半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 刘杰 夏洋 李超波 杨威风 汪明刚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  626-629
    摘要: 基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法--等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核...
  • 作者: 宁宁 宁敏东 张栓记 王松德
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  630-633
    摘要: 模-数-差信号发生器主要由集成压控振荡器ICL8038构成的函数信号发生器电路、模.数.差变换与输出电路以及电源电路组成.设计是在函数信号发生器和双路直流电源基础上,采取比例放大、串联分压、...
  • 作者: 陈晓华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  634-636
    摘要: 示波器探头在电路测试中起着至关重要的作用.探头的使用应不以任何方式影响到信号本身.介绍了示波器探头的定义,并详细论述了实际工作中最常用的无源电压探头的原理、在实际测试中对电路的影响以及使用时...
  • 作者: 任勇 任艳频 巫新民 秦俭 阎捷 陈莉平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  637-639
    摘要: 针对电子技术实验无法进行多芯片同时测试的问题,提出了一种基于FPGA和上下位机联动配置技术的智能式多芯片测试方案.该方案实现了同一插槽测试不同芯片和集成电路测试台上多个芯片同时测试的功能.介...
  • 作者: 康卫
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  640-643
    摘要: 基于激光加5-技术,首先对激光打标的定义进行了阐述,介绍了激光器的种类、控制系统的演变及激光打标的优势,详细说明了激光打标机的工作原理,结合原理对激光打标机的系统组成、激光电源、激光的产生、...
  • 作者: 申承志 郝晓亮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  644-646,657
    摘要: 基于实际应用,介绍了半导体设备真空结构和真空室常用部件,讲述了He质谱检漏仪的使用方法.总结了真空检漏的经验,阐述了微漏难检的现状.分析了磁控溅射台和ICP真空故障,采用静压检漏法和He质谱...
  • 作者: 袁秀丽
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  647-649
    摘要: 通过对故障树分析法的运用,建立了半导体设备系统的故障树.对该故障树进行了定性分析和定量分析,求解出故障树的最小割集.分析了该系统的薄弱环节,并采取补救措施.通过对采取措施前后故障树顶事件发生...
  • 作者: 詹训进
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  650-653,690
    摘要: 针对传统的可控硅模拟测试仪器存在操作不便的缺点,提出了一种基于ARM7及LCD显示的数字化可控硅测试仪设计方案,给出总体设计思路及相关测量电路原理图,并着重介绍系统测试原理及高、低测量电压源...
  • 作者: 吴立丰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  654-657
    摘要: 频综是微波系统的主要信号发生器,跳频电台、雷达等无线通讯系统都需要频综.随着频综需求量和复杂度的增加,设计高效的测试频综的设备是十分必要的.介绍一种将先进的计算机软硬件技术和仪器自动测量技术...
  • 作者: 何庆国 冯志红 刘博宁 李亮 王丽 王勇 蔡树军 陈昊 默江辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  658-660,668
    摘要: 采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiC MESFET.优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗.优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对...
  • 作者: 毕津顺 海潮和 韩郑生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  661-663
    摘要: 对比研究了20 μm/0.35 μm的SOI(绝缘体上硅)普通MOS和DTMOS(动态阈值MOS)的温度特性.从20~125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了...
  • 作者: 林伟 陈文哲 黄世震
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  664-668
    摘要: 采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化钨/多壁碳纳米管(WO3/MWCNTs)薄膜材料,并在此基础上研制NO2气敏元件.采用X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SE...
  • 作者: 李贯平 杨立武 梁聪 滑育楠 高怀
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  669-672
    摘要: 介绍了GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构.通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复合晶体管在整...
  • 作者: 刘永利 刘清华 潘成福
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  673-675
    摘要: 采用离子注入方法在Si基底上制备了Fe和N共掺Si的薄膜样品.在没有N原子共掺的情况下,样品中掺入的Fe原子与Si反应生成了FeSi2,且薄膜的铁磁性非常微弱;而Fe与N共掺样品中没有发现F...
  • 作者: 伍益 周聪华 左舜贵 杨兵初 熊健
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  676-679
    摘要: 用双靶直流磁控共溅射方法在FTO透明导电玻璃上沉积掺W的TiO2薄膜.采用原子力显微镜、喇曼光谱仪和透射光谱仪对其表面形貌、晶体结构及光学性能进行了分析.研究发现适量的掺w有利于改善TiO2...
  • 作者: 季静佳 朱凡 李果华 王振交 钱洪强 韩培育
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  680-683,709
    摘要: 首先使用工业型Direct-PECVD设备,采用SiH4和N2O制备了SiOx薄膜.针对Si太阳电池的应用,比较了SiOx薄膜在不同射频功率、气压、气体流量比和温度下的沉积特性,得出了最佳的...
  • 作者: 刘春娟 刘肃 张彩珍 王永顺
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  684-686
    摘要: 利用溶胶-凝胶旋涂制膜方法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Li,Mg):ZnO薄膜.重点研究了该法制膜时不同膜厚(Li,Mg):ZnO薄膜的结构及光学性质.扫描电子显微镜(SEM)...
  • 作者: 崔严匀 李金华 黎磊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  687-690
    摘要: 用磁控溅射方法沉积制备的Ag/Ti-W/Ni-Cr三层复合电极薄膜上的Ag膜在工艺中容易脱落,而SiO2衬底上的Ag膜则具有良好的粘附性能.X射线衍射方法常用来检测薄膜中的应力,用X射线衍射...
  • 作者: 周斌 邱宝军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  691-694,698
    摘要: 采用显微形貌、微观结构和元素成分分析等物理分析方法,以不同类型的化镍浸金(electroless nickel/immersion gold,ENIG)基板为对象,分析了其焊点在不同情形下的...
  • 作者: 李用兵 江西元 王长河 田国强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  695-698
    摘要: 介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方渡,研究了器件在静态时的损伤阈值.根据GaAs器件易损性薄弱环节,从GaAs器件的结构、内部缺陷等出发...
  • 作者: 张晓鹏 彭彬 段哲民 秦勤 马裕
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  699-702
    摘要: 针对传统半导体设计流程中对MCU芯片进行功能性验证时涉及到多个芯片之间的互联,手工操作连接十分烦琐且易出现错误,介绍了一种基于FPGA的MCU引脚自动互联的设计与实现.介绍了MCU模块功能性...
  • 作者: 刘抒 叶景良 辛娟娟 韦旎妮 黄红伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  703-705,731
    摘要: 在半导体器件的失效分析中,缺陷定位是必不可少的重要环节.光发射显微镜(PEM)是IC失效定位中最有效的工具之一.PEM利用了IC器件缺陷在一定条件下的发光现象,迅速定位缺陷.而聚焦等离子束(...
  • 作者: 张丽华 金华江
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  706-709
    摘要: 研究高温熔融法制备的CaO-B2O3-SiO2与溶胶凝胶法(sol-gel)法制备的CaO-B2O3-SiO2按不同比例制备的复相陶瓷,在850℃烧结温度下的晶相组成、微观结构、烧结性能、介...
  • 作者: 姚娅川
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  719-722
    摘要: 利用嵌入式芯片构成图像采集系统,实现了图像采集的实时性、连续性和高分辨率.该系统采用CMOS图像传感器芯片,将采集到的图像信号经过一系列处理并输出,通过嵌入式芯片S3C2440接收图像传感器...
  • 作者: 刘海南 周玉梅 高雷声
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  723-726
    摘要: 提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO线性稳压器,主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给.该稳压器采用RC补偿方案,与其他补偿方法相比,RC补偿几乎不消耗额外电流.误差放大器采用折叠共源...
  • 作者: 卫宝跃 周玉梅 陈利杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  727-731
    摘要: 设计了一种10 bit 40 MS/s流水线模数转换器.通过采用自举开关和增益提升的套筒式共源共栅运放,保证了采样保持电路和级电路的性能.该模数转换器采用TSMC 0.35 p.m CMOS...
  • 作者: 周长胜 许程成
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  732-735
    摘要: 设计实现了一种用于D类音频功率放大器中的自动增益控制系统,通过自动调整D类功放的增益,增大了D类音频功放的输入信号范围,避免了削波失真,使得D类音频功放能够在较宽信号输入范围内保持良好的总谐...
  • 作者: 史琳 王好德 王永顺
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  736-739
    摘要: 传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值.主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准产生原理与传统电路结构分析的基础上,设计出一种高PSRR输出可调带...
  • 作者: 唐文圣 敬守钊 王韧
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  740-743
    摘要: 利用对均匀传输线加载电纳可以改变其传输特性的原理设计了一个L波段六位色散数字移相器.借助ADS软件及25.D仿真器Momentum,建立PIN二极管的SPICE模型,使用Au丝测试得的S参数...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  744-745
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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