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半导体技术2014年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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121. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 针对无线局域网应用的射频功率放大器(PA)性能要求,提出并实现了4种结构类型的功率单元,运用优选的功率单元进行了PA芯片设计.基于0.18 μm 2P6M SiGe∶C BiCMOS工艺,选...
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123. 一种PFM控制模式高效反激转换器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 设计了一种不连续导通模式(DCM)下高效反激式转换器的控制方案.该方案通过电压检测(VS)端电感检测功率MOS管的导通状态,通过控制电路对VS信号进行采样和保持,采样值输入至降频电路产生降频...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 提出了一种基于自级联运算跨导放大器的低功耗低噪声的神经元放大器,其可用于植入式有源射频识别传感器.植入式传感器主要的难点是通过无线的方式为生物组织内功率器件或其他替代源供电的能力,介绍了一种...
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125. 采用电荷复位技术的像素级ADC刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 实现了一种可用于CMOS图像传感器,采样率为50 Hz、精度为15位的像素级模数转换器(ADC).此ADC采用电荷复位方式补偿电荷,然后通过对电荷包计数实现模数转换.为了实现低功耗、低噪声和...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器.对封装后的器件进行电流电压(Ⅰ-Ⅴ)特性测试.由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的Ⅰ-Ⅴ曲线不再符合理想二极管...
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127. 一种超结高压肖特基势垒二极管刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 改善反向击穿电压和正向导通电阻之间的矛盾关系一直以来都是功率半导体器件的研究热点之一.介绍了一种超结肖特基势垒二极管(SJ-SBD),将p柱和n柱交替构成的超结结构引入肖特基势垒二极管中作为...
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128. 一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaNHEMT小信号模型参数提供了依据.设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性.在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程.弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运...
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131. 雾化施液CMP工艺优化刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 通过改进抛光雾液供液系统,结合超声波雾化技术对原雾化施液CMP实验系统进行优化,并进行了工艺实验.通过单因素试验研究雾化参数对抛光结果的影响,利用正交试验得到最优工艺参数组合,并在相同条件下...
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132. 超结VDMOS漂移区的几种制作工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 超结VDMOS与常规VDMOS的主要差异在于漂移区,超结VDMOS是在常规VDMOS的n型漂移区中插入了p型区.此p型区具有较大的深度与宽度比,利用一次注入与驱入工艺无法实现,所以这种超结结...
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133. n型SiC极性面对欧姆接触性质的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 研究了n型碳化硅(SiC)极性表面、载流子浓度和退火温度对欧姆接触的影响,测试了不同样品的电流-电压曲线,并通过传输线方法计算比接触电阻.对于SiC衬底的硅面,GeNiTiAu合金材料的欧姆...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 采用绿色化学方法、通过使用对环境友好无危害的橄榄油,结合静电纺丝技术,成功制备了ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维.通过扫描电镜和X射线衍射对复合纳米纤维结构进行表征,通过光致发光研究了复合纳...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： AlGaN/GaN HEMT结构材料主要用于研制微电子器件,对其发光性质的研究相对较少.通过对AlGaN/GaN HEMT结构材料的光致发光谱(PL)研究,观测到了AlGaN势垒层中Al组分...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法对(100)应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算.计算结果表明:在90％ ～ 100％的压应变范...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年9期页码:摘要： 基于有限单元法建立了小外形封装(SOP)器件三维模型,对比分析了随机振动载荷下3种引线结构对器件互连可靠性的影响,并制备试验样件,开展振动步进试验和振动疲劳试验对数值模拟进行了验证.试验和模...
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138. 中国集成电路设计产业的发展趋势刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 分析了集成电路技术发展趋势及面临的挑战,介绍了2013年全球半导体产业和集成电路设计产业的基本情况、全球设计产业销售占集成电路销售的比重及全球前十大半导体IP供应商情况.深入分析了2013年...
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139. 无源超高频RFID标签的模拟前端电路设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 设计完成了一款无源超高频RFID标签的低功耗模拟前端电路.采用了一种新的阈值消除技术,整流电路的能量转换效率可以达到30％以上;使用一种低功耗的稳压电路,为数字电路提供稳定的1V电源电压的同...
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140. 2～4GHz MMIC低噪声放大器刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2～4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA).该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 基于带隙基准源的基本原理,设计一种应用于PFM控制升压型DC-DC转换芯片的高精度、低功耗、低电压带隙基准电压源,包含带隙基准主电路和输出偏置电压电路.采用韩国Dongbu 0.35 μm ...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 采用有机金属化学气相沉积法,在1 μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm.使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,...
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143. 一种高压大电流IGBT的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1 700 V/100 A高压大电流的NPT-IGBT,包括其元胞结构、终端结构、工艺流程及版图的设计.通过分析...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A.对特高压晶闸管采...
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145. 激光剥离GaN表面的抛光技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术.然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的...
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146. 硼掺杂比对p型微晶硅薄膜生长特性的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了硼不同掺杂比系列的p型微晶硅薄膜.采用光发射谱仪对薄膜的沉积过程进行了原位表征,采用喇曼光谱和椭圆偏振光谱仪对薄膜的结构及性能进行了分析.结果表明:随...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 新型Cu/低后芯片以其优异的性能逐步替代Al/SiO2芯片在微纳米器件中得到越来越多的应用.但由于其抗变形能力和强度较低,在引线键合中容易发生损坏.为研究Cu/低k芯片键合中的应力特征和失效...
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148. Ni-Ti-O纳米管阵列的制备与氢敏性能刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 掺杂是改善氧化钛纳米结构半导体特性的有效方法.在醇基电解液中,采用阳极氧化方法在TiNi合金表面成功制备出Ni-Ti-O纳米管阵列.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和X射...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 测量了SiGe HBT直流增益在60Co γ辐照过程中随剂量及器件电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy (Si)后,器件电流增益变化与辐照剂量存在线性反比关系,且增...
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150. 自检测LED模组设计及可靠性试验分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 阐述了多芯板上芯片(CoB)封装结构,构建了多芯片LED封装模型,将88颗单电极小功率LED芯片直接封装在直径为65 mm的圆形镀铝陶瓷基板上,研制成了一种基于CoB封装技术的自检测LED模...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
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