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半导体学报(英文版)2002年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 将ZrO2和PZT的sol-gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中,制作出应用Al/PZT/ZrO2/p-Si结构的MFIS电容和单管MFIS FET,研究了MFIS电容的界面和存...
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62. 新型双环路电流型压控振荡器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 基于电流环振结构,同时应用了负延迟前接机制,实现了一种新型的双环路电流型压控振荡器结构,不仅提高了压控振荡器的振荡频率,而且也优化了噪声特性.设计采用1.2μm上海贝岭Bsim CMOS工艺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶法制备CeO2-TiO2复合氧化物催化剂,取代贵金属催化剂在不同工艺下制备气敏催化元件,研究在C4H10气氛中催化剂浓度和制备工艺对气敏催化性能的影响.结果表明,CeO2-Ti...
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64. 硅片缺陷粒径分布参数的提取方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 利用电学测量方法,给出了在集成电路制造过程中,影响光刻工艺的各种颗粒尘埃(缺陷)的粒径分布参数提取方法.首先基于双桥微电子测试结构,通过具体制造工艺得到数据,然后处理得到故障的粒径分布.再利...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并进行了离子注入设备模型的初步研究.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 研究了浅沟槽隔离(STI)工艺的各主要工艺步骤:沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化.使用器件模拟软件Medici和Davinci分析了STI结构的隔离性能以及沟槽隔离...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 提出了一种有效的基于遗传算法的VLSI布图规划方法.在染色体的表达中,对软模块不同形状和硬模块的布局方向进行了编码,并设计了有效的启发式解码方法进行解码.测试结果表明,该算法比已有算法得到了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 采用在硅上磁控溅射金属钛膜再热氧化的工艺制备了多晶氧化钛薄膜.测量了Ag/TiOx/Si/Ag电容器的I-V和C-V特性.结果表明,氧化钛薄膜的厚度为150～250nm,其介电常数是40～8...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 通过采用经过优化的新型大光腔结构,脊形波导980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角.结果表明波导中的光功率密度可以...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 利用动态控制阳极短路的基本原理，提出了一种实现高速IGBT 的新思路．该结构的关键是引入了一个常开型pMOSFET，在IGBT导通时关断，不增加导通 损耗，而在器件关断过程中能阻止阳极...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 提出了一种用常规硅工艺实现的片上集成电感的螺线型新结构．制造工艺使用标准双层金属布线的常规硅工艺．测量了螺线型集成电感的S参数，从测量数据计算了集成电感的参量．实验的侧向螺线型片上集成电感的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 提出了一种应用新的电路结构和动态电路技术的双模预分频器,它已用0.25μm CMOS数字工艺实现.新的优化结构减少了电路的传输延迟,提高了电路速度.基于这种优化结构和动态电路技术,提出了改进...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 对使用超声搅拌和不加搅拌时(100)单晶硅的腐蚀特性进行了研究和对比.使用超声搅拌,可以得到光滑的、无小丘的腐蚀表面,整个硅片腐蚀深度的误差不超过1μm.实验结果表明,该方法可以有效地实现精...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 研究了InGaAs量子点材料自发发射、放大自发发射及光增益特性.实验发现InGaAs量子点材料随着注入电流密度的增加,其自发发射及放大自发发射光谱峰蓝移,表现出明显的能带填充现象.由于量子点...
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76. p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 研究了p型含氮以及不含氮直拉(CZ)硅中热施主(TD)以及氮氧(N-O)复合体的电学性质.硅片在350～850℃范围进行不同时间的退火后,利用四探针和通过室温傅里叶红外光谱(FTIR)分别测...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺...
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78. 富氧氮氧化硅薄膜退火的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放...
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79. 高压热处理对氧沉淀低温形核的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产生密度更高、尺寸更小的氧沉淀,表明高压有利于小直径氧沉淀的生...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积(NSAG-MOCVD)成功生长的InP系材料,并提出在NSAG-MOCVD生长研究中,引入填充因子的必要性,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 建立了一个价带附近的界面态密度分布模型,并用该模型较好地模拟了6H-SiC PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C-V特性以及转移特性.理论C-V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 应用场助热电子发射(thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 研究了超薄栅氧MOS器件的直接隧穿(direct tunneling,DT)电流模型问题.利用修正的WKB近似方法(modified WKB,MWKB)得到电子隧穿栅氧的几率,利用修正的艾利...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 报道了栅长为1.5μm Au-AlGaN/GaN HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果.同时,研究了器件经300℃、30min热处理对器件性能的影响,并对比了热处理前后器件的室温特性....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 在研究低能电子束照射绝缘物时在二次电子返回特性的基础上,通过绝缘物表面照射微区和衬底之间的有效电容,获得了表面电位和二次电子信号电流在表面电荷积累过渡过程中随照射条件的变化关系,建立了电子束...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 针对硅在KOH中的各向异性腐蚀提出了一个新的物理模型.此模型从微观角度出发,根据实际的腐蚀化学反应过程确定了若干微观状态,提出了反映腐蚀特性的若干微观参数.将腐蚀温度、浓度等对腐蚀速率的影响...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 根据硅各向异性腐蚀特点,在硅各向异性腐蚀速率图基础上,提出算法,利用数学软件MATLAB模拟了几种简单掩膜图形的腐蚀过程.程序从二维掩膜描述出发,找到相关晶面,产生动态的三维几何结构的输出....
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89. Ge预非晶化硅化物工艺的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 对全耗尽SOI CMOS技术中的Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究．Ge的注入，使Si非晶化，减小了硅化物的形成能量．Ti硅化物在非晶层上形成．与传统的Ti硅化物相比，注Ge硅化物工艺有两个明...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 在WKB近似的理论框架下,提出了一个MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型.在这个模型中,空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量近似方法,这种方法考虑了价带的混合效应.通过与试验结果的对比,...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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