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半导体学报(英文版)2001年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2∶Al/Si/SiO2∶Al)/p-Si结构，用磁控溅射制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型InGaN样品进行了光致发光(PL)、霍耳(Hall)及扫描电镜(SEM)测量．结果表明:适当的生长温度(750℃)提高了样品中In的含量和PL强...
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33. ZnTe∶Cu薄膜的制备及其性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 用共蒸发法在室温下沉积了ZnTe∶Cu多晶薄膜.刚沉积的不掺Cu的薄膜呈立方相，适度掺Cu时为立方相和六方相的混合相.随着Cu含量的增加，六方相增加，光能隙减小.根据暗电导温度关系，结合XR...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 用显微光致发光（μ-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT)晶片进行了研究．分别在19μm×16μm的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 研究了采用高频PlasmaCVD技术在较低温度下(300—400℃)生长以GaN为基的Ⅲ-Ⅴ族氮化物的可行性，在蓝宝石衬底上生长了GaN缓冲层.热处理后的光致发光谱和X光衍射表明，生长的Ga...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 研究了溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数随波长变化关系的影响，结果表明：(1)当溅射功率一定时，随溅射氩气气压的增加Ge2Sb2Te5薄膜的折射率先增大后减小，而消光系数先减小后增大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 研究了用电化学方法在SnO2基底上沉积的NiOxHy膜电致变色特性，该膜是一种富氧结构，具有优良的变色特性，其透射式光密度ΔOD在可见光区可达1以上．NiOxHy膜在KOH电解液中的电致变色...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 以8-羟基喹啉铝（Alq3）为发光层，成功地制备成ITO（铟锡氧化物）/TPD（2-甲基-4-苯基联苯二胺）/Alq3/Al结构的双层有机发光器件．与ITO/Alq3/Al结构器件相比，其亮...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 采用脉冲激光沉积方法（PLD）制备了Au/PZT/BIT/p-Si多层结构铁电存储二极管.对铁电存储二极管的P-E电滞回线、I-V特性曲线分别进行了测试与分析，并对其导电行为及基于I-V特性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 论述了一种模拟电荷法与镜像格林函数法相结合，对模拟电荷用DFP法进行最优设置的提取双介质ULSI互连电容参数的基本算法，并与其它互连电容模拟软件模拟的结果进行了比较，相对偏差小于10%，表明...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 提出了对具有反馈信息的时序逻辑电路进行逻辑参数提取时用于SPICE模拟的激励波形自动生成方法，该方法能根据用户指定的要提取的时延参数要求，很快产生这种时序逻辑电路的模拟激励波形，从而可以加快...
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42. 风冷热电空调器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 建立了风冷热电空调器数值模拟模型，对空调器进行了模拟计算.在对风冷热电空调器研制的基础上，进行了最佳隔热层厚度、不同结构形式、变工况、变风量和复现性实验，验证了仿真程序的可靠性，并应用模拟程...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 聚合物电致发光器件以其独有的优点在显示方面显现了光明的前景.聚合物电致发光器件的稳定性是器件实用化过程中所面临的一个重要的技术难题.合成了单层薄膜电致发光器件ITO/P10/A1.研究了聚合...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 通过数值求解整个势垒的薛定谔方程，发现FN电流公式中的B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度，而C因子则弱依赖于势垒的转变区的宽度．给出了一种利用WKB近似所得的处理电子隧穿存在转变区势垒的过程，...
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45. 槽栅NMOSFET结构与性能仿真刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 基于流体动力学能量输运模型，利用二维器件模拟器MEDICI对深亚微米槽栅NMOSFET器件的结构参数，如结深、凹槽拐角及沟道长度等对器件性能的影响进行了仿真研究，并与相应的常规平面器件特性进...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 为了计算带有发射极边减薄结构的异质结双极晶体管（EET-HBT：Emitter Edge Thinning-HeterojunctionBipolar Transistor）的电流增益，提出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准，采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管，器件直流电流增益大于20，电流增益截...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用新近研制的高真空／快速热处理／化学气相淀积（HV／RTP／CVD）系统生长了应变SiGe材料．通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料．Ge组分可以变化至0.25，可以得到控制良好的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 基于等价掺杂转换理论的应用，得到了解析计算扩散-外延穿通P-N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果．介绍了等价掺杂转换方法的基本理论，然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 报道了一种包含一薄层单晶硅和隐埋Si／SiO2布拉格反射器的SOR衬底．这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的．在垂直光照条件下，这种SOR衬底在1.3μm处的反...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 报道了4H-SiC混合PN/Schottky二极管的设计、制备和特性．该器件用镍作为肖特基接触金属，使用了结终端扩展（JTE）技术．在肖特基接触下的n型漂移区采用多能量注入的方法形成P区而组...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用给PECVD SiO2中注入氮的方法，形成一薄层氮氧化硅，以此作为一种新型的扩散阻挡层．不同热偏压条件下的C-V测试结果和XPS分析结果表明，该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用．
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 描述了一种新的基于单元扩大的拥挤度驱动的布局算法．这个方法用概率估计模型和星型模型来评价线网的走线．使用全局优化和划分交替的算法来进行总体布局．提出了单元的虚拟面积的概念，单元的虚拟面积不仅...
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55. Y型量子线中电子弹道输运性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 对有限长Y型量子线中的电子弹道输运性质进行了量子力学计算．该有限长的量子结构分与两半无限长的量子通道相连，当施加一偏压时，量子通道分别可作为电子的发射极和收集极．采用了转移矩阵方法和截断近似...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 通过实验确定了一种与GexSi1-x合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层GexSi1-x/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布．实验结果表明：采用这种电解液...
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57. 硅片少子寿命的直排四探针测试刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用直排四探针方法测试硅抛光片的电阻率时，减少表面复合和增大测试电流故意引进注入使电阻率减少，根据电导率与少数载流子寿命成正指数增加的关系，求得少子寿命．
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 将覆盖层引入生长停顿的量子点结构作为激光器有源区来研究量子点激光器受激发射机制．由于强烈的能带填充效应, 光致发光谱和电致发光谱中观察到对应于量子点激发态跃迁的谱峰，大激发时其强度超过基态跃...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量C60薄膜，用原子力显微镜观察了样品的表面形貌．测量并分析了不同厚度C60薄膜的紫外-可见吸收光谱．由测量的透射及反射光谱，经计算得到了吸收系数与入...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 通过三点弯方法研究普通和微氮硅单晶在室温下的机械强度，以及它们的高温抗弯强度．实验发现，由于氮的掺入，硅片室温下的机械强度有明显的改善，同时证实了高温下氮对位错的钉扎作用；研究还指出，硅片表...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
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