CVD外延生长SiC薄膜的等离子体图形刻蚀研究

• 作者: 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军 韩键
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体 图形刻蚀 掩模
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 109-114
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 4764字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.019

摘要

采用等离子体刻蚀工艺，以四氟化碳(CF4）和氧气(O2）的混合气体作为刻蚀气体，对常压化学气相淀积工艺制备的β-SiC单晶薄膜进行了系统的图形刻蚀研究。结果表明，在SiC薄膜的等离子体图形刻蚀中，金属铝(Al）是一种很有效的掩模材料；可刻蚀出的图形最小条宽为4μm，图形最小间距为2μm，并且刻蚀基本为各向同性；文中还对影响图形刻蚀质量的一些因素进行了讨论。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学微电子研究所	25	131	7.0	10.0
3	李跃进	西安电子科技大学微电子研究所	70	432	11.0	17.0
4	柴常春	西安电子科技大学微电子研究所	80	592	15.0	19.0
5	韩键	西安电子科技大学微电子研究所	1	1	1.0	1.0