应变Si沟道CMOS中的离子注入工艺

• 作者: 张静 徐婉静 李竞春 杨谟华 谭静
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: Strained Si CMOS 离子注入 双阱 源漏
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 新工艺新技术
• 页码范围: 349-351,354
• 页数: 4页
• 分类号: TN40
• 字数: 2021字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2005.06.011

摘要

为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备出适合做应变Si沟道CMOS的双阱及源漏.霍尔测试得表面电子迁移率为1117cm2/V·s,载流子激活率为98%;原子力显微镜测试表明应变Si表面RMS为110 nm;XRD测试虚拟衬底SiGe弛豫度达96.41%;源漏结击穿电压为43.64V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华		58	278	8.0	11.0
2	李竞春		26	81	5.0	6.0
3	谭静		4	13	2.0	3.0