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半导体学报(英文版)2006年第z1期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜,利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜,得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL).通过比较未采用缓冲...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 研究声子之间相互作用和磁场对半导体量子点中束缚极化子性质的影响.采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量.在计算电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作...
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4. MEMS器件的腐蚀与释放刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 以硅微机械FP腔器件为代表,该器件采用了标准的硅表面加工工艺,分析了此类具有悬空结构的MEMS器件在进行牺牲层的腐蚀和最终的结构释放过程中的各种问题.根据所遇到问题的不同情况对器件的设计和工...
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5. HfOxNy的场发射特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 通过X射线双晶衍射、光致发光谱等手段,系统研究了Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性.研究表明:退火过程中纳米岛区的Ge/Si原子互扩散作用比浸润层区强烈;并且随着退火时间增加...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用二维面探测器X射线衍射(XRD)测量1μm和0.5μm厚Al互连线退火前后的残余应力.沉积态Al线均为拉应力,且随膜厚的增加而减小.沿长度方向的应力明显高于宽度方向的应力,表面法线方向应...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方...
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11. 4H-SiC钒离子注入层的特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性,注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取.采用一种台面结构进行I-V测试.钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用ISE DESSIS器件模拟工具,模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性,分析了应力大小和方向发生变化对MOSFET的阈值电压、亚阈特性等器件特性的影响.
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14. 反应溅射CN薄膜的场发射特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜.原子力显微镜(AFM)研究结果表明,CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物,所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性,最大发射电流密度达到～10...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作...
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16. 基于低温键合技术制备SOI材料刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 用两种不同尺寸的CdTe纳米晶体与明胶溶液生长出均匀稳定的CdTe纳米晶体-明胶复合薄膜.研究了这种复合体系中两种尺寸的CdTe纳米晶体之间的共振能量迁移过程.荧光光谱显示:当复合薄膜中两种...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可...
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21. 锗掺杂磁控直拉单晶硅太阳电池刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 介绍了锗掺杂浓度为(1～1.5)×1019cm-3的10Ω·cm磁控直拉单晶硅衬底上BSFR(back surface field and reflection)和BSR(back surf...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 报道了一款低噪声、低功耗、增益可调的音频功率放大器的设计.该功率放大器在电源电压为5V,输入信号频率为1kHz,驱动负载为16Ω,输出功率为120mW时的总谐波失真仅为0.1%.此音频功率放...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用直流磁控溅射方法制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析以及傅里叶变换红外吸收谱表明薄膜是非晶结构.通过紫外-可见光谱测量得到,样品随着衬底温度的升高而变厚,光学带隙随着衬底温...
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24. 薄栅CMOS的可靠性模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 介绍了两种与栅氧化层失效有关的模型以及用于估计芯片寿命的热阻模型.随着晶体管特征尺寸的减小,现有的栅失效模型不能提供准确的计算和预测,因此提出了新的适用于小尺寸晶体管的栅失效模型.同时提出了...
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25. 一种抗单粒子翻转的SOI器件结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 介绍了SOI器件的可偏压隔离阱结构,对这种结构抗单粒子翻转的可能性进行了分析,对采用此结构的反相器的抗单粒子翻转性能利用器件模拟软件Medici和电路模拟软件Hspice进行了模拟.最后对基...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强...
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27. 1mm SiC多指栅微波功率器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC M...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 在功率RF LDMOS器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件性能的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是互相矛盾和相互制约的.文中研究了几个关键参数之间的关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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