大直径半绝缘4H-SiC单晶生长及表征

• 作者: 侯晓蕊 姜志艳 徐伟 毛开礼 王利忠 王英民
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 半绝缘 4H-SiC 升华法
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 242-245
• 分类号: O771|O782
• 字数: 2321字
• 语种: 中文

摘要

采用升华法稳定地生长出7.62 cm半绝缘4H-SiC单晶.通过优化钒掺杂工艺获得了均匀分布的电阻率1011Ω·cm.用激光拉曼光谱仪对晶片进行扫描,结果表明SiC单晶晶型为4H晶型.半绝缘4H-SiC单晶微管密度最好结果小于2 cm-2.用高分辨X射线衍射术表征了7.62 cm 4H-SiC单晶衬底片的结晶质量,(0004)衍射摇摆曲线半峰宽为40",说明晶体结晶性较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐伟	中国电子科技集团公司第二研究所	50	146	6.0	9.0
2	王英民	中国电子科技集团公司第二研究所	18	53	5.0	6.0
3	姜志艳	中国电子科技集团公司第二研究所	4	19	3.0	4.0
4	毛开礼	中国电子科技集团公司第二研究所	10	34	3.0	5.0
5	王利忠	中国电子科技集团公司第二研究所	6	11	2.0	3.0
6	侯晓蕊	中国电子科技集团公司第二研究所	3	13	2.0	3.0