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半导体技术2012年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件.它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区.同时新开发了穿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程.通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料.通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生长压力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物质的量比(nⅤ...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料.利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 提出了一种新型超宽带( UWB)小型化微带滤波器.这种结构采用多个短路支节并联于主传输线上,短路支节长度为四分之一波长.采用一种新型等效电路对其进行分析、模拟,其中的主传输线、并联支节线以及...
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67. X波段大功率T/R组件刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种X波段大功率T/R组件.在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大...
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68. 并联电容对DE类功率放大器的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： DE类功率放大器既综合了D类和E类功率放大器的优点,继承了开关型功率放大器高效率的特征,又同时避免了D类和E类功率放大器的缺陷,使其成为了人们关注和研究的热点.随着工作频率的升高,MOSFE...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 针对化学机械研磨(CMP)过程非线性、时变和不易在线测量的特性,提出了基于径向基函数(RBF)神经网络和微粒群( PSO)算法的CMP过程run-to-run (R2R)预测控制器NNPR2...
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70. LED光源光衰规律研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 光衰是反映LED性能的重要指标,而LED的光衰是一个很漫长的过程,用实测数据描绘光衰曲线是不现实的.通过对LED光衰的原因、现象进行分析,在封装材料的功能退化符合阿伦尼乌斯定律的前提下,推出...
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71. 凸点晶圆测试共性问题研究与应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 集成电路“轻、薄、小”的趋势使新封装技术在产业中不断得以应用.晶圆凸点工艺作为新封装技术的关键工序尤为重要,相应的凸点晶圆测试方案是产业面临的现实问题.针对凸点晶圆测试中出现的新问题和技术难...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验.试验采用步进应力加速...
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73. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要：
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74. LED热学性能测试方法的研究综述刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： LED是21世纪最具发展前景的照明光源之一.散热是限制功率型LED器件广泛应用的主要瓶颈,精确的热学测量则是有效热管理的重要前提.目前对于LED热学性能的测量方法研究主要有红外热成像法、电学...
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75. 堆叠封装技术进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 目前电子产品正朝着高集成化、多功能及微型化方向不断发展.堆叠封装(PoP)作为一种新型3D封装技术,在兼容现有的标准表面贴装技术(SMT)的基础上能够实现不同集成电路在垂直方向上堆叠,从而能...
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76. 芯片级木马检测技术研究综述刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 集成电路在各个领域都具有极其重要的作用,但是在当今集成电路设计、制造、测试、封装各种环节相分离的产业模式下,用户所使用的芯片可能会被别有用心者植入硬件特洛伊木马电路,这给信息安全领域带来了严...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,准确的器件模型对于提高电路设计成功率和缩短电路研发周期起着重要作用.首先采用标准的GaAs MMIC工艺制造出不同栅指数和单位栅宽的开关PHEM...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一.对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 采用自主开发的SiC外延材料和工艺技术,相继实现了S波段连续波状态下输出功率瓦级和10W的SiC MESFET.经过版图设计的改进和工艺条件的优化,取得了S波段连续波状态下输出功率大于20 ...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 采用国产的4H-SiC外延材料和自行开发的SiC双极晶体管的工艺技术,实现了4H-SiC npn双极晶体管特性.为避免二次外延或高温离子p+注入等操作,外延形成n+/p+/p/n -结构材料...
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81. 衍射干涉光刻研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域.衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象.利用这一现象,可以产生小于掩模图...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究.扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌.进...
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83. p-GaN与ITO欧姆接触的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件.将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基...
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84. 晶体硅片上激光打孔的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 背面接触太阳电池越来越多地被人们关注,这种电池增加了使用激光器在硅片上打孔工艺.选用了半导体激光器作为光源在晶体硅片上进行打孔实验.通过调节激光器的功率、离焦量、脉冲重复频率等参数并分析其对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 以AAO/Si为模板,采用化学气相沉积(CVD)的方法在不同温度下,通过煅烧Zn粉和C粉的混合物制备ZnO/AAO/Si组装体系,并对其结构和性质进行了研究.扫描电镜(SEM)结果表明:随着...
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86. e型电子束蒸发源的原理及维修刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 电子束蒸发由于其显著的优点应用日趋广泛,成为工业镀膜工艺中最主要的技术之一.基于真空镀膜技术,首先对电子束蒸发的定义进行了阐述,介绍了电子束蒸发源的特点及优势,详细说明了e型电子束蒸发源的结...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 对非对称Doherty功率放大器(ADPA)的特性进行了研究.峰管采用更高功率的LDMOS管,用非对称负载调制理论做功率匹配,提高了功率放大器的平均效率和峰值输出功率.对功率放大器记忆效应进...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 对微带型幅度均衡器进行了理论分析和计算机仿真.微带型均衡器由微带谐振器上加载电阻构成,电阻的引入有效地展宽了频带.通过优化支节的长度、宽带和电阻的阻值,得到满足要求的均衡器.利用这种均衡器,...
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89. 铁电材料介电常数的测量方法研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 描述了一种基于同轴谐振腔技术测量铁电材料介电常数的原理和方法.将待测样品放置在1/4波长的同轴谐振腔的开路端,通过设计制作尺寸合适的同轴谐振腔以保证在测量频率范围内只存在横向电磁场( TEM...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 为满足色彩还原的需要,白光LED照明光源通常用光谱合成的方法获得连续的宽光谱.各频段的光谱分量与光源最终色度参数的关系以及它们比例的确定通常由实验得出.因而目前光源的设计是一个极其复杂的尝试...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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半导体技术统计分析
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