Si基(100)取向3C-SiC单晶薄膜生长工艺技术研究

• 作者: 李斌 毛开礼 王英民 赵高扬
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si单晶衬底 3C-SiC单晶薄膜 修正的两步碳化工艺
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 128-130,151
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3301字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2017.03.002

摘要

为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质量,3C-SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键.研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生长高质量3C-SiC薄膜工艺.通过光学显微镜、XRD射线2θ-ω、XRD摇摆曲线等分析Si基3C-SiC薄膜表面质量和单晶特性.研究表明,在x(C)/x(Si)气相摩尔比为1.6时,采用"两步碳化工艺"在1385℃生长1 h获得的3C-SiC薄膜为类单晶薄膜,3C-SiC薄膜(200)衍射峰的摇摆曲线半峰宽约为0.19°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵高扬	西安理工大学材料科学与工程学院	72	349	10.0	14.0
2	李斌	中国电子科技集团公司第二研究所	89	251	10.0	12.0
3	王英民	中国电子科技集团公司第二研究所	18	53	5.0	6.0
4	毛开礼	中国电子科技集团公司第二研究所	10	34	3.0	5.0