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半导体技术2010年第3期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展.介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 日益成熟的集成电路工艺与器件计算机辅助设计工具有助于缩短半导体工艺和器件的开发周期、降低开发成本,因而越来越被广泛应用.基于TCAD工具,给出了一种简单pn结太阳能电池的工艺过程,详细介绍了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用化学气相沉积法,不用催化剂,在Si(111)基片上制备了ZnO纳米线.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在100 am左右.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(00...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 为了提高Si片的抛光速率,采用复合磨粒抛光液对Si片进行化学机械抛光.根据检测到的聚合物微球的Zeta电位,利用DLVO理论分析计算了PS,PMMA和BGF聚合物微球与SiO_2磨粒在抛光液...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离.现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO:Ag薄膜.借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法,分析了O_2气氛下退火温度对薄膜结构和电学性能的影响.霍尔测试结果表明,Ag掺杂...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 在光电器件的制造过程中,用光学玻璃晶片作为电路制作的基板材料.玻璃晶片通过在大面积的玻璃面板上划圆获得.划圆后会形成非常锐利的边缘,需要将锐利边缘磨削成圆弧形,以减少在后续加工中产生破损、崩...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 目前,在半导体闪存多芯片的金线键合工艺中,为满足堆叠芯片不断增加等结构需要,键合线弧要求更低、更长,制造工艺变得相对更加复杂.针对生产过程中常遇到的"塌线"问题,通过对金线键合工艺中线弧形成...
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10. Au丝键合改为Cu丝键合技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 现阶段Au丝作为内引线一直占着键合的主导地位,由于Cu丝具有优良的电性能和价格优势,随着键合技术的发展,以Cu丝代替Au丝作为键合用内引线已经成为必然,封装行业许多厂家正热衷于将原有的Au丝...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 研究了使用聚焦离子束(FIB)方法制备低k介质的TEM样品时离子束参数对介质微观形貌的影响,发现低k介质的微观形貌与离子束参数具有较强的相关性.传统大离子束流、高加速电压的FIB参数将导致低...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 以GaAs和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩Zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩Zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系.化合物半导体...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 介绍了一种用机械研磨法制备集成电路TEM楔形样品的技术,讨论了该制样技术所需注意的关键点,并给出了判断样品薄区是否满足TEM分析要求的两种方法.楔形样品减薄技术兼具制样速度快和样品质量好的优...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 介绍了超大规模集成电路中SiO_2介质的化学机械抛光机理及抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色.通过单因素实验法,在低压力的实验环境下,着重分析了抛光液中表面活性剂、pH值调节剂、纳米磨料等...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 为了提高有机电致发光器件OLED的发光效率,引入2T-NATA作为空穴注入层,制备了结构为ITO/2T-NATA(X am)/NPB(25 nm)/Alq_3:C545T(20 nm:质量分...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用聚苯乙烯球作为掩膜层,对ITO(氧化铟锡)薄膜进行干法蚀刻实现ITO表面的粗化,提高GaN基大功率LED芯片外量子效率.利用AFM及SEM对ITO表面进行表征,比较了微球尺寸对ITO表面...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱红外探测器外延材料.通过对量子阱红外探测器材料特性和器件特性的实验测试及理论分析,研究了量子阱红...
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18. 高精度ADC有效精度的测试方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用IEEE标准提供的方法对ADC测试,要求信号源的精度比被测ADC的精度高.对于高精度ADC,需要更高精度的信号源.如果没有这种更高精度的信号源,就不能准确测出ADC的精度.给出了一种不需...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 标准互连线性能参数SIPPs是衡量ULSI后段制程效能的标准方法.结合纳米工艺后段制程的特点,根据各参数对不同测试结构敏感度的差异,设计了平行板电容、层跃平行板电容、叉指型电容、叉指型通孔链...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 在对塑封集成电路进行封装可靠性评估中,预处理过程是必经的步骤,其中的浸润测试通常在非加速条件下进行,耗时较长.在市场竞争日趋激烈的环境下,企业迫切需要缩短新产品的可靠性验证时间.针对JEDE...
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21. 能量回收技术在D触发器上的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 将能量回收技术应用于灵敏放大器型D触发器(SAERD),该电路采用单相正弦时钟,用来回收时钟端的能量,对于触发器的内部节点和存储单元仍采用恒定电源.在时钟频率为100～300 MHz时.时钟...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 通过分析InGaP/GsAs HBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设计HBT功率器件单元和匹配电路,开发了一个大功率、...
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23. 光收发器中光电集成接收芯片的实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 针对应用于850 nm光通信中的10/100 Mbit/s收发器,提出采用0.5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成.整体芯片面积为0.6 mm~2,共集成了一个双光电二极管...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 提出一种新型基于源极跟随器的零极点型滤波器.提出的单支路全差分的双二阶单元采用两个前馈电容综合复数零点,用于实现连续时间零极点型滤波器.源极跟随器在电压域直接处理信号使得该双二阶单元以低功耗...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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