15.24 cm（6英寸）高纯半绝缘4H-SiC单晶生长

• 作者: 张磊 徐伟 李斌 王利忠 王英民 范云 魏汝省
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术
• 页码范围: 305-306
• 页数: 2页
• 分类号: TN304
• 字数: 1206字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2016.05.017

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国电子科技集团公司第二研究所	89	251	10.0	12.0
2	徐伟	中国电子科技集团公司第二研究所	50	146	6.0	9.0
3	王英民	中国电子科技集团公司第二研究所	18	53	5.0	6.0
4	魏汝省	中国电子科技集团公司第二研究所	6	5	2.0	2.0
5	张磊	中国电子科技集团公司第二研究所	46	76	4.0	7.0
6	王利忠	中国电子科技集团公司第二研究所	6	11	2.0	3.0
7	范云	中国电子科技集团公司第二研究所	2	2	1.0	1.0