连及其关键工艺技术研究现状
    作者： 刘梦新 杜寰 赵超荣 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  374-377
    摘要： 低介电常数材料和低电阻率金属的使用可以有效地降低互连线引起的延时.Cu因其具有比Al及Al合金更低的电阻率和更高的抗电迁移能力而成为新一代互连材料.论述了Cu互连技术的工艺过程及其研究发展现...
  • 105. 用于制造微波多芯片组件的LTCC技术
    作者： 吴小帅 方一波 边国辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  378-380
    摘要： 低温共烧陶瓷(LTCC)是实现微波多芯片组件(MMCM)的一种理想的组装技术,具有高集成密度、多种电路功能和高可靠性等技术优势.介绍了国内外应用于微波组件的LTCC技术发展现状,概述了LTC...
  • 106. BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用
    作者： 吕洪涛 张铮栋 程东方
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  381-383,408
    摘要： 利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计.将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS...
  • 107. 埋栅型静电感应器件研制中的外延技术
    作者： 李思渊 李海蓉 李海霞 雷景丽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  384-387
    摘要： 对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外廷层的方块电阻达到40 000 Ω/□.实验证明,该方法能有效抑制自掺杂效应和扩...
  • 108. 富Si的SiN薄膜光致发光及电致发光研究
    作者： 李东升 杨德仁 王明华 黄建浩
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  388-390,421
    摘要： 采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备了三种不同化学计量比的富Si的SiN薄膜,并对其光致发光及电致发光性能进行了研究.研究发现,随着Si含量的增加,薄膜的光致发光峰位从460 nm红...
  • 109. 200 mm高阻厚层Si外延技术研究
    作者： 袁肇耿 魏毓峰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  391-393,449
    摘要： 针对国内市场对200mm Si外延产品需求持续增长,其中高阻厚层产品需求量最大的情况,研制开发了200 mm高阻厚层Si外延片,解决了规模生产中工艺参数控制的稳定性、均匀性和一致性.介绍了一...
  • 110. 红外光学用Ge双面抛光片抛光工艺条件研究
    作者： 刘春香 杨洪星 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  394-396
    摘要： 分析了不同抛光条件下,Ge双面抛光片的表面状况,通过抛光压力、抛光液中氧化荆的比例、抛光机转速和转速比等条件的改变,阐述了这些因素对抛光速率、抛光片正反面质量的影响,得到了相应的关系图表.根...
  • 111. PECVD SiO2 薄膜内应力研究
    作者： 孙俊峰 石霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  397-400
    摘要： 研究了等离子体增强化学气相淀积(PWCVD)法生长SiO2薄膜的内应力.借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功...
  • 112. 基于DOE优化设计抛光工艺参数
    作者： 何良恩 刘建刚 卢海参
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  401-403
    摘要： 适宜的抛光工艺参数对Si片表面平整度TTV、TIR、STIR等参数起到至关重要的作用.介绍了化学机械抛光(CMP)有效实现Si片全局和局部平坦化的方法和设施,指出并说明CMP是一种化学作用和...
  • 113. 基于噪声奇异性的光耦器件爆裂噪声检测新法
    作者： 王党会 谢端 赵健 郭秀梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  404-408
    摘要： 为了准确客观地检测出爆裂噪声的存在,提出了基于噪声信号奇异性的光耦器件爆裂噪声检测方法.通过对光耦器件噪声样本的计算发现,含有大量爆裂噪声的样本,其平均H(o)lder指数接近于0,反映到局...
  • 114. 新型的3D堆叠封装制备工艺及其实验测试
    作者： 伊廷荣 成立 植万江 王玲 范汉华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  409-413
    摘要： 为了满足超大规模集成电路(VLSI)芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求,采用了一种基于贯穿硅通孔(TSV)技术的3D堆叠式封装模型.先用深反应离子刻蚀法(DRIE)形成通孔,然后利用离...
  • 115. 基于LTCC技术的SIP研究
    作者： 吴洪江 洪求龙 王绍东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  414-416
    摘要： SIP是继SOC后快速发展起来的,采用微组装和互连技术可以在单封装内实现子系统或系统功能.低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现SIP的重要途径.采用LTCC技术的SIP具备高集成度,方便集成无...
  • 116. 基于近似模型的电子封装散热结构优化设计
    作者： 任远 白广忱
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  417-421
    摘要： 针对封装散热结构优化问题中存在的难点,提出了一种基于近似模型和随机模拟的快速全局优化方法.利用Kriging方法建立封装散热结构的近似模型,重构原始的优化问题,采用随机模拟对重构出的目标函数...
  • 117. GaN外延材料测试技术的研究
    作者： 刘岳巍 张志国 杨勇 闫德利 陈宏江 高蒙 高金环
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  422-424
    摘要： 分别用金属In和Ti/Al/Ni/Au合金层制备GaN HEMT结构外延片的霍尔测试电极,并对样品进行霍尔测试.发现In金属与外延片形成非欧姆接触,Ti/Al/Ni/Au合金层与外延片形成良...
  • 118. 基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计
    作者： 张万荣 张蔚 李佳 沈佩 甘军宁 谢红云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  425-427,445
    摘要： 基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计.为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法.选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型...
  • 119. 用改进的遗传算法提取PIN光探测器模型参数
    作者： 任晓敏 梅文丽 黄永清
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  428-430
    摘要： 光探测器是光电集成电路接收机的重要组成部分,成功提取光电探测器等效模型电路的参数将会对光电集成的研究起到重要作用.将改进的遗传算法用于PIN光探测器小信号等效电路模型参数的提取和优化中,实现...
  • 120. 相变存储器驱动电路的设计与实现
    作者： 刘波 宋志棠 封松林 沈菊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  431-434
    摘要： 介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成.该结构用于16Kb以及1 Mb容量的...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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