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半导体技术2011年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌；分析了其切割机理及去除模式；对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性；采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 基于GaAs pHEMT工艺,设计了一个6～ 18 GHz宽带有源倍频器MMIC,最终实现了较高的转换增益和谐波抑制特性.芯片内部集成了输入匹配、有源巴伦、对管倍频器和输出功率放大器等电路....
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153. 高共模输入电平的迟滞比较器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器.此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳...
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154. 高隔离度Ka波段平面魔T的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 提出了一种适合于毫米波微波集成电路(MIC)的高隔离度平面魔T结构,该结构属于一种新型的180°平面型混合网络.基于传统的微带混合环原理,引入了微带-槽线过渡的结构,两个端口之间的180°相...
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155. VHF频段通信系统中功率放大器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 设计了一款甚高频(VHF)波段功率放大器电路.该功率放大器使用MOS管BLF244的推挽式结构,采用集电极负反馈偏置技术和集总元件、传输线变压器混合匹配电路进行实现.使用集电极负反馈技术确保...
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156. 微波晶体管测试夹具技术的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分.由于其高频特性以及一般非50 Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度.晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上...
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157. Si微波功率晶体管加速寿命试验夹具的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 温度应力的加速寿命试验结果与所用夹具的耐温性及壳温的精确测量与控制直接相关.通过大量研究,发现一体式夹具在试验壳温提高到某一值时性能迅速劣化,因此设计符合高温下使用的分离式夹具是加速寿命试验...
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158. X射线照相发现的管壳缺陷分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 现在对半导体器件的可靠性要求越来越高,因此对器件的质量检测提出了严格的要求,为了能准确检测器件质量是否合格,使用X射线检测技术对器件进行无损检测.X射线对缺陷损伤做快速精确探测分析具有方便、...
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159. 高功率半导体激光器测试系统刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 利用SGI40 - 125AAA型程控直流电源、PCI - GPIB卡、电压表、功率计表以及光谱仪等建立高功率半导体激光器测试系统,并在LabVIEW环境下开发了测试软件,通过软件控制直流电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要：
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161. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要：
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162. ZnO纳米棒水热法制备及其发光特性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 采用氢氧化钾(KOH)和二水醋酸锌(Zn (CH3COO)2·2H2O)配制不同浓度的反应溶液,反应过程中加入表面活性剂聚乙二醇(HO(CH2CH2O)13H),在80℃水热反应条件下制备出...
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163. 小型化三维发夹型LTCC宽带带通滤波器刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 利用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺,通过通孔互联实现了三维结构的发夹型宽带带通滤波器.该结构将谐振单元的横向尺寸转移到z轴方向实现,有效减小了滤波器的尺寸并且谐振器间的耦合系数为传统结构的1....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动,它是CMP工艺的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素.因此分析磨料的各物性参数对CMP过程的影响尤为重要.随着晶圆表面加工尺寸的进一...
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165. Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 通过改变高温AlN形核层生长时提前通入TMAl的时间,分别在Si (111)衬底上生长了4个1μm厚的GaN样品,并对每个样品的GaN外延材料进行了分析研究.通过显微镜观察发现,Al的沉积时...
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166. SiGe异质结晶体管技术的发展刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程.介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型...
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167. 976nm单管激光器光纤耦合技术研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 对典型量子阱激光器的光束特性和光纤特性进行了简要分析,在此基础上,利用光线踪迹理论,对光纤激光器所用976 nm泵浦模块的耦合光路进行设计,并采用光学设计软件Tracepro对设计的光路进行...
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168. 晶片表面Haze值研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 介绍了晶片表面Haze值的定义和理论依据,通过对SSIS系统的原理分析,揭示了H aze是一种间接反映晶片表面状态的光学信号.通过对不同表面状态抛光片的光学扫描,研究了晶片表面粗糙度与Haz...
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169. 硅通孔互连技术的可靠性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 随着电子封装持续向小型化、高性能的方向发展,基于硅通孔的三维互连技术已经开始应用到闪存、图像传感器的制造中,硅通孔互连技术的可靠性问题越来越受到人们的关注.将硅通孔互连器件组装到PCB基板上...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键.由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析.通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100 (band-Ⅰ/band-Ⅴ)的双频单芯片功率放大器(PA).PA采用单端共射级3级级...
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173. 一款结合数字校正技术的流水线ADC设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 基于65 nm CMOS工艺、1.2V供电电压,设计了一款结合偏移双通道技术的流水线模数转换器( analog-to-digital convertor,ADC).芯片的测试结果表明,该校正...
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174. 集成电路可测性设计IO复用方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 超大规模集成电路特征尺寸逐步缩小的发展过程中,芯片面积是制约芯片成本的最重要因素之一,也是直接影响半导体产品市场竞争力的最重要因素之一.本文介绍了将所有可测性设计(DFT)的输入输出端口(I...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 设计了一种独特的极间匹配网络,使驱动放大器的输出阻抗直接匹配到末级放大器的输入阻抗,而不通过极间50 Ω匹配转换.应用这种极间匹配网络,提高了30～512 MHz,100 W功率放大器的线性...
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176. 环氧/Cu界面混合分层断裂研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 高密度塑封器件不同材料间分层断裂常导致器件失效,且界面通常为正应力作用下的张开型(模式Ⅰ)断裂和切应力作用下的滑开型(模式Ⅱ)断裂的混合模式.环氧塑封料和Cu引线框架之间热失配较大,在热、力...
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177. 超宽带信号的光学产生方法以及应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 为了实现跨越不同网络的无间断服务和随时随地的高速率数据接入,提出了采用光学方法产生超宽带信号的技术,该技术的采用避免了额外的电光或者光电转换,节省了系统资源,有益于全光网络的形成.基于国内外...
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178. 整流二极管的IR对HTRB工作寿命的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 整流器件在工作中的可靠性往往与其漏电流特别是在高温下的漏电流有密切关系,然而对高温下的漏电流往往关注不够.通过对常温与高温漏电流的对比测试,发现两者并没有一致的对应关系；通过对高温漏电流有较...
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179. 基于LSSVM的小子样元器件寿命预测刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要： 现代高可靠元器件在寿命试验时会出现失效数据很少的小子样情形,而传统的可靠性评估方法需要大量的失效数据,针对此情况,从工程实践的实际需求出发,提出了基于最小二乘支持向量机的小子样元器件寿命预测...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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