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半导体技术2012年出版文献
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
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181. 基于X光检测的元器件任意形状气泡提取方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年10期页码:摘要： 目前,X射线检测技术广泛应用于元器件的缺陷检测.但X光图像低灰度、低对比度的特点以及气泡形状的任意性,使得X光图像检测提取气泡并确定其位置成为元器件检测中的一个难题.元器件气泡的检测质量直接...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年10期页码:摘要： 报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果.由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50 Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡...
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183. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年10期页码:摘要：
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184. TSV结构热机械可靠性研究综述刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元.TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度.TSV结构...
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185. 一种恒温晶振专用集成电路芯片设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 介绍了一种基于BiCMOS工艺的恒温晶振专用集成电路芯片.该芯片集成了分立式恒温晶振的大部分有源和无源器件,包括稳压、振荡、控温和输出缓冲等单元电路.稳压、振荡等对相位噪声影响较大的电路其关...
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186. 逆导型IGBT发展概述刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上.逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多...
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187. STI应力对CMOS器件影响的模拟研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术.使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/p...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 亚16 nm以下的互连技术中需要采用电阻率低、阻挡性能好、与Cu粘附性好并同时具有较好抛光性能的新型扩散阻挡层.利用自制2英寸图形片,对Mo和CoMo新型扩散阻挡层Cu互连结构图形片的抛光性...
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189. 双氧水在碱性抛光液中的稳定性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 氧化剂是铜互连化学机械抛光液的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化效率的重要影响因素.双氧水(H2O2)是抛光液中最常用的氧化剂,其稳定性是评估抛光液性能的重要指标之一,直接关系到抛光液的寿...
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190. InP晶体多线切割工艺研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 磷化铟(InP)是重要的化合物半导体材料,在微波、毫米波器件以及抗辐照太阳电池等领域有着广泛的应用.由于InP材料的硬度较小,并且易于解理,因此InP材料的切割具有较大的技术难度.对InP晶...
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191. 绒面掺铝氧化锌薄膜的制备及其特性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 采用磁控溅射法在较低温度下制备出室温电阻率为3.4×10-4Ω·cm,可见光范围内平均透过率为84％的掺铝的氧化锌(ZnO∶Al (AZO))薄膜.通过乙酸和盐酸溶液的腐蚀制备绒面AZO薄膜...
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192. 在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金属作为衬底外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的重大意义.详细介绍了国内外在...
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193. 并行集束型半导体装备稳态吞吐量模型研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 并行集束型半导体装备的性能分析和产能预测是一项非常困难的任务,建立装备性能模型是解决这一问题的有效方法之一.首先用时序图描述了集束型半导体装备加工腔体和机械手在稳态阶段的使用情况,根据建立的...
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194. X波段汽车雷达测速仪低噪声放大器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 设计与实现了一种应用于X波段(10.5 ～ 12 GHz)汽车雷达测速仪的低噪声放大器(LNA),该放大器选用NEC公司的GaAs FET (NE3503M04)低噪声放大管.直流偏置电路采...
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195. 1 kbit 铁电存储器电路设计技术研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 铁电存储器(ferroelectric random access memory,FRAM)是利用铁电材料可以自发极化,并且极化强度可以随外电场的作用而重新取向的特性为存储机制的一种非易失性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 根据Doherty技术,设计了一款工作于宽带码分多址信号(W-CDMA)下行频段的改进型高效率功率放大器.在设计过程中,将功放管的膝点电压效应考虑在内并通过减小此效应来提升回退点效率,此外,...
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197. 穿透硅通孔互连结构的湿-热应力有限元分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析.首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回流焊过程中,因热膨胀系数不匹配而引入的热应力,然后预测了...
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198. LED对MM和HBM静电放电敏感性的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对LED特性的影响,参考国际标准对半导体元件的静电放电测试要求,对LED样品分别进行MM及HBM静电放电试验.每次静电测试前后均对样品进...
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199. FPGA中六倍连线资源的测试刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 通过分析SPARTAN-Ⅱ FPGA器件的结构及其连线资源分布特点,寻找一种能够快速配置测试、具有高测试覆盖率的测试配置设计.所提出的把六倍资源连线分别配置成多条横向和纵向环形链路的测试配置...
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200. CMOS数字热真空传感器芯片设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 基于标准CMOS工艺设计了一款集成热真空传感器、运算放大器、逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)、数字信号处理电路的传感器系统.工作在恒电流模式的传感器,气压敏感区间为1～105 Pa.运...
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201. 基于负阻MMIC的新型VCO研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作.利用微封装技术将二者结合构成完整的V...
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202. 单片集成三轴加速度传感器刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 基于硅压阻效应原理,单片集成三轴加速度传感器通过双惯性质量块和六梁结构组成敏感结构,其中四个L型梁对称布置用来测量x和y轴加速度；中间的对称双梁测量z轴加速度.通过工艺兼容技术,在同一芯片上...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 采用0.18μm CMOS工艺设计了一款6.25 GHz锁相环倍频器,该倍频器适用于12.5 Gbit/s半速率复接的串行器/解串器(SerDes)发射系统.该锁相环倍频器不仅为SerDes...
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204. 红光LED尺寸对ITO电流扩展的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 采用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,以此作为AlGaInP红光发光二极管(LED)的电流扩展层.研究了该LED结构中,不同的芯粒尺寸对ITO电流扩展的影响.结果表明,在电极尺...
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205. 硅衬底化学机械抛光后去除有机物残留的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效.针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,...
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206. 网版参数对单晶硅太阳电池栅线印刷的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 常规太阳电池表面由于扩散浓度高,导致载流子复合严重,电池转换效率很难提高,目前高方阻密栅线工艺是提高产业化太阳电池转换效率的重要途径之一.通过扩散工艺很容易实现高方阻,难点在于优化电池正面网...
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207. PERC结构多晶硅太阳电池的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 高效、低成本是目前硅太阳电池追求的主要目标.多晶硅太阳电池成本低,但其电性能较差.背面钝化及局部背接触是提高多晶硅太阳电池电性能的主要技术.通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,...
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208. 选择性腐蚀确定GaN薄膜中位错类型刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 提出了一种确定GaN外延薄膜中位错种类的方法.通过化学试剂对GaN薄膜表面进行选择性腐蚀,并用X射线衍射仪(XRD)及原子力显微镜(AFM)对腐蚀前后的薄膜进行了表征,确立了GaN薄膜表面的...
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209. Ka波段镜像抑制谐波混频器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 针对现代毫米波接收机和雷达系统高抗干扰能力的需求,分析了具有镜像频率抑制能力的谐波混频器的基本原理,提出了一种Ka波段镜像抑制谐波混频器的设计方案.该混频器由两个混频单元组成,利用输出信号的...
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210. 新型预失真功率放大器的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 针对高线性功率放大器的实现途径,设计了一款应用模拟预失真技术与自适应预失真技术相结合的功率放大器.首先对预失真技术进行了原理性分析,阐述了模拟预失真技术的工作原理；然后给出了线性功率放大器的...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
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金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
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半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
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北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
